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Prodotti a semiconduttore discreti(2909)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Rottura (V(BR)GSS)	Corrente - Assorbimento (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Tensione - Interruzione (VGS disattivato) @ Id	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)	Assorbimento di corrente (Id) -Max
CRY91(TE85L,Q,M)	-	Richiesta di offerta	2201	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±10%	-40°C~150°C	Montaggio superficiale	SOD-123F	CRY91		700 mW	S-PIATTO (1,6x3,5)	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0050	3.000																	1 V a 200 mA		10 µA a 5,5 V										9,1 V	30 Ohm
SSM6N7002BFU(T5L,F	-	Richiesta di offerta	3812	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro tagliato (CT)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SSM6N7002	MOSFET (ossido di metallo)	300 mW	US6	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 canali N (doppio)			60 V	200mA		2,1 Ohm a 500 mA, 10 V	3,1 V a 250 µA	-		17 pF a 25 V	Porta a livello logico
HN1A01F-Y(TE85L,F)	-	Richiesta di offerta	3952	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro tagliato (CT)	Attivo		125°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457	HN1A01		300 mW	SM6	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																							50 V	150mA				100nA (ICBO)			2 PNP (doppio)	300 mV a 10 mA, 100 mA	120 a 2 mA, 6 V	80 MHz
TK7A45DA(STA4,Q,M)	1.4000	Richiesta di offerta	5114	Toshiba Semiconduttori e storage	π-MOSVII	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	TK7A45	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SIS	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN	450 V	6,5A(Ta)	10 V	1,2 Ohm a 3,3 A, 10 V	4,4 V a 1 mA	11 nC a 10 V	±30 V	540 pF a 25 V	-	35 W (Tc)
CES520,L3F	0,1800	Richiesta di offerta	16	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	SC-79, SOD-523	CES520	Schottky		ESC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0070	8.000		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità													30 V		600 mV a 200 mA		5 µA a 30 V	125°C (massimo)	200mA	17 pF a 0 V, 1 MHz
2SA965-Y,F(J	-	Richiesta di offerta	3433	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo	2SA965		900 mW	TO-92MOD	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	1																							120 V	800 mA				100nA (ICBO)			PNP	1 V a 50 mA, 500 mA	80 a 100 mA, 5 V	120 MHz
TK17A80W,S4X	3.8400	Richiesta di offerta	28	Toshiba Semiconduttori e storage	DTMOSIV	Tubo	Attivo		150°C	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	TK17A80	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SIS	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN	800 V	17A (Ta)	10 V	290 mOhm a 8,5 A, 10 V	4 V a 850 µA	32 nC a 10 V	±20 V	2050 pF a 300 V	-	45 W (Tc)
1SS362FV,L3F	0,2000	Richiesta di offerta	140	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	SOT-723	1SS362	Standard		VESM	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0070	8.000		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità												Connessione in serie da 1 paio	80 V	100mA	1,2 V a 100 mA	4nn	500 nA a 80 V	150°C (massimo)
HN1B04F(TE85L,F)	-	Richiesta di offerta	3334	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457	HN1B04		300 mW	SM6	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	3.000																							30 V	500mA				100nA (ICBO)			PNP, PNP	250mV a 10mA, 100mA	70 a 100 mA, 1 V	200 MHz
TRS12E65C,S1Q	-	Richiesta di offerta	6681	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Obsoleto			Foro passante	TO-220-2	TRS12E65	SiC (carburo di silicio) Schottky		TO-220-2L	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0080	50		Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)													650 V		1,7 V a 12 A	0 ns	90 µA a 170 V	175°C (massimo)	12A	65 pF a 650 V, 1 MHz
SSM3J372R,LF	0,4400	Richiesta di offerta	334	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVI	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C	Montaggio superficiale	SOT-23-3 Derivazioni piatte	SSM3J372	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	3.000			Canale P	30 V	6A (Ta)	1,8 V, 10 V	42 mOhm a 5 A, 10 V	1,2 V a 1 mA	8,2 nC a 4,5 V	+12V, -6V	560 pF a 15 V	-	1 W (Ta)
RN4988(T5L,F,T)	-	Richiesta di offerta	6086	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN4988		200 mW	US6	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																							50 V	100mA				100μA (ICBO)			1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	250 MHz, 200 MHz	22kOhm	47kOhm
2SC5171(LBS2MATQ,M	-	Richiesta di offerta	8910	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	2SC5171		2 W	TO-220NIS	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0075	1																							180 V	2A				5μA (ICBO)			NPN	1 V a 100 mA, 1 A	100 a 100 mA, 5 V	200 MHz
RN1302,LF	0,2600	Richiesta di offerta	2	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	RN1302		100 mW	SC-70	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	3.000																							50 V	100 mA				500nA			NPN - Prepolarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	50 a 10 mA, 5 V	250 MHz	10 kOhm	10 kOhm
