Richiesta di offerta
Distinta base
Contattaci

Tel: +86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Registrazione

Italiano

Prodotti a semiconduttore discreti(2909)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Velocità	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Tensione - Rottura (V(BR)GSS)	Corrente - Assorbimento (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Tensione - Interruzione (VGS disattivato) @ Id	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)	Assorbimento di corrente (Id) -Max	Rapporto di capacità	Condizione del rapporto di capacità	D@Vr, F
2SC3665-Y(T2NSW,FM	-	Richiesta di offerta	1068	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	SC-71	2SC3665		1 W	MSTM	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0075	1																				120 V	800 mA						100nA (ICBO)	NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	80 a 100 mA, 5 V	120 MHz
TTD1509B,Q(S	-	Richiesta di offerta	2966	Toshiba Semiconduttori e storage	*	Tubo	Attivo				TTD1509				scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0075	250
1SS387CT,L3F	0,2400	Richiesta di offerta	129	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOD-882	1SS387	Standard		CST2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0070	10.000	Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità												80 V	1,2 V a 100 mA	4nn	500 nA a 80 V	150°C (massimo)	100mA	0,5 pF a 0 V, 1 MHz
TK16J60W5,S1VQ	5.2000	Richiesta di offerta	32	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo	150°C	Foro passante	TO-3P-3, SC-65-3	TK16J60	MOSFET (ossido di metallo)		TO-3P(N)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	25		CanaleN	600 V	15,8A(Ta)	10 V	230 mOhm a 7,9 A, 10 V	4,5 V a 790 µA	43 nC a 10 V	±30 V	1350 pF a 300 V	-	130 W(Tc)
TRS8A65F,S1Q	3.6600	Richiesta di offerta	139	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo		Foro passante	TO-220-2 Pacchetto completo	TRS8A65	SiC (carburo di silicio) Schottky		TO-220F-2L	-				EAR99	8541.10.0080	50	Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)												650 V	1,6 V a 8 A	0 ns	40 µA a 650 V	175°C (massimo)	8A	28 pF a 650 V, 1 MHz
2SC5886A,L1XHQ(O	-	Richiesta di offerta	7632	Toshiba Semiconduttori e storage	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo				2SC5886				scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	2.000
RN1130MFV,L3F	0,1000	Richiesta di offerta	8	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOT-723	RN1130		150 mW	VESM	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	8.000																				50 V	100 mA						500nA	NPN - Prepolarizzato	300 mV a 500 µA, 5 mA	100 a 10 mA, 5 V	250 MHz	100 kOhm	100 kOhm
2SK208-Y(TE85L,F)	0,4900	Richiesta di offerta	7	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	125°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2SK208		100 mW	S-Mini	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN								8,2 pF a 10 V														50 V	1,2 mA a 10 V	400 mV a 100 nA								6,5mA
2SC2235-Y(MBSH1,FM	-	Richiesta di offerta	5908	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo	2SC2235		900 mW	TO-92MOD	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	1																				120 V	800 mA						100nA (ICBO)	NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	80 a 100 mA, 5 V	120 MHz
2SC2229-Y(T6MIT1FM	-	Richiesta di offerta	1667	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo	2SC2229		800 mW	TO-92MOD	scaricamento		1 (illimitato)	2SC2229YT6MIT1FM	EAR99	8541.21.0075	1																				150 V	50 mA						100nA (ICBO)	NPN	500 mV a 1 mA, 10 mA	70 a 10 mA, 5 V	120 MHz
TPCC8136.LQ	-	Richiesta di offerta	7165	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVI	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	TPCC8136	MOSFET (ossido di metallo)		8-TSON Avanzato (3.1x3.1)	-		1 (illimitato)	264-TPCC8136.LQTR	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	20 V	9,4A (Ta)	1,8 V, 4,5 V	16 mOhm a 9,4 A, 4,5 V	1,2 V a 1 mA	36 nC a 5 V	±12V	2350 pF a 10 V	-	700 mW (Ta), 18 W (Tc)
SSM3K35CTC,L3F	0,3200	Richiesta di offerta	109	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSIII	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-101, SOT-883	SSM3K35	MOSFET (ossido di metallo)		CST3C	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	10.000		CanaleN	20 V	250mA (Ta)	1,2 V, 4,5 V	1,1 Ohm a 150 mA, 4,5 V	1 V a 100 µA	0,34 nC a 4,5 V	±10 V	36 pF a 10 V	-	500mW (Ta)
2SC4207-GR(TE85L,F	0,3500	Richiesta di offerta	41	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	125°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	2SC4207		300 mW	SMV	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																				50 V	150mA						100nA (ICBO)	2 Emettitore comune NPN (doppio).	250mV a 10mA, 100mA	200 a 2 mA, 6 V	80 MHz
RN2109CT(TPL3)	-	Richiesta di offerta	8190	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Montaggio superficiale	SC-101, SOT-883	RN2109		50 mW	CST3	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	10.000																				20 V	50 mA						500nA	PNP - Prepolarizzato	150 mV a 250 µA, 5 mA	100 a 10 mA, 5 V		47 kOhm	22 kOhm
