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Prodotti a semiconduttore discreti(2909)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Velocità	Tipo FET	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)	Figura di rumore (dB tipo @ f)
2SC5095-R(TE85L,F)	-	Richiesta di offerta	9694	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	125°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	2SC5095		100 mW	SC-70	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000			13dB~7,5dB																				10 V	15 mA		NPN		50 a 7 mA, 6 V	10GHz			1,8 dB a 2 GHz
TK5A65W,S5X	1.6000	Richiesta di offerta	1655	Toshiba Semiconduttori e storage	DTMOSIV	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	TK5A65	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SIS	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		650 V	5,2A(Ta)	10 V	1,2 Ohm a 2,6 A, 10 V	3,5 V a 170 µA	10,5 nC a 10 V	±30 V	380 pF a 300 V	-	30 W (Tc)
TK40S06N1L,LXHQ	1.0700	Richiesta di offerta	20	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVIII-H	Nastro e bobina (TR)	Attivo	175°C	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	TK40S06	MOSFET (ossido di metallo)		DPAK+	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	2.000		CanaleN		60 V	40A (Ta)	4,5 V, 10 V	18 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 200 µA	26 nC a 10 V	±20 V	1650 pF a 10 V	-	88,2 W(Tc)
CRS10I30A(TE85L,QM	0,3800	Richiesta di offerta	3	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOD-123F	CRS10I30	Schottky		S-PIATTO (1,6x3,5)	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0080	3.000	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)														30 V		390 mV a 700 mA		60 µA a 30 V	150°C	1A	50 pF a 10 V, 1 MHz
RN4607(TE85L,F)	0,4700	Richiesta di offerta	795	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457	RN4607		300 mW	SM6	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																							50 V	100mA	100nA (ICBO)	1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	200 MHz	10kOhm	47kOhm
RN2908,LXHF(CT	0,4400	Richiesta di offerta	6	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN2908		200 mW	US6	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	3.000																							50 V	100mA	500nA	2 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	200 MHz	22kOhm	47kOhm
2SC2712-Y,LF	0,2100	Richiesta di offerta	4409	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	125°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2SC2712		150 mW	S-Mini	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																							50 V	150 mA	100nA (ICBO)	NPN	250mV a 10mA, 100mA	120 a 2 mA, 6 V	80 MHz
2SC2712-Y,LXHF	0,3400	Richiesta di offerta	5	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			200 mW	S-Mini	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																							50 V	150 mA	100nA (ICBO)	NPN	250mV a 10mA, 100mA	120 a 2 mA, 6 V	80 MHz
SSM3J304T(TE85L,F)	-	Richiesta di offerta	9160	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSIII	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SSM3J304	MOSFET (ossido di metallo)		TSM	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canale P		20 V	2,3A(Ta)	1,8 V, 4 V	127 mOhm a 1 A, 4 V	-	6,1 nC a 4 V	±8 V	335 pF a 10 V	-	700mW (Ta)
2SC5087R(TE85L,F)	0,1270	Richiesta di offerta	3	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	125°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-61AA	2SC5087		150 mW	mq	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000			-																				12V	80 mA		NPN		120 a 20 mA, 10 V	8GHz			1,1 dB ~ 2 dB a 1 GHz
RN2708,LF	0,3100	Richiesta di offerta	1502	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	RN2708		200 mW	USV	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	3.000																							50 V	100mA	500nA	2 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	200 MHz	22kOhm	47kOhm
2SK3309(Q)	-	Richiesta di offerta	9535	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3, Scheda corta	2SK3309	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FL	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		450 V	10A (Ta)	10 V	650 mOhm a 5 A, 10 V	5 V a 1 mA	23 nC a 10 V	±30 V	920 pF a 10 V	-	65 W (Tc)
SSM3K316T(TE85L,F)	-	Richiesta di offerta	3620	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SSM3K316	MOSFET (ossido di metallo)		TSM	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN		30 V	4A (Ta)	1,8 V, 10 V	53 mOhm a 3 A, 10 V	1 V@1 mA	4,3 nC a 4 V	±12V	270 pF a 10 V	-	700mW (Ta)
MT4S300U(TE85L,O,F	0,6800	Richiesta di offerta	5	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-82A, SOT-343	MT4S300		250 mW	USQ	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	3.000			16,9dB																				4V	50mA		NPN		200 a 10 mA, 3 V	26,5GHz			0,55 dB a 2 GHz
TPC8110(TE12L,Q,M)	-	Richiesta di offerta	6368	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSIII	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm)	TPC8110	MOSFET (ossido di metallo)		8-SOP (5,5x6,0)	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P		40 V	8A (Ta)	4 V, 10 V	25 mOhm a 4 A, 10 V	2 V a 1 mA	48 nC a 10 V	±20 V	2180 pF a 10 V	-	1 W (Ta)
