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Prodotti a semiconduttore discreti(6716)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Struttura	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Corrente - Mantenimento (Ih) (Max)	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Stato spento	Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max)	Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm)	Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max)	Corrente - Stato attivo (It (AV)) (Max)	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Numero di SCR, diodi	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
2EZ33D5E3/TR12	-	Richiesta di offerta	2606	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	2EZ33		2 W			DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																								1,2 V a 200 mA		500 nA a 25,1 V											33 V	23 Ohm
1N5337AE3/TR13	-	Richiesta di offerta	6353	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±10%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	T-18, assiale	1N5337		5 W			T-18	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.250																								1,2 V a 1 A		5 µA a 1 V											4,7 V	2 Ohm
CPT50145D	-	Richiesta di offerta	4591	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto			Montaggio su telaio	TO-244AB		Schottky				TO-244AB	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0080	1		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																			Connessione in serie da 1 paio	45 V	250A	550 mV a 250 A		12 mA a 45 V
3EZ43D5/TR8	-	Richiesta di offerta	7066	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	3EZ43		3 W			DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																								1,2 V a 200 mA		500 nA a 32,7 V											43 V	33 Ohm
MSFC130-08	-	Richiesta di offerta	4445	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 125°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo				Collegamento in serie: SCR/diodo			-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1				400 mA												800 V	3 V	4700A a 50Hz	150 mA	130A										1 SCR, 1 diodo
JANTX2N6802	-	Richiesta di offerta	3743	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/557	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-205AF Lattina di metallo		MOSFET (ossido di metallo)				TO-205AF (TO-39)	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1			CanaleN			500 V	2,5 A (TC)	10 V	1,6 Ohm a 2,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	33 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW (Ta), 25 W (Tc)
UFT7260SM2D	-	Richiesta di offerta	8625	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto			Montaggio su telaio	M2		Standard				SM2	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0080	1		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																			Connessione in serie da 1 paio	600 V	35A	1,35 V a 35 A	75 ns	25 µA a 600 V
MSKD60-16	-	Richiesta di offerta	1900	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto			Montaggio su telaio	D1		Standard				D1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0080	1		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)																			1 paio di catodo comune	1600 V	60A	1,3 V a 200 A		5 mA a 1600 V
APT40M70JVFR	-	Richiesta di offerta	3255	Microsemi Corporation	POWER MOS V®	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC		MOSFET (ossido di metallo)				ISOTOP®	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1			CanaleN			400 V	53A(Tc)	10 V	70 mOhm a 26,5 A, 10 V	4 V a 2,5 mA	495 nC a 10 V	±30 V	8890 pF a 25 V	-	450 W(Tc)
APT2X30DC120J	-	Richiesta di offerta	9450	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto			Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC	APT2X30	SiC (carburo di silicio) Schottky				SOT-227	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0080	1		Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)																			2 Indipendente	1200 V	30A	1,8 V a 30 A	0 ns	600 µA a 1200 V
62144	-	Richiesta di offerta	7652	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto											-		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
JANTXV2N7224	-	Richiesta di offerta	2605	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/592	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (diritti conduttori)		MOSFET (ossido di metallo)				TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1			CanaleN			100 V	34A (Tc)	10 V	81 mOhm a 34 A, 10 V	4 V a 250 µA	125 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
CPT40090	-	Richiesta di offerta	6437	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto			Montaggio su telaio	TO-244AB		Schottky				TO-244AB	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0080	1		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																			1 paio di catodo comune	90 V	200A	890 mV a 200 A		5 mA a 90 V
HS18145	-	Richiesta di offerta	6190	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto			Montaggio su telaio	MEZZA PAK		Schottky				MEZZA PAK	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0080	1		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																				45 V		700 mV a 180 A		4 mA a 45 V		180A	7500pF a 5 V, 1 MHz
3EZ15D2E3/TR12	-	Richiesta di offerta	4426	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	3EZ15		3 W			DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																								1,2 V a 200 mA		500 nA a 11,4 V											15 V	5,5 Ohm
APTGF25A120T1G	-	Richiesta di offerta	9431	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-	Montaggio su telaio	SP1			208 W		Standard	SP1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte																														TNP	1200 V	40A	3,7 V a 15 V, 25 A	250 µA	SÌ			1,65 nF a 25 V
1N5917BG	3.0300	Richiesta di offerta	7401	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N5917		1,25 W			DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1																								1,2 V a 200 mA		5 µA a 1,5 V											4,7 V	5 Ohm
UMAF5818	-	Richiesta di offerta	7862	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Montaggio superficiale	Ultramite™	UMAF5818	Schottky				Ultramite™	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0080	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																				30 V		550 mV a 1 A		500 µA a 30 V	-50°C ~ 125°C	1A	-
FST60100	-	Richiesta di offerta	6206	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto			Montaggio su telaio	Variante TO-249-9, TO-249AA		Schottky				TO-249	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0080	1		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																			1 paio di catodo comune	100 V	60A	860 mV a 60 A		2 mA a 100 V
2EZ12D2E3/TR12	-	Richiesta di offerta	5521	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	2EZ12		2 W			DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																								1,2 V a 200 mA		1 µA a 9,1 V											12 V	4,5 Ohm
1N5336/TR12	-	Richiesta di offerta	2529	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±20%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	T-18, assiale	1N5336		5 W			T-18	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																								1,2 V a 1 A		10 µA a 1 V											4,3 V	2 Ohm
APTM100A23SCTG	-	Richiesta di offerta	7619	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4	APTM100	Carburo di silicio (SiC)	694W			SP4	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (mezzo ponte)					1000 V (1 kV)	36A		270 mOhm a 18 A, 10 V	5 V a 5 mA	308nC a 10V		8700 pF a 25 V	-
2EZ62D5DO41E3	-	Richiesta di offerta	1388	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	±5%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	2EZ62		2 W			DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																								1,2 V a 200 mA		500 nA a 47,1 V											62 V	60 Ohm
SMBG5918AE3/TR13	-	Richiesta di offerta	8989	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±10%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI	SMBG5918		2 W			SMBG (DO-215AA)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																								1,2 V a 200 mA		5 µA a 2 V											5,1 V	4 Ohm
3EZ11D5E3/TR12	-	Richiesta di offerta	6502	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	3EZ11		3 W			DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																								1,2 V a 200 mA		1 µA a 8,4 V											11 V	4 Ohm
UMIL3	-	Richiesta di offerta	4147	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		150°C (TJ)	Telaio, montaggio con perno	55 piedi			11 W			55 piedi	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1					11,8dB~13dB																											30 V	700mA							NPN		10 a 100 A, 5 V	225 MHz~400 MHz	-
1PMT5919/TR13	-	Richiesta di offerta	4643	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±20%	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-216AA	1PMT5919		3 W			DO-216AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	12.000																								1,2 V a 200 mA		5 µA a 3 V											5,6 V	2 Ohm
2N3960UB	-	Richiesta di offerta	4947	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo			400 mW			UB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	100																																12 V			10 µA (ICBO)					NPN	300 mV a 3 mA, 30 mA	60 a 10 mA, 1 V	-
SMBG4740AE3/TR13	-	Richiesta di offerta	6082	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±5%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI	SMBG4740		2 W			SMBG (DO-215AA)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																								1,2 V a 200 mA		10 µA a 7,6 V											10 V	7 Ohm
SMAJ4471CE3/TR13	-	Richiesta di offerta	3993	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-214AC, SMA			1,5 W			DO-214AC (SMAJ)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	7.500																								1,2 V a 200 mA		50 nA a 14,4 V											18 V	11 Ohm