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Prodotti a semiconduttore discreti(2909)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Velocità	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
TK4A60DA(STA4,Q,M)	-	Richiesta di offerta	8479	Toshiba Semiconduttori e storage	π-MOSVII	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	TK4A60		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SIS	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		600 V	3,5A(Ta)	10 V	2,2 Ohm a 1,8 A, 10 V	4,4 V a 1 mA	11 nC a 10 V	±30 V	490 pF a 25 V	-	-
CMS30I30A(TE12L,QM	0,5900	Richiesta di offerta	2	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	SOD-128	CMS30		Schottky		M-PIATTO (2,4x3,8)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.10.0080	3.000	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)														30 V		490 mV a 3 A		100 µA a 30 V	150°C (massimo)	3A	82 pF a 10 V, 1 MHz
2SA1020-O(F,M)	-	Richiesta di offerta	4526	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo	2SA1020			900 mW	TO-92MOD	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0075	1																								50 V	2A					1μA (ICBO)			PNP	500 mV a 50 mA, 1 A	70 a 500 mA, 2 V	100 MHz
TK40E06N1,S1X	1.0400	Richiesta di offerta	9091	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVIII-H	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	TK40E06		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		60 V	40A (Ta)	10 V	10,4 mOhm a 20 A, 10 V	4 V a 300 µA	23 nC a 10 V	±20 V	1700 pF a 30 V	-	67 W(Tc)
TK28A65W,S5X	5.0100	Richiesta di offerta	34	Toshiba Semiconduttori e storage	DTMOSIV	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	TK28A65		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SIS	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		650 V	27,6A(Ta)	10 V	110 mOhm a 13,8 A, 10 V	3,5 V a 1,6 mA	75 nC a 10 V	±30 V	3000 pF a 300 V	-	45 W (Tc)
RN1118(T5L,F,T)	-	Richiesta di offerta	3198	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Montaggio superficiale	SC-75, SOT-416	RN1118			100 mW	SSM	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0075	3.000																								50 V	100 mA					500nA			NPN - Prepolarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	50 a 10 mA, 5 V	250 MHz	47 kOhm	10 kOhm
2SC5200-O(Q)	3.0600	Richiesta di offerta	2325	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-3PL	2SC5200			150 W	TO-3P(L)	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	EAR99	8541.29.0075	100																								230 V	15A					5μA (ICBO)			NPN	3 V a 800 mA, 8 A	80 a 1 A, 5 V	30 MHz
TK7E80W,S1X	2.8500	Richiesta di offerta	8245	Toshiba Semiconduttori e storage	DTMOSIV	Tubo	Attivo		150°C	Foro passante	TO-220-3	TK7E80		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		800 V	6,5A(Ta)	10 V	950 mOhm a 3,3 A, 10 V	4 V a 280 µA	13 nC a 10 V	±20 V	700 pF a 300 V	-	110 W (Tc)
HN1C03F-B(TE85L,F)	0,1485	Richiesta di offerta	6796	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457	HN1C03			300 mW	SM6	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0095	3.000																								20 V	300mA					100nA (ICBO)			2 NPN (doppio)	100 mV a 3 mA, 30 mA	350 a 4 mA, 2 V	30 MHz
RN2113,LXHF(CT	0,0624	Richiesta di offerta	9067	Toshiba Semiconduttori e storage	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	SC-75, SOT-416	RN2113			100 mW	SSM	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0095	3.000																								50 V	100 mA					100nA (ICBO)			PNP - Prepolarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	120 a 1 mA, 5 V	200 MHz	47 kOhm
SSM3J358R,LF	0,4700	Richiesta di offerta	3	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVII	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-3 Derivazioni piatte	SSM3J358		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P		20 V	6A (Ta)	1,8 V, 8 V	22,1 mOhm a 6 A, 8 V	1 V@1 mA	38,5 nC a 8 V	±10 V	1331 pF a 10 V	-	1 W (Ta)
GT40WR21,Q	11.0200	Richiesta di offerta	7358	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Vassoio	Attivo		175°C (TJ)	Foro passante	TO-3P-3, SC-65-3		Standard		375 W	TO-3P(N)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	100			-																				-	1350 V	40A	80A	5,9 V a 15 V, 40 A	-	-
TPH7R506NH,L1Q	1.4700	Richiesta di offerta	26	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVIII-H	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	TPH7R506		MOSFET (ossido di metallo)		Avanzamento 8-SOP (5x5)	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN		60 V	22A (Ta)	10 V	7,5 mOhm a 11 A, 10 V	4 V a 300 µA	31 nC a 10 V	±20 V	2320 pF a 30 V	-	1,6 W (Ta), 45 W (Tc)
TBAV70,LM	0,2100	Richiesta di offerta	280	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	SOT-23-3 Derivazioni piatte	TBAV70		Standard		SOT-23-3	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.10.0070	3.000	Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)													1 paio di catodo comune	80 V	215 mA				-
