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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Potenza: max | Ingresso | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Tipo FET | Condizione di prova | Guadagno | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Corrente - Collettore pulsato (Icm) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Cambiare energia | Carica di cancello | Td (acceso/spento) @ 25°C | Corrente - Interruzione collettore (max) | Termistore NTC | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Figura di rumore (dB tipo @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N5338AE3/TR8 | - | ![]() | 5524 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5338 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V a 1 A | 1 µA a 1 V | 5,1 V | 1,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5333B/TR13 | - | ![]() | 6146 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 300 µA a 1 V | 3,3 V | 3 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ9.1D2E3/TR12 | - | ![]() | 9964 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ9.1 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 3 µA a 7 V | 9,1 V | 2,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ190D5E3/TR12 | - | ![]() | 7462 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ190 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 144,8 V | 190 V | 825 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ82D2/TR12 | - | ![]() | 6761 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ82 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 62,2 V | 82 V | 95 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5954AG | 3.4050 | ![]() | 6987 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±10% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5954 | 1,25 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 121,6 V | 160 V | 700 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UFT7130A | - | ![]() | 5593 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio a vite | Modulo | Standard | Modulo | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 300 V | 35A | 1,2 V a 35 A | 60 ns | 25 µA a 300 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5249A (DO-35) | 1.6400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N5249 | 500 mW | DO-35 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V a 200 mA | 100 nA a 14 V | 19 V | 23 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ12D10E3/TR12 | - | ![]() | 3196 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ12 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 9,1 V | 12 V | 4,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PMT5922AE3/TR7 | - | ![]() | 9747 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1PMT5922 | 3 W | DO-216AA | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 6 V | 7,5 V | 3 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ100D10/TR12 | - | ![]() | 3435 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ100 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 76 V | 100 V | 175 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ19D10/TR12 | - | ![]() | 9103 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ19 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 14,4 V | 19 V | 7 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1EZ140D2/TR12 | - | ![]() | 8454 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1EZ140 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 106,4 V | 140 V | 1100 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5920AE3/TR13 | - | ![]() | 6451 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG5920 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 4 V | 6,2 V | 2 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT50GS60BRDLG | - | ![]() | 1328 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | APT50GS60 | Standard | 415 W | TO-247 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V, 50 A, 4,7 Ohm, 15 V | TNP | 600 V | 93A | 195A | 3,15 V a 15 V, 50 A | 755μJ (spento) | 235 nC | 16ns/225ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5949AE3/TR13 | - | ![]() | 8266 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG5949 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 76 V | 100 V | 250 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1214-220M | - | ![]() | 6618 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | 200°C (TJ) | Montaggio su telaio | 55ST | 700 W | 55ST | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 7,4dB | 70 V | 20A | NPN | 10 a 1 A, 5 V | 1,2GHz~1,4GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5015S | - | ![]() | 7327 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/727 | Massa | Obsoleto | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo | 1 W | TO-39 (TO-205AD) | - | RoHS non conforme | Non applicabile | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 1000 V | 200 mA | 10nA (ICBO) | NPN | 1,8 V a 5 mA, 20 mA | 30 a 20 mA, 10 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N4979DUS | 30.7500 | ![]() | 7981 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/435 | Massa | Attivo | ±1% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | SQ-MELF, E | 1N4979 | 5 W | D-5B | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 1 A | 2 µA a 56 V | 75 V | 55 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ7.5D5E3/TR8 | - | ![]() | 8737 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ7.5 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 5 V | 7,5 V | 2 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5913BPE3/TR8 | - | ![]() | 7781 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5913 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 100 µA a 1 V | 3,3 V | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ3.6DE3/TR12 | - | ![]() | 4722 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ3.6 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 3,6 V | 5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTM100H80FT1G | - | ![]() | 9861 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP1 | APTM100 | MOSFET (ossido di metallo) | 208 W | SP1 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 canali N (mezzo ponte) | 1000 V (1 kV) | 11A | 960 mOhm a 9 A, 10 V | 5 V a 1 mA | 150 nC a 10 V | 3876pF a 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4730AP/TR8 | - | ![]() | 2726 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4730 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 50 µA a 1 V | 3,9 V | 9 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5916CG | 6.0300 | ![]() | 8415 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±2% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5916 | 1,25 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 1 V | 4,3 V | 6 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGF90DA60TG | - | ![]() | 8081 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP4 | 416 W | Standard | SP4 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Separare | TNP | 600 V | 110A | 2,5 V a 15 V, 90 A | 250 µA | SÌ | 4,3 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N7228U | - | ![]() | 8973 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/592 | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-267AB | MOSFET (ossido di metallo) | TO-267AB | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 500 V | 12A (Tc) | 10 V | 515 mOhm a 12 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 120 nC a 10 V | ±20 V | - | 4 W (Ta), 150 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG4754A/TR13 | - | ![]() | 2905 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG4754 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 29,7 V | 39 V | 60 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 64042 | - | ![]() | 1124 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Non applicabile | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ47D2E3/TR12 | - | ![]() | 5926 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ47 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 35,8 V | 47 V | 40 Ohm |

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