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Prodotti a semiconduttore discreti(181)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Voltaggio: nominale Temperatura operativa Applicazioni Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Corrente nominale (Amp) Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Tipo di transistor
ALD810018SCLI Advanced Linear Devices Inc. ALD810018SCLI 5.5750
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 ECAD 4536 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. SAB™ Tubo Attivo 10,6 V Bilanciamento automatico dei supercondensatori Montaggio superficiale 16-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) ALD810018 16-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 50 80 mA 4 canali N
ALD114913SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD114913SAL 5.3400
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 ECAD 242 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. EPAD® Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) ALD114913 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1014-1066 EAR99 8541.21.0095 50 Coppia abbinata a 2 canali N (doppia). 10,6 V 12 mA, 3 mA 500 Ohm a 2,7 V 1,26 V a 1 µA - 2,5 pF a 5 V Modalità di esaurimento
ALD1110EPAL Advanced Linear Devices Inc. ALD1110EPAL 6.8234
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 ECAD 6708 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. EPAD® Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) ALD1110 MOSFET (ossido di metallo) 600 mW 8-PDIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 50 Coppia abbinata a 2 canali N (doppia). 10 V - 500 Ohm a 5 V 1,01 V a 1 µA - 2,5 pF a 5 V -
ALD910023SALI Advanced Linear Devices Inc. ALD910023SALI 5.3628
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 ECAD 4517 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. SAB™ Tubo Attivo 10,6 V Bilanciamento automatico dei supercondensatori Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) ALD910023 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 50 80 mA 2 canali N (doppio)
ALD810027SCLI Advanced Linear Devices Inc. ALD810027SCLI 5.8548
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 ECAD 2419 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. SAB™ Tubo Attivo 10,6 V Bilanciamento automatico dei supercondensatori Montaggio superficiale 16-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) ALD810027 16-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 50 80 mA 4 canali N
ALD114935PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD114935PAL 6.0054
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 ECAD 3158 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. EPAD® Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) ALD114935 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 8-PDIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1014-1067 EAR99 8541.21.0095 50 Coppia abbinata a 2 canali N (doppia). 10,6 V 12 mA, 3 mA 540 Ohm a 0 V 3,45 V a 1 µA - 2,5 pF a 5 V Modalità di esaurimento
ALD212904SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD212904SAL 5.6228
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 ECAD 1634 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. EPAD®, Soglia Zero™ Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) ALD212904 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 50 Coppia abbinata a 2 canali N (doppia). 10,6 V 80 mA - 20mV a 10μA - - Porta a livello logico
ALD910026SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD910026SAL 5.5900
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 ECAD 111 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. SAB™ Tubo Attivo 10,6 V Bilanciamento automatico dei supercondensatori Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) ALD910026 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 50 80 mA 2 canali N (doppio)
ALD1108EPCL Advanced Linear Devices Inc. ALD1108EPCL -
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 ECAD 2223 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. EPAD® Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Foro passante 16 DIP (0,300", 7,62 mm) ALD1108 MOSFET (ossido di metallo) 600 mW 16-PDIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 50 4 canali N, coppia abbinata 10 V - 500 Ohm a 5 V 1,01 V a 1 µA - 25 pF a 5 V -
ALD110904PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD110904PAL 5.6464
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 ECAD 5212 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. EPAD® Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) ALD110904 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 8-PDIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1014-1036 EAR99 8541.21.0095 50 Coppia abbinata a 2 canali N (doppia). 10,6 V 12 mA, 3 mA 500 Ohm a 4,4 V 420mV a 1μA - 2,5 pF a 5 V -
ALD110914SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD110914SAL 4.7014
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 ECAD 9699 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. EPAD® Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) ALD110914 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1014-1043 EAR99 8541.21.0095 50 Coppia abbinata a 2 canali N (doppia). 10,6 V 12 mA, 3 mA 500 Ohm a 5,4 V 1,42 V a 1 µA - 2,5 pF a 5 V -
ALD910017SALI Advanced Linear Devices Inc. ALD910017SALI 5.3628
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 ECAD 7115 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. SAB™ Tubo Attivo 10,6 V Bilanciamento automatico dei supercondensatori Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) ALD910017 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 50 80 mA 2 canali N (doppio)
ALD114904SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD114904SAL 5.1500
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 ECAD 29 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. EPAD® Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) ALD114904 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1014-1064 EAR99 8541.21.0095 50 Coppia abbinata a 2 canali N (doppia). 10,6 V 12 mA, 3 mA 500 Ohm a 3,6 V 360 mV a 1 µA - 2,5 pF a 5 V Modalità di esaurimento
ALD1107PBL Advanced Linear Devices Inc. ALD1107PBL 6.6500
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 ECAD 323 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. - Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Foro passante 14 DIP (0,300", 7,62 mm) ALD1107 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 14-PDIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1014-1014 EAR99 8541.21.0095 50 4 canali P, coppia abbinata 10,6 V - 1800 Ohm a 5 V 1 V a 1 µA - 3 pF a 5 V -
ALD110802PCL Advanced Linear Devices Inc. ALD110802PCL 6.5006
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 ECAD 2566 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. EPAD® Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Foro passante 16 DIP (0,300", 7,62 mm) ALD110802 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 16-PDIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1014-1020 EAR99 8541.21.0095 50 4 canali N, coppia abbinata 10,6 V - 500 Ohm a 4,2 V 220mV a 1μA - 2,5 pF a 5 V -
