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Prodotti a semiconduttore discreti(6716)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
APTM120SK68T1G	-	Richiesta di offerta	7952	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto			-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1			MOSFET (ossido di metallo)		SP1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN					1200 V	15A (Tc)	10 V	816 mOhm a 12 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	260 nC a 10 V	±30 V	6696 pF a 25 V	-	357 W(Tc)
SMBG5949CE3/TR13	-	Richiesta di offerta	5620	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI	SMBG5949			2 W	SMBG (DO-215AA)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																		1,2 V a 200 mA	1 µA a 76 V					100 V	250 Ohm
MS2552	-	Richiesta di offerta	5724	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto			250°C (TJ)	Montaggio su telaio	2NLFL				880W	2NLFL	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	OBSOLETO	0000.00.0000	1						6,7dB														65 V	24A					NPN		15 a 1 A, 5 V	1,025 GHz ~ 1,15 GHz	-
2N6760	-	Richiesta di offerta	7171	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto			-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-204AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN					400 V	5,5 A (TC)	10 V	1,22 Ohm a 5,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	39 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 75 W (Tc)
SD1013-20H	-	Richiesta di offerta	4733	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto											-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
2N3866	-	Richiesta di offerta	4175	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo			-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo				1 W	TO-39 (TO-205AD)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1																				30 V	400 mA		20μA			NPN	1 V a 10 mA, 100 mA	15 a 50 mA, 5 V	-
APT55M50JFLL	-	Richiesta di offerta	2869	Microsemi Corporation	POWERMOS7®	Tubo	Obsoleto			-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC			MOSFET (ossido di metallo)		ISOTOP®	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	10		CanaleN					550 V	77A(Tc)	10 V	50 mOhm a 38,5 A, 10 V	5 V a 5 mA	265 nC a 10 V	±30 V	12.400 pF a 25 V	-	694 W(Tc)
2EZ11DE3/TR12	-	Richiesta di offerta	3487	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±20%		-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	2EZ11			2 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																		1,2 V a 200 mA	1 µA a 8,4 V					11 V	4 Ohm
1N5384B/TR12	-	Richiesta di offerta	6011	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±5%		-65°C ~ 150°C	Foro passante	T-18, assiale	1N5384			5 W	T-18	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																		1,2 V a 1 A	500 nA a 115 V					160 V	350 Ohm
SMBG4754E3/TR13	-	Richiesta di offerta	1246	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±10%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI	SMBG4754			2 W	SMBG (DO-215AA)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																		1,2 V a 200 mA	5 µA a 29,7 V					39 V	60 Ohm
2N5093	-	Richiesta di offerta	6197	Microsemi Corporation	*	Massa	Attivo						2N5093					-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1
1N5379BE3/TR13	-	Richiesta di offerta	8782	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±5%		-65°C ~ 150°C	Foro passante	T-18, assiale	1N5379			5 W	T-18	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.250																		1,2 V a 1 A	500 nA a 79,2 V					110 V	125 Ohm
APT5518BFLLG	-	Richiesta di offerta	7059	Microsemi Corporation	POWERMOS7®	Tubo	Obsoleto			-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN					550 V	31A(Tc)	10 V	180 mOhm a 15,5 A, 10 V	5 V a 1 mA	67 nC a 10 V	±30 V	3286 pF a 25 V	-	403 W(Tc)
APTM120A65FT1G	-	Richiesta di offerta	8074	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto			-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1	APTM120		MOSFET (ossido di metallo)	390 W	SP1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (mezzo ponte)						1200 V (1,2 kV)	16A		780 mOhm a 14 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	300 nC a 10 V		7736pF a 25V	-
3EZ130D/TR8	-	Richiesta di offerta	5008	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±20%		-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	3EZ130			3 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																		1,2 V a 200 mA	500 nA a 98,8 V					130 V	375 Ohm
1N5345B	-	Richiesta di offerta	8374	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%		-65°C ~ 150°C	Foro passante	T-18, assiale	1N5345			5 W	T-18	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																		1,2 V a 1 A	10 µA a 6,25 V					8,7 V	2 Ohm
MS2204	-	Richiesta di offerta	6641	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto			200°C (TJ)	Montaggio su telaio	M115				600 mW	M115	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0075	1						10,8dB														20 V	300mA					NPN		15 a 100 mA, 5 V	1,09GHz	-
MRF559T	-	Richiesta di offerta	2339	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto			-	-	-				2 W	-	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0075	1.000						9,5dB														16V	150mA					NPN		30 a 50 mA, 10 V	870 MHz	-
1N5955P/TR8	-	Richiesta di offerta	4666	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±20%		-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N5955			1,5 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																		1,2 V a 200 mA	1 µA a 136,8 V					180 V	900 Ohm
3EZ11D/TR8	-	Richiesta di offerta	9984	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±20%		-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	3EZ11			3 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																		1,2 V a 200 mA	1 µA a 8,4 V					11 V	4 Ohm
3EZ5.6D10E3/TR8	-	Richiesta di offerta	3090	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±10%		-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	3EZ5.6			3 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																		1,2 V a 200 mA	5 µA a 2 V					5,6 V	2,5 Ohm
1N5381A/TR8	-	Richiesta di offerta	7214	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±10%		-65°C ~ 150°C	Foro passante	T-18, assiale	1N5381			5 W	T-18	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.000																		1,2 V a 1 A	500 nA a 93,6 V					130 V	190 Ohm
1EZ180D2E3/TR8	-	Richiesta di offerta	4311	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%		-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1EZ180			1 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																		1,2 V a 200 mA	500 nA a 136,8 V					180 V	1500 Ohm
60189	-	Richiesta di offerta	1269	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto											-		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
ARF473	-	Richiesta di offerta	1017	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		500 V			-		130 MHz	MOSFET		-	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	OBSOLETO	0000.00.0000	1	Sorgente comune a 2 canali N (doppia).		10A	150 mA	300W	14dB											-					135 V
1N5956BPE3/TR12	-	Richiesta di offerta	7174	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±5%		-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N5956			1,5 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																		1,2 V a 200 mA	1 µA a 152 V					200 V	1200 Ohm