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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Ingresso | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Guadagno | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Corrente - Interruzione collettore (max) | Termistore NTC | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | Tipo di transistor | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Figura di rumore (dB tipo @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SMBJ5382B/TR13 | - | ![]() | 4434 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | SMBJ5382 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 101 V | 140 V | 230 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5271BDO35 | - | ![]() | 7820 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Borsa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N5271 | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V a 200 mA | 100 nA a 76 V | 100 V | 500 ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG4731/TR13 | - | ![]() | 1297 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG4731 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 1 V | 4,3 V | 9 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTML202UM18R010T3AG | - | ![]() | 7447 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP3 | APTML202 | MOSFET (ossido di metallo) | 480W | SP3 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canali N (doppio) | 200 V | 109A(Tc) | 19 mOhm a 50 A, 10 V | 4 V a 2,5 mA | - | 9880 pF a 25 V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | APT2X51DC120J | - | ![]() | 1314 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | SOT-227-4, miniBLOC | APT2X51 | SiC (carburo di silicio) Schottky | SOT-227 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 2 Indipendente | 1200 V | 50A | 1,8 V a 50 A | 0 ns | 1 mA a 1200 V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ4759CE3/TR13 | - | ![]() | 8508 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | SMBJ4759 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 47,1 V | 62 V | 125 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5939CG | 6.7950 | ![]() | 2482 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±2% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5939 | 1,25 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 29,7 V | 39 V | 45 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGF25H120T2G | - | ![]() | 8075 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Montaggio su telaio | SP2 | 208 W | Standard | SP2 | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Invertitore a ponte intero | TNP | 1200 V | 40A | 3,7 V a 15 V, 25 A | 250 µA | SÌ | 1,65 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ43D5/TR12 | - | ![]() | 2794 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ43 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 32,7 V | 43 V | 35 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5380AE3/TR12 | - | ![]() | 7431 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5380 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 86,4 V | 120 V | 170 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4764P/TR12 | - | ![]() | 1779 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4764 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 76 V | 100 V | 350 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PMT5924AE3/TR13 | - | ![]() | 2846 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1PMT5924 | 3 W | DO-216AA | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 7 V | 9,1 V | 4 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
| SD1127 | - | ![]() | 7301 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | 200°C (TJ) | Foro passante | TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo | 8 W | TO-39 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | 12dB | 18 V | 640mA | NPN | 10 a 50 mA, 5 V | 175 MHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5262B (DO-35) | - | ![]() | 9069 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N5262 | 500 mW | DO-35 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 200 mA | 100 nA a 39 V | 51 V | 125 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ3.9D/TR8 | - | ![]() | 5995 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ3.9 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 30 µA a 1 V | 3,9 V | 5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ39D2/TR8 | - | ![]() | 9248 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ39 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 29,7 V | 39 V | 28 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1EZ140D5E3/TR12 | - | ![]() | 8510 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1EZ140 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 106,4 V | 140 V | 1100 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ8.2D5 | - | ![]() | 8224 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ8.2 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 6 V | 8,2 V | 2,3 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N4477CUS | 28.1550 | ![]() | 2903 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/406 | Massa | Attivo | ±2% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | SQ-MELF, A | 1N4477 | 1,5 W | D-5A | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V a 200 mA | 50 nA a 26,4 V | 33 V | 25 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5336BE3/TR13 | - | ![]() | 2930 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG5336 | 5 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 10 µA a 1 V | 4,3 V | 2 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ56D/TR8 | - | ![]() | 5950 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ56 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 42,6 V | 56 V | 55 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ100D/TR12 | - | ![]() | 8041 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ100 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 76 V | 100 V | 175 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4757 G | - | ![]() | 4226 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±10% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4757 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 38,8 V | 51 V | 95 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ75D2/TR8 | - | ![]() | 9329 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ75 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 56 V | 75 V | 85 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ91D5E3/TR12 | - | ![]() | 2500 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ91 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 69,2 V | 91 V | 115 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ16D2E3/TR8 | - | ![]() | 6788 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ16 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 12,2 V | 16 V | 5,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ33D10/TR12 | - | ![]() | 9163 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ33 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 25,1 V | 33 V | 20 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UFT14280 | - | ![]() | 6320 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio a vite | Base isolata TO-249AA | Standard | TO-249 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 800 V | 70A | 1,35 V a 70 A | 75 ns | 25 µA a 800 V | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5932A/TR13 | - | ![]() | 5259 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG5932 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 15,2 V | 20 V | 14 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ13D10E3/TR8 | - | ![]() | 1842 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ13 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 9,9 V | 13 V | 5 Ohm |

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