RN2308(TE85L,F)	0,2700	Richiesta di offerta	2	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	RN2308			100 mW	SC-70	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0075	3.000																								50 V	100 mA					500nA			PNP - Prepolarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	200 MHz	22 kOhm	47 kOhm
TK7P60W,RVQ	1.8400	Richiesta di offerta	9031	Toshiba Semiconduttori e storage	DTMOSIV	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	TK7P60		MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	2.000		CanaleN		600 V	7A (Ta)	10 V	600 mOhm a 3,5 A, 10 V	3,7 V a 350 µA	15 nC a 10 V	±30 V	490 pF a 300 V	-	60 W (Tc)
TK13A45D(STA4,Q,M)	2.4700	Richiesta di offerta	9513	Toshiba Semiconduttori e storage	π-MOSVII	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	TK13A45		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220SIS	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		450 V	13A (Ta)	10 V	460 mOhm a 6,5 A, 10 V	4 V a 1 mA	25 nC a 10 V	±30 V	1350 pF a 25 V	-	45 W (Tc)
CUHS20F30,H3F	0,3600	Richiesta di offerta	10	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	2-SMD, cavo piatto	CUHS20		Schottky		US2H	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.10.0080	3.000	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)														30 V		470 mV a 2 A		60 µA a 30 V	150°C (massimo)	2A	380pF a 0 V, 1 MHz
TTB1020B,S4X(S	-	Richiesta di offerta	8142	Toshiba Semiconduttori e storage	*	Tubo	Attivo					TTB1020					scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	50
CMF04(TE12L,Q,M)	0,5300	Richiesta di offerta	2	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	SOD-128	CMF04		Standard		M-PIATTO (2,4x3,8)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.10.0070	3.000	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)														800 V		2,5 V a 500 mA	100 n	50 µA a 800 V	-40°C~150°C	500mA	-
HN2D02FU,LF	0,4000	Richiesta di offerta	310	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	HN2D02		Standard		US6	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	EAR99	8541.10.0070	3.000	Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità													3 Indipendente	80 V	80 mA	1,2 V a 100 mA	4nn	500 nA a 80 V	125°C (massimo)
SSM3K361R,LXHF	0,6400	Richiesta di offerta	5	Toshiba Semiconduttori e storage	Automobilistico, AEC-Q101, U-MOSVIII-H	Nastro e bobina (TR)	Attivo		175°C	Montaggio superficiale	SOT-23-3 Derivazioni piatte			MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		100 V	3,5A(Ta)	4,5 V, 10 V	69 mOhm a 2 A, 10 V	2,5 V a 100 µA	3,2 nC a 4,5 V	±20 V	430 pF a 15 V	-	1,2 W (Ta)
2SC6042,T2WNLQ(J	-	Richiesta di offerta	6294	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	SC-71	2SC6042			1 W	MSTM	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	1																								375 V	1A					100μA (ICBO)			NPN	1 V a 100 mA, 800 mA	100 a 100 mA, 5 V	-
2SA1761,T6F(J	-	Richiesta di offerta	8513	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo	2SA1761			900 mW	TO-92MOD	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0075	1																								50 V	3A					100nA (ICBO)			PNP	500 mV a 75 mA, 1,5 A	120 a 100 mA, 2 V	100 MHz
2SC2655-Y(T6CN,A,F	-	Richiesta di offerta	8602	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo	2SC2655			900 mW	TO-92MOD	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0075	1																								50 V	2A					1μA (ICBO)			NPN	500 mV a 50 mA, 1 A	70 a 500 mA, 2 V	100 MHz
RN4983,LXHF(CT	0,4400	Richiesta di offerta	2	Toshiba Semiconduttori e storage	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN4983			200 mW	US6	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0095	3.000																								50 V	100mA					500nA			1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	70 a 10 mA, 5 V	250 MHz, 200 MHz	22kOhm	22kOhm
TPC6901(TE85L,F,M)	-	Richiesta di offerta	6955	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6	TPC6901			400 mW	VS-6 (2,9x2,8)	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.21.0095	3.000																								50 V	1A, 700mA					100nA (ICBO)			PNP, PNP	170mV a 6mA, 300mA / 230mV a 10mA, 300mA	400 a 100 mA, 2 V / 200 a 100 mA, 2 V	-
1SS403E,L3F	0,3200	Richiesta di offerta	4	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	SC-79, SOD-523	1SS403		Standard		ESC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.10.0070	8.000	Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità														200 V		1,2 V a 100 mA	60 ns	1 µA a 200 V	150°C (massimo)	100mA	3pF @ 0V, 1MHz
CMZ20(TE12L,Q,M)	0,5400	Richiesta di offerta	3	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±10%	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOD-128	CMZ20			2 W	M-PIATTO (2,4x3,8)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	EAR99	8541.10.0050	3.000																	1,2 V a 200 mA		10 µA a 14 V												20 V	30 Ohm
TPN1110ENH,L1Q	1.6800	Richiesta di offerta	1291	Toshiba Semiconduttori e storage	U-MOSVIII-H	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	TPN1110		MOSFET (ossido di metallo)		8-TSON Avanzato (3.1x3.1)	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN		200 V	7,2A(Ta)	10 V	114 mOhm a 3,6 A, 10 V	4 V a 200 µA	7 nC a 10 V	±20 V	600 pF a 100 V	-	700 mW (Ta), 39 W (Tc)