RN1405,LXHF	0,3400	Richiesta di offerta	6	Toshiba Semiconduttori e storage	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	RN1405		200 mW	S-Mini	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																							50 V	100 mA				500nA			NPN - Prepolarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	250 MHz	2,2 kOhm	47 kOhm
2SA1162-GR,LXHF	0,3900	Richiesta di offerta	454	Toshiba Semiconduttori e storage	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		125°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			200 mW	S-Mini	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																							50 V	150 mA				100nA (ICBO)			PNP	300 mV a 10 mA, 100 mA	200 a 2 mA, 6 V	80 MHz
RN1112CT(TPL3)	-	Richiesta di offerta	9061	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Montaggio superficiale	SC-101, SOT-883	RN1112		50 mW	CST3	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	10.000																							20 V	50 mA				100nA (ICBO)			NPN - Prepolarizzato	150 mV a 250 µA, 5 mA	300 a 1 mA, 5 V		22 kOhm
HN1D02F(TE85L,F)	0,4700	Richiesta di offerta	9292	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457	HN1D02	Standard		SM6	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0070	3.000		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità												Catodo comune a 2 coppie	80 V	100mA	1,2 V a 100 mA	4nn	500 nA a 80 V	-55°C ~ 125°C
2SC3665-Y(T2NSW,FM	-	Richiesta di offerta	1068	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	SC-71	2SC3665		1 W	MSTM	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0075	1																							120 V	800 mA				100nA (ICBO)			NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	80 a 100 mA, 5 V	120 MHz
TTD1509B,Q(S	-	Richiesta di offerta	2966	Toshiba Semiconduttori e storage	*	Tubo	Attivo					TTD1509				scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0075	250
1SS387CT,L3F	0,2400	Richiesta di offerta	129	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	SOD-882	1SS387	Standard		CST2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0070	10.000		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità													80 V		1,2 V a 100 mA	4nn	500 nA a 80 V	150°C (massimo)	100mA	0,5 pF a 0 V, 1 MHz
TK16J60W5,S1VQ	5.2000	Richiesta di offerta	32	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo		150°C	Foro passante	TO-3P-3, SC-65-3	TK16J60	MOSFET (ossido di metallo)		TO-3P(N)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	25			CanaleN	600 V	15,8A(Ta)	10 V	230 mOhm a 7,9 A, 10 V	4,5 V a 790 µA	43 nC a 10 V	±30 V	1350 pF a 300 V	-	130 W(Tc)
TRS8A65F,S1Q	3.6600	Richiesta di offerta	139	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo			Foro passante	TO-220-2 Pacchetto completo	TRS8A65	SiC (carburo di silicio) Schottky		TO-220F-2L	-				EAR99	8541.10.0080	50		Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)													650 V		1,6 V a 8 A	0 ns	40 µA a 650 V	175°C (massimo)	8A	28 pF a 650 V, 1 MHz
2SC5886A,L1XHQ(O	-	Richiesta di offerta	7632	Toshiba Semiconduttori e storage	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo					2SC5886				scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	2.000
RN1130MFV,L3F	0,1000	Richiesta di offerta	8	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	SOT-723	RN1130		150 mW	VESM	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	8.000																							50 V	100 mA				500nA			NPN - Prepolarizzato	300 mV a 500 µA, 5 mA	100 a 10 mA, 5 V	250 MHz	100 kOhm	100 kOhm
2SK208-Y(TE85L,F)	0,4900	Richiesta di offerta	7	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		125°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2SK208		100 mW	S-Mini	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000			CanaleN								8,2 pF a 10 V														50 V	1,2 mA a 10 V	400 mV a 100 nA										6,5mA
2SC2235-Y(MBSH1,FM	-	Richiesta di offerta	5908	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo	2SC2235		900 mW	TO-92MOD	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	1																							120 V	800 mA				100nA (ICBO)			NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	80 a 100 mA, 5 V	120 MHz
2SC2229-Y(T6MIT1FM	-	Richiesta di offerta	1667	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo	2SC2229		800 mW	TO-92MOD	scaricamento		1 (illimitato)	2SC2229YT6MIT1FM	EAR99	8541.21.0075	1																							150 V	50 mA				100nA (ICBO)			NPN	500 mV a 1 mA, 10 mA	70 a 10 mA, 5 V	120 MHz
TPCC8136.LQ	-	Richiesta di offerta	7165	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVI	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	TPCC8136	MOSFET (ossido di metallo)		8-TSON Avanzato (3.1x3.1)	-		1 (illimitato)	264-TPCC8136.LQTR	EAR99	8541.29.0095	3.000			Canale P	20 V	9,4A (Ta)	1,8 V, 4,5 V	16 mOhm a 9,4 A, 4,5 V	1,2 V a 1 mA	36 nC a 5 V	±12V	2350 pF a 10 V	-	700 mW (Ta), 18 W (Tc)
SSM3K35CTC,L3F	0,3200	Richiesta di offerta	109	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSIII	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-101, SOT-883	SSM3K35	MOSFET (ossido di metallo)		CST3C	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	10.000			CanaleN	20 V	250mA (Ta)	1,2 V, 4,5 V	1,1 Ohm a 150 mA, 4,5 V	1 V a 100 µA	0,34 nC a 4,5 V	±10 V	36 pF a 10 V	-	500mW (Ta)