ALD1101BSAL Advanced Linear Devices Inc. ALD1101BSAL 6.6082
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 ECAD 5829 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. - Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) ALD1101 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1014-1217 EAR99 8541.21.0095 50 Coppia abbinata a 2 canali N (doppia). 10,6 V 40mA - - - - -
ALD210802PCL Advanced Linear Devices Inc. ALD210802PCL 6.3498
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 ECAD 1824 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. EPAD®, Soglia Zero™ Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Foro passante 16 DIP (0,300", 7,62 mm) ALD210802 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 16-PDIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 50 4 canali N, coppia abbinata 10,6 V 80 mA - 20mV a 10μA - - Porta a livello logico
ALD212900ASAL Advanced Linear Devices Inc. ALD212900ASAL 6.1776
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 ECAD 1333 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. EPAD®, Soglia Zero™ Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) ALD212900 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1014-1211 EAR99 8541.21.0095 50 Coppia abbinata a 2 canali N (doppia). 10,6 V 80 mA 14Ohm 10mV a 20μA - 30 pF a 5 V Porta a livello logico
ALD114904PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD114904PAL 5.8118
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 ECAD 4355 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. EPAD® Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) ALD114904 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 8-PDIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1014-1063 EAR99 8541.21.0095 50 Coppia abbinata a 2 canali N (doppia). 10,6 V 12 mA, 3 mA 500 Ohm a 3,6 V 360 mV a 1 µA - 2,5 pF a 5 V Modalità di esaurimento
ALD1102APAL Advanced Linear Devices Inc. ALD1102APAL 9.8096
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 ECAD 3830 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. - Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) ALD1102 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 8-PDIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1014-1004 EAR99 8541.21.0095 50 Coppia abbinata di 2 canali P (doppi). 10,6 V - 270 Ohm a 5 V 1,2 V a 10 µA - - -
ALD114813SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD114813SCL 5.8826
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 ECAD 3801 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. EPAD® Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Montaggio superficiale 16-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) ALD114813 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 16-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1014-1058 EAR99 8541.21.0095 50 4 canali N, coppia abbinata 10,6 V 12 mA, 3 mA 500 Ohm a 2,7 V 1,26 V a 1 µA - 2,5 pF a 5 V Modalità di esaurimento
ALD212904PAL Advanced Linear Devices Inc. ALD212904PAL 5.6826
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 ECAD 2870 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. EPAD®, Soglia Zero™ Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) ALD212904 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 8-PDIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 50 Coppia abbinata a 2 canali N (doppia). 10,6 V 80 mA - 20mV a 10μA - - Porta a livello logico
ALD212908APAL Advanced Linear Devices Inc. ALD212908APAL 8.6100
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 ECAD 1848 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. EPAD®, Soglia Zero™ Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) ALD212908 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 8-PDIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 50 Coppia abbinata a 2 canali N (doppia). 10,6 V 80 mA - 20mV a 10μA - - Porta a livello logico
ALD212908ASAL Advanced Linear Devices Inc. ALD212908ASAL 7.7706
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 ECAD 7134 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. EPAD®, Soglia Zero™ Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) ALD212908 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 50 Coppia abbinata a 2 canali N (doppia). 10,6 V 80 mA - 20mV a 10μA - - Porta a livello logico
ALD910027SALI Advanced Linear Devices Inc. ALD910027SALI 5.3812
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 ECAD 2901 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. SAB™ Tubo Attivo 10,6 V Bilanciamento automatico dei supercondensatori Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) ALD910027 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 50 80 mA 2 canali N (doppio)
ALD910016SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD910016SAL 4.2762
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 ECAD 2329 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. SAB™ Tubo Attivo 10,6 V Bilanciamento automatico dei supercondensatori Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) ALD910016 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1014-1276-5 EAR99 8541.21.0095 50 80 mA 2 canali N (doppio)
ALD1101ASAL Advanced Linear Devices Inc. ALD1101ASAL 9.4700
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 ECAD 46 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. - Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) ALD1101 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1014-1001 EAR99 8541.21.0095 50 Coppia abbinata a 2 canali N (doppia). 10,6 V - 75 Ohm a 5 V 1 V a 10 µA - - -
ALD210800PCL Advanced Linear Devices Inc. ALD210800PCL 6.9310
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 ECAD 4458 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. EPAD®, Soglia Zero™ Tubo Attivo 0°C ~ 70°C (TJ) Foro passante 16 DIP (0,300", 7,62 mm) ALD210800 MOSFET (ossido di metallo) 500 mW 16-PDIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1014-1213 EAR99 8541.21.0095 50 4 canali N, coppia abbinata 10,6 V 80 mA 25Ohm 20mV a 10μA - 15 pF a 5 V Porta a livello logico
ALD810030SCLI Advanced Linear Devices Inc. ALD810030SCLI 6.8000
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 ECAD 34 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. SAB™ Nastro e bobina (TR) Attivo - Bilanciamento automatico dei supercondensatori Montaggio superficiale 16-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) ALD810030 16-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 50 80 mA 4 canali N
ALD910019SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD910019SAL 5.0400
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 ECAD 50 0.00000000 Dispositivi lineari avanzati Inc. SAB™ Tubo Attivo 10,6 V Bilanciamento automatico dei supercondensatori Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) ALD910019 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1014-1279-5 EAR99 8541.21.0095 50 80 mA 2 canali N (doppio)
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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