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Prodotti a semiconduttore discreti(6716)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Struttura | Ingresso | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Tipo FET | Corrente - Mantenimento (Ih) (Max) | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tensione - Stato spento | Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max) | Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm) | Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max) | Tensione - Stato attivo (Vtm) (max) | Corrente - Stato acceso (It (AV)) (Max) | Corrente - Stato spento (max) | Tipo SCR | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Numero di SCR, diodi | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Corrente - Interruzione collettore (max) | Termistore NTC | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Capacità di ingresso (Cies) @ Vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N4700 (DO35) | - |  | 4960 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N4700 | 500 mW | DO-35 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 50 nA a 9,8 V | 13 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MSTC25-12 | - | | 7960 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TJ) | Montaggio su telaio | Modulo | Collegamento in serie: tutti gli SCR | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | 200 mA | 1,2 kV | 2,5 V | 550A a 50Hz | 150 mA | 25A | 2SC | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JAN2N2325U4 | - | | 4212 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-STD-701 | Massa | Obsoleto | -65°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 3-SMD, senza piombo | U4 | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 2 mA | 150 V | 800 mV | 15 A a 60 Hz | 200 µA | 2,2 V | 1,6 A | 10 µA | Cancello sensibile | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4717 (DO35) | - | | 1140 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N4717 | 500 mW | DO-35 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 10 nA a 32,6 V | 43 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SMAJ4460E3/TR13 | - | | 6120 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | 1,5 W | DO-214AC (SMAJ) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 3,72 V | 6,2 V | 4 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMAJ4464E3/TR13 | - | | 8847 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | 1,5 W | DO-214AC (SMAJ) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V a 200 mA | 300 nA a 5,46 V | 9,1 V | 4 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N5934CG | 6.0300 | | 6174 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±2% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5934 | 1,25 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 18,2 V | 24 V | 19 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ11D5E3/TR8 | - | | 2368 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ11 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 8,4 V | 11 V | 4 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ10DE3/TR8 | - | | 8263 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ10 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 3 µA a 7,6 V | 10 V | 3,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ4.3D2E3/TR8 | - | | 8997 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ4.3 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 30 µA a 1 V | 4,3 V | 4,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1PMT5915A/TR13 | - | | 2058 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1PMT5915 | 3 W | DO-216AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V a 200 mA | 25 µA a 1 V | 3,9 V | 7,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ4.7D/TR12 | - | | 1767 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ4.7 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 20 µA a 1 V | 4,7 V | 4 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N4971C | 18.2550 | | 6370 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/435 | Massa | Attivo | ±2% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | E, assiale | 1N4971 | 5 W | E, assiale | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 1 A | 2 µA a 27,4 V | 36 V | 11 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT20F50S | - | | 1410 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | POWERMOS8™ | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-268-3, D³Pak (2 cavi + linguatta), TO-268AA | APT20F50 | MOSFET (ossido di metallo) | D3Pak | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 500 V | 20A (Tc) | 10 V | 300 mOhm a 10 A, 10 V | 5 V a 500 µA | 75 nC a 10 V | ±30 V | 2950 pF a 25 V | - | 290 W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
 | APT10043JVR | - | | 2867 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Tubo | Obsoleto | Montaggio su telaio | SOT-227-4, miniBLOC | MOSFET (ossido di metallo) | ISOTOP® | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 1000 V | 22A(Tj) | 430 mOhm a 500 mA, 10 V | 4 V a 1 mA | 480 nC a 10 V | 9000 pF a 25 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGF200DA120D3G | - | | 6103 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | Modulo D-3 | 1400 W | Standard | D3 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Separare | TNP | 1200 V | 300 A | 3,7 V a 15 V, 200 A | 5 mA | NO | 13 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ17D5E3/TR8 | - | | 1054 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ17 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 13 V | 17 V | 9 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5939BG | 3.4050 | | 9314 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5939 | 1,25 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 29,7 V | 39 V | 45 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ91DE3/TR8 | - | | 3478 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ91 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 69,2 V | 91 V | 115 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ15D2E3/TR12 | - | | 2865 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ15 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 11,4 V | 15 V | 7 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMBG5916AE3/TR13 | - | | 1685 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG5916 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 1 V | 4,3 V | 6 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ180D5/TR12 | - | | 2586 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ180 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 136,8 V | 180 V | 725 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ3.9D2E3/TR12 | - | | 4437 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ3.9 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 80 µA a 1 V | 3,9 V | 4,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N6800 | - | | 8784 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/557 | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-205AF Lattina di metallo | MOSFET (ossido di metallo) | TO-205AF (TO-39) | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 400 V | 3A (Tc) | 10 V | 1,1 Ohm a 3 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 34,75 nC a 10 V | ±20 V | - | 800 mW (Ta), 25 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ8.2D5/TR8 | - | | 5054 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ8.2 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 6 V | 8,2 V | 2,3 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM50DHM35G | - | | 4534 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP6 | APTM50 | MOSFET (ossido di metallo) | 781W | SP6 | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canali N (doppio) asimmetrico | 500 V | 99A | 39 mOhm a 49,5 A, 10 V | 5 V a 5 mA | 280nC a 10V | 14.000 pF a 25 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5335AE3/TR12 | - | | 8025 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5335 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 50 µA a 1 V | 3,9 V | 2 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5951CP/TR12 | - | | 9639 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5951 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 91,2 V | 120 V | 380 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5379A/TR8 | - | | 6508 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5379 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 79,2 V | 110 V | 125 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SMBJ4738C/TR13 | - | | 9047 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | SMBJ4738 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 6 V | 8,2 V | 4,5 Ohm |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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