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Prodotti a semiconduttore discreti(2909)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Corrente: max Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Tipo di diodo Tensione - Picco inverso (max) Corrente - Interruzione collettore (max) Resistenza @ Se, F Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2)
CRG01(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG01(TE85L,Q,M) -
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 ECAD 9551 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale SOD-123F CRG01 Standard S-PIATTO (1,6x3,5) - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 100 V 1,1 V a 700 mA 10 µA a 100 V -40°C~150°C 700mA -
2SK2962,T6WNLF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962,T6WNLF(M -
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 ECAD 5951 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto Foro passante TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo 2SK2962 TO-92MOD scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0095 1 1A(Tj)
2SA1362-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1362-GR,LF 0,4000
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 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1362 200 mW S-Mini scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0075 3.000 15 V 800 mA 100nA (ICBO) PNP 200mV a 8mA, 400mA 200 a 100 mA, 1 V 120 MHz
RN2114MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2114MFV,L3F 0,2000
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 ECAD 7888 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOT-723 RN2114 150 mW VESM scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0095 8.000 50 V 100 mA 500nA PNP - Prepolarizzato 300 mV a 500 µA, 5 mA 50 a 10 mA, 5 V 1 kOhm 10 kOhm
SSM6N58NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N58NU,LF 0,4600
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 ECAD 139 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-WDFN Tampone esposto SSM6N58 MOSFET (ossido di metallo) 1 W 6-UDFN (2x2) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.29.0095 3.000 2 canali N (doppio) 30 V 4A 84 mOhm a 2 A, 4,5 V 1 V@1 mA 1,8 nC a 4,5 V 129 pF a 15 V Porta a livello logico, azionamento da 1,8 V
TDTC143Z,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC143Z,LM 0,1800
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 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TDTC143 320 mW SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA NPN - Prepolarizzato 300 mV a 500 µA, 10 mA 80 a 10 mA, 5 V 250 MHz 4,7 kOhm
2SA1930(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930(Q,M) -
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 ECAD 3597 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo 2SA1930 2 W TO-220NIS scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.29.0075 500 180 V 2A 5μA (ICBO) PNP 1 V a 100 mA, 1 A 100 a 100 mA, 5 V 200 MHz
TK4P55D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK4P55D(T6RSS-Q) -
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 ECAD 5025 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage π-MOSVII Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 TK4P55 MOSFET (ossido di metallo) D-Pak scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TK4P55DT6RSSQ EAR99 8541.29.0095 2.000 CanaleN 550 V 4A (Ta) 10 V 1,88 Ohm a 2 A, 10 V 4,4 V a 1 mA 11 nC a 10 V ±30 V 490 pF a 25 V - 80 W (Tc)
1SS381,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS381,L3F 0,0540
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 ECAD 6469 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 125°C (TJ) SC-79, SOD-523 1SS381 ESC scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0070 8.000 100 mA 1,2 pF a 6 V, 1 MHz PIN: singolo 30 V 900 mOhm a 2 mA, 100 MHz
RN2904FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2904FE,LXHF(CT 0,3800
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 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOT-563, SOT-666 RN2904 100 mW ES6 scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0095 4.000 50 V 100mA 500nA 2 PNP - Prepolarizzato (doppio) 300 mV a 250 µA, 5 mA 80 a 10 mA, 5 V 200 MHz 47kOhm 47kOhm
RN1108(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1108(T5L,F,T) 0,2300
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 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-75, SOT-416 RN1108 100 mW SSM scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA NPN - Prepolarizzato 300 mV a 250 µA, 5 mA 80 a 10 mA, 5 V 250 MHz 22 kOhm 47 kOhm
TPCA8023-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8023-H(TE12LQM -
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 ECAD 3367 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN TPCA8023 MOSFET (ossido di metallo) Avanzamento 8-SOP (5x5) scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 30 V 21A (Ta) 4,5 V, 10 V 12,9 mOhm a 11 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 21 nC a 10 V ±20 V 2150 pF a 10 V - 1,6 W (Ta), 30 W (Tc)
RN1306,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1306,LXHF 0,3900
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 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 RN1306 100 mW SC-70 scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500nA NPN - Prepolarizzato 300 mV a 250 µA, 5 mA 80 a 10 mA, 5 V 200 MHz 4,7 kOhm 47 kOhm
1SS360(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS360(T5L,F,T) -
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 ECAD 2413 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale SC-75, SOT-416 1SS360 Standard SSM scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0070 3.000 Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità 1 paio di anodo comune 80 V 100mA 1,2 V a 100 mA 4nn 500 nA a 80 V 125°C (massimo)
RN2424(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2424(TE85L,F) 0,4100
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 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2424 200 mW S-Mini scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 800 mA 500nA PNP - Prepolarizzato 250 mV a 1 mA, 50 mA 90 a 100 mA, 1 V 200 MHz 10 kOhm 10 kOhm