TK7A55D(STA4,Q,M)	1.6000	Richiesta di offerta	50	Toshiba Semiconduttori e storage	π-MOSVII	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	TK7A55	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SIS	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		550 V	7A (Ta)	10 V	1,25 Ohm a 3,5 A, 10 V	4,4 V a 1 mA	16 nC a 10 V	±30 V	700 pF a 25 V	-	35 W (Tc)
RN2907FE,LF(CT	0,2600	Richiesta di offerta	9918	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	RN2907		100 mW	ES6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	4.000																							50 V	100mA	500nA	2 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	200 MHz	10kOhm	47kOhm
TK6A55DA(STA4,Q,M)	1.4900	Richiesta di offerta	8915	Toshiba Semiconduttori e storage	π-MOSVII	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	TK6A55	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SIS	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		550 V	5,5A(Ta)	10 V	1,48 Ohm a 2,8 A, 10 V	4,4 V a 1 mA	12 nC a 10 V	±30 V	600 pF a 25 V	-	35 W (Tc)
TK160F10N1L,LQ	2.8400	Richiesta di offerta	1592	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVIII-H	Nastro e bobina (TR)	Attivo	175°C	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	TK160F10	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SM(L)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		100 V	160A (Ta)	6 V, 10 V	2,4 mOhm a 80 A, 10 V	3,5 V a 1 mA	122 nC a 10 V	±20 V	10.100 pF a 10 V	-	375 W(Tc)
HN2S03T(TE85L)	-	Richiesta di offerta	3763	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Montaggio superficiale	4-SMD, conduttori piatti	HN2S03	Schottky		TESQ	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0070	4.000	Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità													2 Indipendente	20 V	50mA	550 mV a 50 mA		500 nA a 20 V	125°C (massimo)
TK110A65Z,S4X	4.2300	Richiesta di offerta	51	Toshiba Semiconduttori e storage	DTMOSVI	Tubo	Attivo	150°C	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	TK110A65	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SIS	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		650 V	24A (Ta)	10 V	110 mOhm a 12 A, 10 V	4 V a 1,02 mA	40 nC a 10 V	±30 V	2250 pF a 300 V	-	45 W (Tc)
SSM3J114TU(T5L,T)	-	Richiesta di offerta	2761	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, conduttori piatti	SSM3J114	MOSFET (ossido di metallo)		UFM	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canale P		20 V	1,8A(Ta)	1,5 V, 4 V	149 mOhm a 600 mA, 4 V	1 V@1 mA	7,7 nC a 4 V	±8 V	331 pF a 10 V	-	500mW (Ta)
2SD2695,T6F(J	-	Richiesta di offerta	2957	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo	2SD2695		900 mW	TO-92MOD	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	1																							60 V	2A	10 µA (ICBO)	NPN	1,5 V a 1 mA, 1 A	2000 a 1 A, 2 V	100 MHz
TK22V65X5,LQ	5.6600	Richiesta di offerta	2	Toshiba Semiconduttori e storage	DTMOSIV-H	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C	Montaggio superficiale	4-VSFN Tampone esposto		MOSFET (ossido di metallo)		4-DFN-EP (8x8)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN		650 V	22A (Ta)	10 V	170 mOhm a 11 A, 10 V	4,5 V a 1,1 mA	50 nC a 10 V	±30 V	2400 pF a 300 V	-	180 W(Tc)
TRS12N65FB,S1Q	4.9600	Richiesta di offerta	55	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo		Foro passante	TO-247-3	TRS12N65	SiC (carburo di silicio) Schottky		TO-247	-		1 (illimitato)	264-TRS12N65FBS1Q	EAR99	8541.10.0080	30	Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)													1 paio di catodo comune	650 V	6 A (CC)	1,6 V a 6 A	0 ns	30 µA a 650 V	175°C
SSM3J145TU,LF	0,3800	Richiesta di offerta	7	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVI	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C	Montaggio superficiale	3-SMD, cavo piatto	SSM3J145	MOSFET (ossido di metallo)		UFM	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canale P		20 V	3A (Ta)	1,5 V, 4,5 V	103 mOhm a 1 A, 4,5 V	1 V@1 mA	4,6 nC a 4,5 V	+6V, -8V	270 pF a 10 V	-	500mW (Ta)
2SA1020-Y,T6WNLF(J	-	Richiesta di offerta	2798	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo	2SA1020		900 mW	TO-92MOD	scaricamento		1 (illimitato)	2SA1020-YT6WNLF(J	EAR99	8541.21.0075	1																							50 V	2A	1μA (ICBO)	PNP	500 mV a 50 mA, 1 A	70 a 500 mA, 2 V	100 MHz
2SA2154CT-Y(TPL3)	-	Richiesta di offerta	5156	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-101, SOT-883	2SA2154		100 mW	CST3	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	10.000																							50 V	100 mA	100nA (ICBO)	PNP	300 mV a 10 mA, 100 mA	120 a 2 mA, 6 V	80 MHz
RN1309(TE85L,F)	0,2700	Richiesta di offerta	895	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	RN1309		100 mW	SC-70	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	3.000																							50 V	100 mA	500nA	NPN - Prepolarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	70 a 10 mA, 5 V	250 MHz	47 kOhm	22 kOhm
RN2713JE(TE85L,F)	0,4700	Richiesta di offerta	3	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOT-553	RN2713		100 mW	ESV	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	4.000																							50 V	100mA	100nA (ICBO)	2 PNP - Pre-polarizzato (doppio) (emettitore accoppiato)	300 mV a 250 µA, 5 mA	120 a 1 mA, 5 V	200 MHz	47kOhm	-