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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Potenza: max Ingresso Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Condizione di prova Guadagno Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Collettore pulsato (Icm) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Cambiare energia Carica di cancello Td (acceso/spento) @ 25°C Corrente - Interruzione collettore (max) Termistore NTC Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt) Capacità di ingresso (Cies) @ Vce Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Figura di rumore (dB tipo @ f)
1N5338AE3/TR8 Microsemi Corporation 1N5338AE3/TR8 -
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ECAD 5524 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±10% -65°C ~ 150°C Foro passante T-18, assiale 1N5338 5 W T-18 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.000 1,2 V a 1 A 1 µA a 1 V 5,1 V 1,5 Ohm
SMBJ5333B/TR13 Microsemi Corporation SMBJ5333B/TR13 -
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ECAD 6146 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-214AA, PMI 5 W SMBJ (DO-214AA) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 1 A 300 µA a 1 V 3,3 V 3 Ohm
3EZ9.1D2E3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ9.1D2E3/TR12 -
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ECAD 9964 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 3EZ9.1 3 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 3 µA a 7 V 9,1 V 2,5 Ohm
2EZ190D5E3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ190D5E3/TR12 -
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ECAD 7462 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ190 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 500 nA a 144,8 V 190 V 825 Ohm
3EZ82D2/TR12 Microsemi Corporation 3EZ82D2/TR12 -
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ECAD 6761 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 3EZ82 3 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 500 nA a 62,2 V 82 V 95 Ohm
1N5954AG Microsemi Corporation 1N5954AG 3.4050
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ECAD 6987 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Attivo ±10% -65°C ~ 175°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N5954 1,25 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1 1,2 V a 200 mA 1 µA a 121,6 V 160 V 700 Ohm
UFT7130A Microsemi Corporation UFT7130A -
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ECAD 5593 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto Montaggio a vite Modulo Standard Modulo - 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 1 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di anodo comune 300 V 35A 1,2 V a 35 A 60 ns 25 µA a 300 V
1N5249A (DO-35) Microsemi Corporation 1N5249A (DO-35) 1.6400
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ECAD 1 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±10% -65°C ~ 175°C Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale 1N5249 500 mW DO-35 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 1,5 V a 200 mA 100 nA a 14 V 19 V 23 Ohm
2EZ12D10E3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ12D10E3/TR12 -
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ECAD 3196 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±10% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ12 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 1 µA a 9,1 V 12 V 4,5 Ohm
1PMT5922AE3/TR7 Microsemi Corporation 1PMT5922AE3/TR7 -
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ECAD 9747 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±10% -55°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-216AA 1PMT5922 3 W DO-216AA scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 5 µA a 6 V 7,5 V 3 Ohm
2EZ100D10/TR12 Microsemi Corporation 2EZ100D10/TR12 -
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ECAD 3435 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±10% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ100 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 500 nA a 76 V 100 V 175 Ohm
3EZ19D10/TR12 Microsemi Corporation 3EZ19D10/TR12 -
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ECAD 9103 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±10% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 3EZ19 3 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 500 nA a 14,4 V 19 V 7 Ohm
1EZ140D2/TR12 Microsemi Corporation 1EZ140D2/TR12 -
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ECAD 8454 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1EZ140 1 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 500 nA a 106,4 V 140 V 1100 Ohm
SMBG5920AE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG5920AE3/TR13 -
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ECAD 6451 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±10% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI SMBG5920 2 W SMBG (DO-215AA) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 5 µA a 4 V 6,2 V 2 Ohm
APT50GS60BRDLG Microsemi Corporation APT50GS60BRDLG -