RN2408,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2408,LXHF 0,3400
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 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2408 200 mW S-Mini scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500nA PNP - Prepolarizzato 300 mV a 250 µA, 5 mA 80 a 10 mA, 5 V 200 MHz 22 kOhm 47 kOhm
RN2402,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2402,LF 0,2200
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 ECAD 6149 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2402 200 mW S-Mini scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA PNP - Prepolarizzato 300 mV a 250 µA, 5 mA 50 a 10 mA, 5 V 200 MHz 10 kOhm 10 kOhm
RN1704,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1704,LF 0,3000
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 ECAD 210 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1704 200 mW USV scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100mA 500nA 2 NPN - Prepolarizzato (doppio) 300 mV a 250 µA, 5 mA 80 a 10 mA, 5 V 250 MHz 47kOhm 47kOhm
TK14C65W5,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK14C65W5,S1Q -
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 ECAD 2691 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage DTMOSIV Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA TK14C65 MOSFET (ossido di metallo) I2PAK scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 650 V 13,7A(Ta) 10 V 300 mOhm a 6,9 A, 10 V 4,5 V a 690 µA 40 nC a 10 V ±30 V 1300 pF a 300 V - 130 W(Tc)
RN2107MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2107MFV,L3F(CT 0,1800
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 ECAD 16 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOT-723 RN2107 150 mW VESM scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0095 8.000 50 V 100 mA 500nA PNP - Prepolarizzato 300 mV a 500 µA, 5 mA 80 a 10 mA, 5 V 10 kOhm 47 kOhm
BAS516,H3F Toshiba Semiconductor and Storage BAS516,H3F 0,1800
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 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-79, SOD-523 BAS516 Standard ESC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0070 4.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 100 V 1,25 V a 150 mA 3 nn 200 nA a 80 V 150°C (massimo) 250 mA 0,35 pF a 0 V, 1 MHz
SSM6N55NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N55NU,LF 0,4400
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 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-WDFN Tampone esposto SSM6N55 MOSFET (ossido di metallo) 1 W 6μDFN (2x2) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.29.0095 3.000 2 canali N (doppio) 30 V 4A 46 mOhm a 4 A, 10 V 2,5 V a 100 µA 2,5 nC a 4,5 V 280 pF a 15 V Porta a livello logico
JDP4P02AT(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage JDP4P02AT(TE85L) -
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 ECAD 5762 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) 4-SMD, senza piombo JDP4P02 CST4 (1,2x0,8) scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0070 4.000 50 mA 0,4 pF a 1 V, 1 MHz PIN - 2 Indipendenti 30 V 1,5 Ohm a 10 mA, 100 MHz
2SA949-Y(T6JVC1,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y(T6JVC1,FM -
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 ECAD 6789 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo 2SA949 800 mW TO-92MOD scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0075 1 150 V 50 mA 100nA (ICBO) PNP 800 mV a 1 mA, 10 A 70 a 10 mA, 5 V 120 MHz
RN1403,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1403,LF 0,2200
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 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1403 200 mW S-Mini scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA NPN - Prepolarizzato 300 mV a 250 µA, 5 mA 70 a 10 mA, 5 V 250 MHz 22 kOhm 22 kOhm
RN2304,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2304,LXHF 0,3900
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 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 RN2304 100 mW SC-70 scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA PNP - Prepolarizzato 300 mV a 250 µA, 5 mA 80 a 10 mA, 5 V 200 MHz 47 kOhm 47 kOhm
RN1418(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1418(TE85L,F) 0,3400
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 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1418 200 mW S-Mini scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA NPN - Prepolarizzato 300 mV a 250 µA, 5 mA 50 a 10 mA, 5 V 250 MHz 47 kOhm 10 kOhm
RN1105MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1105MFV,L3F(CT 0,1800
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 ECAD 38 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOT-723 RN1105 150 mW VESM scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0095 8.000 50 V 100 mA 500nA NPN - Prepolarizzato 300 mV a 500 µA, 5 mA 80 a 10 mA, 5 V 2,2 kOhm 47 kOhm
CBS10F40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CBS10F40,L3F 0,4300
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 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOD-882 CBS10F40 Schottky CST2B scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 10.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 40 V 700 mV a 1 A 20 µA a 40 V 150°C (massimo) 1A 74 pF a 0 V, 1 MHz
2SC4207-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4207-Y(TE85L,F) 0,3500
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 ECAD 49 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo 125°C (TJ) Montaggio superficiale SC-74A, SOT-753 2SC4207 300 mW SMV scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 150mA 100nA (ICBO) 2 coppie abbinate NPN (doppia), emettitore comune 250mV a 10mA, 100mA 120 a 2 mA, 6 V 80 MHz
  • Daily average RFQ Volume

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  • Standard Product Unit

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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