Richiesta di offerta
Distinta base
Contattaci

Tel: +86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Registrazione

Italiano

Prodotti a semiconduttore discreti(2909)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)	Figura di rumore (dB tipo @ f)
TJ15S06M3L,LXHQ	0,9500	Richiesta di offerta	16	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVI	Nastro e bobina (TR)	Attivo	175°C	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	TJ15S06	MOSFET (ossido di metallo)		DPAK+	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	2.000			Canale P		60 V	15A (Ta)	6 V, 10 V	50 mOhm a 7,5 A, 10 V	3 V a 1 mA	36 nC a 10 V	+10 V, -20 V	1770 pF a 10 V	-	41 W (Tc)
TK31J60W5,S1VQ	9.6500	Richiesta di offerta	2743	Toshiba Semiconduttori e storage	DTMOSIV	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-3P-3, SC-65-3	TK31J60	MOSFET (ossido di metallo)		TO-3P(N)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	25			CanaleN		600 V	30,8A(Ta)	10 V	88 mOhm a 15,4 A, 10 V	3,7 V a 1,5 mA	105 nC a 10 V	±30 V	3000 pF a 300 V	-	230 W(Tc)
RN1404,LXHF	0,3400	Richiesta di offerta	6	Toshiba Semiconduttori e storage	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	RN1404		200 mW	S-Mini	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																								50 V	100 mA	500nA	NPN - Prepolarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	250 MHz	47 kOhm	47 kOhm
RN2402,LXHF	0,3400	Richiesta di offerta	6	Toshiba Semiconduttori e storage	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	RN2402		200 mW	S-Mini	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																								50 V	100 mA	500nA	PNP - Prepolarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	50 a 10 mA, 5 V	200 MHz	10 kOhm	10 kOhm
2SC5171,ONKQ(J	-	Richiesta di offerta	7689	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	2SC5171		2 W	TO-220NIS	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0075	1																								180 V	2A	5μA (ICBO)	NPN	1 V a 100 mA, 1 A	100 a 100 mA, 5 V	200 MHz
RN1911FE,LF(CT	0,2400	Richiesta di offerta	3	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	RN1911		100 mW	ES6	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	4.000																								50 V	100mA	100nA (ICBO)	2 NPN - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	120 a 1 mA, 5 V	250 MHz	10kOhm	-
TK62N60W,S1VF	16.4000	Richiesta di offerta	6481	Toshiba Semiconduttori e storage	DTMOSIV	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	TK62N60	MOSFET (ossido di metallo)		TO-247	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	30			CanaleN		600 V	61,8 A (Ta)	10 V	40 mOhm a 30,9 A, 10 V	3,7 V a 3,1 mA	180 nC a 10 V	±30 V	6500 pF a 300 V	-	400 W(Tc)
TK4A50D(STA4,Q,M)	0,9300	Richiesta di offerta	50	Toshiba Semiconduttori e storage	π-MOSVII	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	TK4A50	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SIS	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN		500 V	4A (Ta)	10 V	2 Ohm a 2 A, 10 V	4,4 V a 1 mA	9 nC a 10 V	±30 V	380 pF a 25 V	-	30 W (Tc)
SSM3J378R,LXHF	0,5000	Richiesta di offerta	24	Toshiba Semiconduttori e storage	Automobilistico, AEC-Q101, U-MOSVI	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C	Montaggio superficiale	SOT-23-3 Derivazioni piatte		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	3.000			Canale P		20 V	6A (Ta)	1,5 V, 4,5 V	29,8 mOhm a 3 A, 4,5 V	1 V@1 mA	12,8 nC a 4,5 V	+6V, -8V	840 pF a 10 V	-	1 W (Ta)
TK2P60D(TE16L1,NV)	-	Richiesta di offerta	2534	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	TK2P60	MOSFET (ossido di metallo)		PW-STAMPO	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	TK2P60D(TE16L1NV)	EAR99	8541.29.0095	2.000			CanaleN		600 V	2A (Ta)	10 V	4,3 Ohm a 1 A, 10 V	4,4 V a 1 mA	7 nC a 10 V	±30 V	280 pF a 25 V	-	60 W (Tc)
2SK3564(STA4,Q,M)	1.6200	Richiesta di offerta	42	Toshiba Semiconduttori e storage	π-MOSIV	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	2SK3564	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SIS	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN		900 V	3A (Ta)	10 V	4,3 Ohm a 1,5 A, 10 V	4 V a 1 mA	17 nC a 10 V	±30 V	700 pF a 25 V	-	40 W (Tc)
RN4983,LF(CT	0,3500	Richiesta di offerta	7287	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN4983		200 mW	US6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																								50 V	100mA	500nA	1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	70 a 10 mA, 5 V	250 MHz, 200 MHz	22kOhm	22kOhm
RN4905,LF(CT	0,3500	Richiesta di offerta	3	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN4905		200 mW	US6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																								50 V	100mA	500nA	1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	250 MHz, 200 MHz	2,2 kOhm	47kOhm
TK14A45DA(STA4,QM)	2.7100	Richiesta di offerta	3625	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo	-	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	TK14A45	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SIS	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN		450 V	13,5 A		410 mOhm a 6,8 A, 10 V	-				-	-
TK56A12N1,S4X	2.0900	Richiesta di offerta	30	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVIII-H	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	TK56A12	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SIS	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN		120 V	56A(Tc)	10 V	7,5 mOhm a 28 A, 10 V	4 V a 1 mA	69 nC a 10 V	±20 V	4200 pF a 60 V	-	45 W (Tc)