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ECAD 1328 0.00000000 Microsemi Corporation - Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 APT50GS60 Standard 415 W TO-247 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 400 V, 50 A, 4,7 Ohm, 15 V TNP 600 V 93A 195A 3,15 V a 15 V, 50 A 755μJ (spento) 235 nC 16ns/225ns
SMBG5949AE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG5949AE3/TR13 -
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ECAD 8266 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±10% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI SMBG5949 2 W SMBG (DO-215AA) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 1 µA a 76 V 100 V 250 Ohm
1214-220M Microsemi Corporation 1214-220M -
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ECAD 6618 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto 200°C (TJ) Montaggio su telaio 55ST 700 W 55ST scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 1 7,4dB 70 V 20A NPN 10 a 1 A, 5 V 1,2GHz~1,4GHz -
2N5015S Microsemi Corporation 2N5015S -
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ECAD 7327 0.00000000 Microsemi Corporation Militare, MIL-PRF-19500/727 Massa Obsoleto -65°C ~ 200°C (TJ) Foro passante TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo 1 W TO-39 (TO-205AD) - RoHS non conforme Non applicabile EAR99 8541.29.0095 1 1000 V 200 mA 10nA (ICBO) NPN 1,8 V a 5 mA, 20 mA 30 a 20 mA, 10 V -
JANTX1N4979DUS Microsemi Corporation JANTX1N4979DUS 30.7500
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ECAD 7981 0.00000000 Microsemi Corporation Militare, MIL-PRF-19500/435 Massa Attivo ±1% -65°C ~ 175°C Montaggio superficiale SQ-MELF, E 1N4979 5 W D-5B scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1 1,5 V a 1 A 2 µA a 56 V 75 V 55 Ohm
2EZ7.5D5E3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ7.5D5E3/TR8 -
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ECAD 8737 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ7.5 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 5 µA a 5 V 7,5 V 2 Ohm
1N5913BPE3/TR8 Microsemi Corporation 1N5913BPE3/TR8 -
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ECAD 7781 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N5913 1,5 W DO-204AL (DO-41) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 100 µA a 1 V 3,3 V 10 Ohm
3EZ3.6DE3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ3.6DE3/TR12 -
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ECAD 4722 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±20% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 3EZ3.6 3 W DO-204AL (DO-41) - 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 3,6 V 5 Ohm
APTM100H80FT1G Microsemi Corporation APTM100H80FT1G -
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ECAD 9861 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Montaggio su telaio SP1 APTM100 MOSFET (ossido di metallo) 208 W SP1 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 4 canali N (mezzo ponte) 1000 V (1 kV) 11A 960 mOhm a 9 A, 10 V 5 V a 1 mA 150 nC a 10 V 3876pF a 25V -
1N4730AP/TR8 Microsemi Corporation 1N4730AP/TR8 -
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ECAD 2726 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N4730 1 W DO-204AL (DO-41) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 50 µA a 1 V 3,9 V 9 Ohm
1N5916CG Microsemi Corporation 1N5916CG 6.0300
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ECAD 8415 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Attivo ±2% -65°C ~ 175°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N5916 1,25 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1 1,2 V a 200 mA 5 µA a 1 V 4,3 V 6 Ohm
APTGF90DA60TG Microsemi Corporation APTGF90DA60TG -
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ECAD 8081 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Interrotto alla SIC -40°C ~ 150°C (TJ) Montaggio su telaio SP4 416 W Standard SP4 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.29.0095 1 Separare TNP 600 V 110A 2,5 V a 15 V, 90 A 250 µA 4,3 nF a 25 V
JAN2N7228U Microsemi Corporation JAN2N7228U -
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ECAD 8973 0.00000000 Microsemi Corporation Militare, MIL-PRF-19500/592 Massa Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-267AB MOSFET (ossido di metallo) TO-267AB scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 500 V 12A (Tc) 10 V 515 mOhm a 12 A, 10 V 4 V a 250 µA 120 nC a 10 V ±20 V - 4 W (Ta), 150 W (Tc)
SMBG4754A/TR13 Microsemi Corporation SMBG4754A/TR13 -
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ECAD 2905 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI SMBG4754 2 W SMBG (DO-215AA) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 5 µA a 29,7 V 39 V 60 Ohm
64042 Microsemi Corporation 64042 -
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ECAD 1124 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto - Non applicabile OBSOLETO 0000.00.0000 1
2EZ47D2E3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ47D2E3/TR12 -
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ECAD 5926 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ47 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 500 nA a 35,8 V 47 V 40 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock