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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Ingresso | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Tipo FET | Corrente - Mantenimento (Ih) (Max) | Guadagno | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tensione - Stato spento | Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max) | Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm) | Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max) | Corrente - Stato acceso (It (AV)) (Max) | Tipo SCR | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (Max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Corrente - Interruzione collettore (max) | Termistore NTC | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | Tipo di transistor | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Figura di rumore (dB tipo @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 3EZ9.1D2/TR8 | - | ![]() | 6953 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ9.1 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 3 µA a 7 V | 9,1 V | 2,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N4982CUS | 24.6000 | ![]() | 5794 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/435 | Massa | Attivo | ±2% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | SQ-MELF, E | 1N4982 | 5 W | D-5B | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 1 A | 2 µA a 76 V | 100 V | 110 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTM100SK40T1G | - | ![]() | 4066 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP1 | MOSFET (ossido di metallo) | SP1 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 1000 V | 20A (Tc) | 10 V | 480 mOhm a 16 A, 10 V | 5 V a 2,5 mA | 260 nC a 10 V | ±30 V | 6800 pF a 25 V | - | 357 W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK310B/TR13 | - | ![]() | 1076 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | SK310 | Schottky | PMI (DO-214AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 850 mV a 3 A | 500 µA a 100 V | -55°C ~ 125°C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSAD200-18 | - | ![]() | 2494 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | D2 | Standard | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 1800 V | 200A | 1,3 V a 300 A | 9 mA a 1800 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5954AP/TR12 | - | ![]() | 1804 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5954 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 121,6 V | 160 V | 700 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N4957DUS | 32.2500 | ![]() | 3510 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/435 | Massa | Attivo | ±1% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | SQ-MELF, E | 1N4957 | 5 W | D-5B | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 1 A | 25 µA a 6,9 V | 9,1 V | 2 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ140DE3/TR8 | - | ![]() | 7434 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ140 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 106,4 V | 140 V | 500 ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N2323U4 | - | ![]() | 2875 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/276 | Massa | Obsoleto | -65°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 3-SMD, senza piombo | U4 | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 2 mA | 50 V | 800 mV | - | 200 µA | 220 mA | Cancello sensibile | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HU10260R | - | ![]() | 5095 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | MEZZA PAK | Standard, polarità inversa | MEZZA PAK | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 600 V | 1,35 V a 100 A | 90 ns | 50 µA a 600 V | 100A | 275 pF a 10 V, 1 Mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS2210A | - | ![]() | 4140 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS2216H | - | ![]() | 1574 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | Massa | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5916P/TR8 | - | ![]() | 6244 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5916 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 1 V | 4,3 V | 6 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5179 | - | ![]() | 1535 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Foro passante | TO-206AF, TO-72-4 Lattina di metallo | 300 mW | TO-72 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 20dB | 12V | 50mA | NPN | 25 a 3 mA, 1 V | 200 MHz | 4,5 dB a 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 681-4D, 4N, 4P | - | ![]() | 8630 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | ND | 681-4 | Standard | ND | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | Connessione in serie da 1 paio | 400 V | 15A | 1,2 V a 10 A | 10 µA a 400 V | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5384C/TR8 | - | ![]() | 3654 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5384 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 115 V | 160 V | 350 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX1N4972C | 18.2550 | ![]() | 8479 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/435 | Massa | Attivo | ±2% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | E, assiale | 1N4972 | 5 W | E, assiale | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 1 A | 2 µA a 29,7 V | 39 V | 14 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 0910-150M | - | ![]() | 3257 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | 200°C (TJ) | Montaggio su telaio | 55KT | 400W | 55KT | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 8,1dB~8,5dB | 65 V | 12A | NPN | - | 890 MHz~1 GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGF200U120DG | - | ![]() | 4871 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Montaggio su telaio | SP6 | 1136 W | Standard | SP6 | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Separare | TNP | 1200 V | 275A | 3,7 V a 15 V, 200 A | 500 µA | NO | 13,8 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5914BE3/TR13 | - | ![]() | 1569 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5914 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 75 µA a 1 V | 3,6 V | 9 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UFR8510 | 148.2150 | ![]() | 3704 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | Montaggio a perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | UFR8510 | Standard | DO-5 | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 975 mV a 85 A | 50 n | 50 µA a 100 V | -55°C ~ 175°C | - | 675 pF a 10 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5347A/TR8 | - | ![]() | 7595 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5347 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V a 1 A | 5 µA a 7,2 V | 10 V | 2 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS104/TR8 | - | ![]() | 1609 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | MS104 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 40 V | 690 mV a 1 A | 100 µA a 40 V | -55°C ~ 175°C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FST20150 | - | ![]() | 2081 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Tubo | Obsoleto | Foro passante | TO-220-3 | Schottky | TO-220AB | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 150 V | 10A | 830 mV a 10 A | 100 µA a 150 V | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5939C/TR13 | - | ![]() | 4537 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG5939 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 29,7 V | 39 V | 45 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV1N6626U | 24.8100 | ![]() | 3813 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/590 | Massa | Attivo | Montaggio superficiale | SQ-MELF, E | 1N6626 | Standard | D-5B | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 200 V | 1,35 V a 2 A | 30 ns | 2 µA a 200 V | -65°C ~ 150°C | 1,75 A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX1N4966C | 18.2850 | ![]() | 4075 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/435 | Massa | Attivo | ±2% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | E, assiale | 1N4966 | 5 W | E, assiale | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 1 A | 2 µA a 16,7 V | 22 V | 5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JAN1N6625U | 14.1900 | ![]() | 8632 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/585 | Massa | Attivo | Montaggio superficiale | SQ-MELF, A | 1N6625 | Standard | D-5A | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1000 V | 1,75 V a 1 A | 30 ns | 1μA a 1000 V | -65°C ~ 150°C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG4737CE3/TR13 | - | ![]() | 8609 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG4737 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 5 V | 7,5 V | 4 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1EZ190D5/TR8 | - | ![]() | 9770 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1EZ190 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 144,8 V | 190 V | 1700 Ohm |

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