RN2708JE(TE85L,F)	0,4800	Richiesta di offerta	2	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOT-553	RN2708		100 mW	ESV	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	4.000																				50 V	100mA						100nA (ICBO)	2 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	200 MHz	22kOhm	47kOhm
TK20S04K3L(T6L1,NQ	-	Richiesta di offerta	2714	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSIV	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	TK20S04	MOSFET (ossido di metallo)		DPAK+	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	2.000		CanaleN	40 V	20A (Ta)	6 V, 10 V	14 mOhm a 10 A, 10 V	3 V a 1 mA	18 nC a 10 V	±20 V	820 pF a 10 V	-	38 W (Tc)
2SK2847(F)	-	Richiesta di offerta	1737	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-3P-3, SC-65-3	2SK2847	MOSFET (ossido di metallo)		TO-3P(N)IS	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	900 V	8A (Ta)	10 V	1,4 Ohm a 4 A, 10 V	4 V a 1 mA	58 nC a 10 V	±30 V	2040 pF a 25 V	-	85 W (Tc)
TK3P80E,RQ	1.1500	Richiesta di offerta	4414	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63		MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	2.000		CanaleN	800 V	3A (Ta)	10 V	4,9 Ohm a 1,5 A, 10 V	4 V a 300 µA	12 nC a 10 V	±30 V	500 pF a 25 V	-	80 W (Tc)
RN1511(TE85L,F)	0,4700	Richiesta di offerta	2	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-74A, SOT-753	RN1511		300 mW	SMV	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																				50 V	100mA						100nA (ICBO)	2 NPN - Pre-polarizzato (doppio) (emettitore accoppiato)	300 mV a 250 µA, 5 mA	120 a 1 mA, 5 V	250 MHz	10kOhm	-
RN4902,LF(CT	0,2800	Richiesta di offerta	2	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN4902		200 mW	US6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																				50 V	100mA						500nA	1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	50 a 10 mA, 5 V	200 MHz	10kOhm	10kOhm
RN1965FE(TE85L,F)	0,1000	Richiesta di offerta	20	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	RN1965		100 mW	ES6	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	4.000																				50 V	100mA						100nA (ICBO)	2 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	250 MHz	2,2 kOhm	47kOhm
TW030Z120C,S1F	30.4100	Richiesta di offerta	120	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo	175°C	Foro passante	TO-247-4		SiC (transistor alla giunzione al carburo di silicio)		TO-247-4L(X)	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN	1200 V	60A (Tc)	18 V	41 mOhm a 30 A, 18 V	5 V a 13 mA	82 nC a 18 V	+25 V, -10 V	2925 pF a 800 V	-	249 W(Tc)
2SK3320-BL(TE85L,F	0,7500	Richiesta di offerta	72	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	125°C (TJ)	Montaggio superficiale	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	2SK3320		200 mW	USV	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN								13 pF a 10 V															6 mA a 10 V	200 mV a 100 nA
TK30E06N1,S1X	0,9400	Richiesta di offerta	6995	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVIII-H	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	TK30E06	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	60 V	43A (Ta)	10 V	15 mOhm a 15 A, 10 V	4 V a 200 µA	16 nC a 10 V	±20 V	1050 pF a 30 V	-	53 W (Tc)
RN1905FE,LF(CT	0,2700	Richiesta di offerta	458	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	RN1905		100 mW	ES6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	4.000																				50 V	100mA						500nA	2 NPN - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	250 MHz	2,2 kOhm	47kOhm
RN2970FE(TE85L,F)	-	Richiesta di offerta	8747	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	RN2970		100 mW	ES6	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	4.000																				50 V	100mA						100nA (ICBO)	2 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	120 a 1 mA, 5 V	200 MHz	4,7 kOhm	10kOhm
RN4991(T5L,F,T)	0,0394	Richiesta di offerta	3	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN4991		200 mW	US6	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																				50 V	100mA						100μA (ICBO)	1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	120 a 1 mA, 5 V	250 MHz, 200 MHz	10kOhm	-
CMS16(TE12L,Q,M)	0,6600	Richiesta di offerta	1	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOD-128	CMS16	Schottky		M-PIATTO (2,4x3,8)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0080	3.000	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												40 V	550 mV a 3 A		200 µA a 40 V	-40°C~150°C	3A	-
2SK2989,F(J	-	Richiesta di offerta	9148	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto		Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo	2SK2989			TO-92MOD	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	1				5A(Tj)
1SV282TPH3F	0,0886	Richiesta di offerta	1657	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	125°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-79, SOD-523	1SV282			ESC	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0080	4.000																			3 pF a 25 V, 1 MHz			Separare	34 V												12.5	C2/C25	-