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Prodotti a semiconduttore discreti(6716)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Corrente - Mantenimento (Ih) (Max)	Condizione di prova	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo Triac	Tensione - Stato spento	Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max)	Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm)	Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max)	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
1N5337E3/TR13	-	Richiesta di offerta	2803	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±20%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	T-18, assiale	1N5337			5 W	T-18	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.250																									1,2 V a 1 A		5 µA a 1 V															4,7 V	2 Ohm
JANTX1N6629U	-	Richiesta di offerta	9427	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/590	Massa	Interrotto alla SIC			Montaggio superficiale	SQ-MELF, E			Standard		D-5B	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0080	100		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																					800 V		1,4 V a 1,4 A	50 n	2 µA a 800 V	-65°C ~ 150°C	1,4A	-
3EZ43D5E3/TR8	-	Richiesta di offerta	4318	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	3EZ43			3 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																									1,2 V a 200 mA		500 nA a 32,7 V															43 V	33 Ohm
3EZ62D2E3/TR8	-	Richiesta di offerta	1679	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	3EZ62			3 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																									1,2 V a 200 mA		500 nA a 47,1 V															62 V	55 Ohm
1EZ130D2E3/TR8	-	Richiesta di offerta	2291	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1EZ130			1 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																									1,2 V a 200 mA		500 nA a 98,8 V															130 V	910 Ohm
2EZ47D5	-	Richiesta di offerta	6834	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	2EZ47			2 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																									1,2 V a 200 mA		500 nA a 35,8 V															47 V	40 Ohm
MSDM100-18	-	Richiesta di offerta	5950	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo			Standard		M2-1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0080	1																									1,9 V a 300 A		500 µA a 1800 V		100A										Tre fasi	1,8kV
2EZ15D2E3/TR8	-	Richiesta di offerta	8678	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	2EZ15			2 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																									1,2 V a 200 mA		500 nA a 11,4 V															15 V	7 Ohm
APT50GP60LDLG	-	Richiesta di offerta	1742	Microsemi Corporation	-	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-264-3, TO-264AA	APT50GP60	Standard		625 W	TO-264	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1					400 V, 50 A, 4,3 Ohm, 15 V																										P.T	600 V	150A	190A	2,7 V a 15 V, 50 A	456μJ (acceso), 635μJ (spento)	165 nC	19ns/85ns
2EZ180D10/TR8	-	Richiesta di offerta	3612	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±10%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	2EZ180			2 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																									1,2 V a 200 mA		500 nA a 136,8 V															180 V	725 Ohm
1N4893A	-	Richiesta di offerta	6780	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AA, DO-7, assiale	1N4893			400 mW	DO-7	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	100																																										6,35 V	10 Ohm
APTM50AM70FT1G	-	Richiesta di offerta	6015	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1	APTM50		MOSFET (ossido di metallo)	390 W	SP1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (mezzo ponte)						500 V	50A		84 mOhm a 42 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	340 nC a 10 V		10800 pF a 25 V	-
1N4762PE3/TR12	-	Richiesta di offerta	7706	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±10%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N4762			1 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																									1,2 V a 200 mA		5 µA a 62,2 V															82 V	200 ohm
1EZ190D5/TR12	-	Richiesta di offerta	7973	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±5%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1EZ190			1 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																									1,2 V a 200 mA		500 nA a 144,8 V															190 V	1700 Ohm
UTV8100B	-	Richiesta di offerta	8059	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55RT				290 W	55RT	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1						8,5dB~9,5dB																										60 V	15A											NPN		20 a 1 A, 5 V	470 MHz~860 MHz	-
1N5388BE3/TR8	-	Richiesta di offerta	8467	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±5%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	T-18, assiale	1N5388			5 W	T-18	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.000																									1,2 V a 1 A		500 nA a 144 V															200 V	480 Ohm
SMBG4749E3/TR13	-	Richiesta di offerta	3905	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±10%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI	SMBG4749			2 W	SMBG (DO-215AA)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																									1,2 V a 200 mA		5 µA a 18,2 V															24 V	25 Ohm
1PMT4622C/TR13	-	Richiesta di offerta	9890	Microsemi Corporation	POWERMITE®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-216AA				1 W	DO-216	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	12.000																									1,1 V a 200 mA		5 µA a 2 V															3,9 V	1650 Ohm
JANTX2N685	-	Richiesta di offerta	7260	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-65°C ~ 125°C (TJ)	Montaggio a perno	TO-208AA, TO-48-3, Prigioniero					TO-208AA (TO-48)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.30.0080	1	Separare			50 mA													Standard	200 V	3 V	-	35 mA
2N6796U	-	Richiesta di offerta	7583	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	18-CLCC			MOSFET (ossido di metallo)		18-ULCC (9,14x7,49)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1			CanaleN				100 V	8A (Tc)	10 V	180 mOhm a 5 A, 10 V	4 V a 250 mA	6,34 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW (Ta), 25 W (Tc)
1N5386A/TR12	-	Richiesta di offerta	8571	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±10%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	T-18, assiale	1N5386			5 W	T-18	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																									1,2 V a 1 A		500 nA a 130 V															180 V	430 Ohm
1N4731CPE3/TR12	-	Richiesta di offerta	6458	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N4731			1 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																									1,2 V a 200 mA		10 µA a 1 V															4,3 V	9 Ohm
2EZ110D5/TR12	-	Richiesta di offerta	3174	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±5%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	2EZ110			2 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																									1,2 V a 200 mA		500 nA a 83,6 V															110 V	250 Ohm
SD1013	-	Richiesta di offerta	2080	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		200°C (TJ)	Montaggio su telaio	M135				13 W	M135	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	OBSOLETO	0000.00.0000	1						10dB																										35 V	1A											NPN		10 a 200 mA, 5 V	150 MHz	-
SPB10045E3	-	Richiesta di offerta	7923	Microsemi Corporation	-	Tubo	Obsoleto			Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC	SPB100		Schottky		SOT-227	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0080	1		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																				2 Indipendente	45 V	100A	570 mV a 100 A		5 mA a 45 V
TAN500	-	Richiesta di offerta	2261	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55ST				2500W	55ST	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1						9dB																										75 V	50A											NPN		20 a 1 A, 5 V	960 MHz ~ 1.215 GHz	-
SMBG5920CE3/TR13	-	Richiesta di offerta	1486	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI	SMBG5920			2 W	SMBG (DO-215AA)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																									1,2 V a 200 mA		5 µA a 4 V															6,2 V	2 Ohm
2EZ82DE3/TR8	-	Richiesta di offerta	3014	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±20%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	2EZ82			2 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																									1,2 V a 200 mA		500 nA a 62,2 V															82 V	100 ohm
2EZ5.1D5DO41E3	-	Richiesta di offerta	7374	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	±5%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	2EZ5.1			2 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																									1,2 V a 200 mA		5 µA a 1 V															5,1 V	3,5 Ohm
JANTX2N3811U	-	Richiesta di offerta	9759	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/336	Massa	Obsoleto		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-78-6 Lattina di metallo	2N3811			350 mW	TO-78-6	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1																																60 V	50mA								10 µA (ICBO)			2 PNP (doppio)	250 mV a 100 µA, 1 mA	300 a 1 mA, 5 V	-