2SC2235-Y(DNSO,AF)	-	Richiesta di offerta	8875	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo	2SC2235		900 mW	TO-92MOD	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	1																								120 V	800 mA	100nA (ICBO)	NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	80 a 100 mA, 5 V	120 MHz
TK5A90E,S4X	1.4600	Richiesta di offerta	9249	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo	150°C	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SIS	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN		900 V	4,5A(Ta)	10 V	3,1 Ohm a 2,3 A, 10 V	4 V a 450 µA	20 nC a 10 V	±30 V	950 pF a 25 V	-	40 W (Tc)
SSM3J374R,LF	0,4400	Richiesta di offerta	2	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVI	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C	Montaggio superficiale	SOT-23-3 Derivazioni piatte	SSM3J374	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	3.000			Canale P		30 V	4A (Ta)	4 V, 10 V	71 mOhm a 3 A, 10 V	2 V a 100 µA	5,9 nC a 10 V	+10 V, -20 V	280 pF a 15 V	-	1 W (Ta)
TPC6110(TE85L,F,M)	-	Richiesta di offerta	4645	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVI	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6	TPC6110	MOSFET (ossido di metallo)		VS-6 (2,9x2,8)	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000			Canale P		30 V	4,5A(Ta)		56 mOhm a 2,2 A, 10 V	2 V a 100 µA	14 nC a 10 V		510 pF a 10 V	-	700mW (Ta)
RN4982,LF(CT	0,3700	Richiesta di offerta	9	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN4982		200 mW	US6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																								50 V	100mA	100μA (ICBO)	1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	50 a 10 mA, 5 V	250 MHz, 200 MHz	10kOhm	10kOhm
TK10A60W,S4X	1.6339	Richiesta di offerta	3281	Toshiba Semiconduttori e storage	DTMOSIV	Tubo	Attivo		Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	TK10A60	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SIS	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	TK10A60WS4X	EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN		600 V	9,7A(Ta)	10 V	380 mOhm a 4,9 A, 10 V	3,7 V a 500 µA	20 nC a 10 V	±30 V	720 pF a 300 V	-	30 W (Tc)
2SJ438,MDKQ(J	-	Richiesta di offerta	1464	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto		Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	2SJ438			TO-220NIS	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1						5A(Tj)
1SS397TE85LF	0,4100	Richiesta di offerta	8305	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	1SS397	Standard		SC-70	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0070	3.000		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità														400 V		1,3 V a 100 mA	500 n	1 µA a 400 V	125°C (massimo)	100mA	5 pF a 0 V, 1 MHz
MT3S113TU,LF	0,6400	Richiesta di offerta	3	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, cavo piatto	MT3S113		900 mW	UFM	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	3.000				12,5dB																				5,3 V	100mA		NPN		200 a 30 mA, 5 V	11,2GHz			1,45 dB a 1 GHz
TPCP8J01(TE85L,F,M	-	Richiesta di offerta	7498	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SMD, cavo piatto	TPCP8J01	MOSFET (ossido di metallo)		PS-8	-	Conforme alla direttiva RoHS		TPCP8J01(TE85LFM	EAR99	8541.29.0095	3.000			Canale P		32 V	5,5A(Ta)	4 V, 10 V	35 mOhm a 3 A, 10 V	2 V a 1 mA	34 nC a 10 V	±20 V	1760 pF a 10 V	-	2,14 W(Ta)
HN2S03FUTE85LF	0,4300	Richiesta di offerta	560	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	HN2S03	Schottky		US6	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0070	3.000		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità													3 Indipendente	20 V	50mA	550 mV a 50 mA		500 nA a 20 V	125°C (massimo)
TPC8212-H(TE12LQ,M	-	Richiesta di offerta	9667	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm)	TPC8212	MOSFET (ossido di metallo)	450 mW	8-SOP (5,5x6,0)	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 canali N (doppio)				30 V	6A		21 mOhm a 3 A, 10 V	2,3 V a 1 mA	16nC a 10V		840 pF a 10 V	Porta a livello logico
TPH3R506PL,LQ	0,5263	Richiesta di offerta	4366	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSIX-H	Nastro e bobina (TR)	Attivo	175°C	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	TPH3R506	MOSFET (ossido di metallo)		Avanzamento 8-SOP (5x5)	-		1 (illimitato)	264-TPH3R506PLLQTR	EAR99	8541.29.0095	3.000			CanaleN		60 V	94A(Tc)	4,5 V, 10 V	3,5 mOhm a 47 A, 10 V	2,5 V a 500 µA	55 nC a 10 V	±20 V	4420 pF a 30 V	-	830 mW (Ta), 116 W (Tc)
TPC6104(TE85L,F,M)	-	Richiesta di offerta	7275	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSIII	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6	TPC6104	MOSFET (ossido di metallo)		VS-6 (2,9x2,8)	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000			Canale P		20 V	5,5A(Ta)	1,8 V, 4,5 V	40 mOhm a 2,8 A, 4,5 V	1,2 V a 200 µA	19 nC a 5 V	±8 V	1430 pF a 10 V	-	700mW (Ta)
RN4990(TE85L,F)	0,3400	Richiesta di offerta	2	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN4990		200 mW	US6	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	3.000																								50 V	100mA	100nA (ICBO)	1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	120 a 1 mA, 5 V	250 MHz, 200 MHz	4,7 kOhm	-