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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N5337AE3/TR8 | - | ![]() | 3055 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5337 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V a 1 A | 5 µA a 1 V | 4,7 V | 2 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ12D/TR12 | - | ![]() | 9739 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ12 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 9,1 V | 12 V | 4,5 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N4689 (DO35) | - | ![]() | 7447 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N4689 | 500 mW | DO-35 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 10 µA a 3 V | 5,1 V | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ4.7D2/TR8 | - | ![]() | 7260 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ4.7 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 1 V | 4,7 V | 4,5 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N5913BG | 3.0300 | ![]() | 3939 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5913 | 1,25 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 100 µA a 1 V | 3,3 V | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5933B/TR13 | - | ![]() | 1901 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG5933 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 16,7 V | 22 V | 17,5 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N5952CP/TR12 | - | ![]() | 4729 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5952 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 98,8 V | 130 V | 450 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | MC5616 | - | ![]() | 9683 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | Foro passante | S, assiale | MC5616 | Standard | S, assiale | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 3000 V | 6 V a 100 mA | 300 n | 1 µA a 3000 V | -65°C ~ 150°C | 570mA | - | |||||||||||||||||||
![]() | 1N5948BP/TR12 | - | ![]() | 4498 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5948 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 69,2 V | 91 V | 200 ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ200DE3/TR8 | - | ![]() | 9329 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ200 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 152 V | 200 V | 900 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4732AP/TR8 | - | ![]() | 8644 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4732 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 1 V | 4,7 V | 8 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | SBR8050E3 | - | ![]() | 8996 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Interrotto alla SIC | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | Schottky | DO-203AB | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 50 V | 740 mV a 80 A | 2 mA a 50 V | -65°C ~ 175°C | 80A | - | |||||||||||||||||||||
| JANTXV1N4614D-1 | - | ![]() | 5944 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/435 | Massa | Obsoleto | ±1% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 500 mW | DO-35 (DO-204AH) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 3,5 µA a 1 V | 1,8 V | 1200 Ohm | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5932DG | 7.5450 | ![]() | 4925 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±1% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5932 | 1,25 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 15,2 V | 20 V | 14 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N5939APE3/TR12 | - | ![]() | 9564 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5939 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 29,7 V | 39 V | 45 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | 689-4D, 4N, 4P | - | ![]() | 8427 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | ND | 689-4 | Standard | ND | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | Connessione in serie da 1 paio | 400 V | 15A | 1,2 V a 10 A | 500 n | 10 µA a 400 V | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | SMBG4749A/TR13 | - | ![]() | 6540 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG4749 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 18,2 V | 24 V | 25 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ12D2E3/TR12 | - | ![]() | 5521 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ12 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 9,1 V | 12 V | 4,5 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | SMBG4761A/TR13 | - | ![]() | 2389 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG4761 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 56 V | 75 V | 175 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | MS109/TR8 | - | ![]() | 8035 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | MS109 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 90 V | 810 mV a 1 A | 100 µA a 90 V | -55°C ~ 175°C | 1A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | APT1204R7KFLLG | - | ![]() | 5351 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | POWERMOS7® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220 [K] | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 1200 V | 3,5 A (TC) | 10 V | 4,7 Ohm a 1,75 A, 10 V | 5 V a 1 mA | 31 nC a 10 V | ±30 V | 715 pF a 25 V | - | 135 W(Tc) | |||||||||||||||||
| JANTX1N4491CUS | 38.7300 | ![]() | 1023 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/406 | Massa | Attivo | ±1% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | SQ-MELF, A | 1N4491 | 1,5 W | D-5A | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V a 200 mA | 250 nA a 96 V | 120 V | 400 ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | MSCD120-12 | - | ![]() | 1036 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | D1 | Standard | D1 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | Connessione in serie da 1 paio | 1200 V | 120A | 1,43 V a 300 A | 6 mA a 1200 V | |||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ4741C/TR13 | - | ![]() | 6147 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | SMBJ4741 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 8,4 V | 11 V | 8 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N4762ADO41E3 | - | ![]() | 8828 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4762 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 62,2 V | 82 V | 200 ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | FST16045A | - | ![]() | 5354 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio a vite | Base isolata TO-249AA | Schottky | TO-249 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 45 V | 80A | 740 mV a 80 A | 2 mA a 45 V | |||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG4731E3/TR13 | - | ![]() | 6328 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG4731 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 1 V | 4,3 V | 9 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | APT40SM120B | - | ![]() | 7432 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | SiCFET (carburo di silicio) | TO-247 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | CanaleN | 1200 V | 41A(Tc) | 20 V | 100 mOhm a 20 A, 20 V | 3 V a 1 mA (tip.) | 130 nC a 20 V | +25 V, -10 V | 2560 pF a 1000 V | - | 273 W(Tc) | |||||||||||||||||
![]() | 3EZ170D10/TR8 | - | ![]() | 5145 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ170 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 130,4 V | 170 V | 650 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ17D5/TR12 | - | ![]() | 5915 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ17 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 13 V | 17 V | 6 Ohm |

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