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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Ingresso Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Corrente - Mantenimento (Ih) (Max) Guadagno Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tensione - Stato spento Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max) Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm) Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max) Corrente - Stato attivo (It (AV)) (Max) Tipo SCR Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (Max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Corrente - Interruzione collettore (max) Termistore NTC Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt) Capacità di ingresso (Cies) @ Vce Tipo di transistor Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Figura di rumore (dB tipo @ f)
APTM120SK68T1G Microsemi Corporation APTM120SK68T1G -
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ECAD 7952 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Montaggio su telaio SP1 MOSFET (ossido di metallo) SP1 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 1200 V 15A (Tc) 10 V 816 mOhm a 12 A, 10 V 5 V a 2,5 mA 260 nC a 10 V ±30 V 6696 pF a 25 V - 357 W(Tc)
76016S Microsemi Corporation 76016S -
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ECAD 8979 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto - 1 (illimitato) OBSOLETO 0000.00.0000 1
FST20150 Microsemi Corporation FST20150 -
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ECAD 2081 0.00000000 Microsemi Corporation - Tubo Obsoleto Foro passante TO-220-3 Schottky TO-220AB scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 150 V 10A 830 mV a 10 A 100 µA a 150 V -55°C ~ 175°C
SMAJ5952CE3/TR13 Microsemi Corporation SMAJ5952CE3/TR13 -
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ECAD 3355 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-214AC, SMA SMAJ5952 3 W DO-214AC (SMAJ) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 7.500 1,2 V a 200 mA 1 µA a 98,8 V 130 V 450 Ohm
1N5914BE3/TR13 Microsemi Corporation 1N5914BE3/TR13 -
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ECAD 1569 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N5914 1,5 W DO-204AL (DO-41) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 1,2 V a 200 mA 75 µA a 1 V 3,6 V 9 Ohm
1N5954AP/TR12 Microsemi Corporation 1N5954AP/TR12 -
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ECAD 1804 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±10% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N5954 1,5 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 1 µA a 121,6 V 160 V 700 Ohm
2N2323U4 Microsemi Corporation 2N2323U4 -
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ECAD 2875 0.00000000 Microsemi Corporation Militare, MIL-PRF-19500/276 Massa Obsoleto -65°C ~ 125°C Montaggio superficiale 3-SMD, senza piombo U4 - RoHS non conforme 1 (illimitato) EAR99 8541.30.0080 1 2 mA 50 V 800 mV - 200 µA 220 mA Cancello sensibile
MRF904 Microsemi Corporation MRF904 -
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ECAD 9081 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto 200°C (TJ) Foro passante TO-206AF, TO-72-4 Lattina di metallo 200 mW TO-72 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 1 6,5dB~10,5dB 15 V 30mA NPN 30 a 5 mA, 5 V 4GHz 1,5 dB a 450 MHz
1N5386E3/TR8 Microsemi Corporation 1N5386E3/TR8 -
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ECAD 9992 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±20% -65°C ~ 150°C Foro passante T-18, assiale 1N5386 5 W T-18 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.000 1,2 V a 1 A 500 nA a 130 V 180 V 430 Ohm
APTGT100A170D1G Microsemi Corporation APTGT100A170D1G -
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ECAD 7541 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Interrotto alla SIC -40°C ~ 150°C (TJ) Montaggio su telaio D1 695 W Standard D1 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.29.0095 1 Mezzo ponte Sosta sul campo di trincea 1700 V 200A 2,4 V a 15 V, 100 A 3 mA NO 8,5 nF a 25 V
APTM50DSK10T3G Microsemi Corporation APTM50DSK10T3G -
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ECAD 5679 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Montaggio su telaio SP3 APTM50 MOSFET (ossido di metallo) 312W SP3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 2 canali N (doppio) 500 V 37A 120 mOhm a 18,5 A, 10 V 5 V a 1 mA 96 nC a 10 V 4367pF a 25V -
MS104/TR8 Microsemi Corporation MS104/TR8 -
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ECAD 1609 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale MS104 Schottky DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1.500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 40 V 690 mV a 1 A 100 µA a 40 V -55°C ~ 175°C 1A -
2EZ16D10/TR12 Microsemi Corporation 2EZ16D10/TR12 -
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ECAD 8009 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±10% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ16 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 500 nA a 12,2 V 16 V 8 Ohm
JANTX1N4957DUS Microsemi Corporation JANTX1N4957DUS 32.2500
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ECAD 3510 0.00000000 Microsemi Corporation Militare, MIL-PRF-19500/435 Massa Attivo ±1% -65°C ~ 175°C Montaggio superficiale SQ-MELF, E 1N4957 5 W D-5B scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1 1,5 V a 1 A 25 µA a 6,9 V 9,1 V 2 Ohm
681-4D, 4N, 4P Microsemi Corporation 681-4D, 4N, 4P -
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ECAD 8630 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Attivo Montaggio su telaio ND 681-4 Standard ND scaricamento RoHS non conforme REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) Connessione in serie da 1 paio 400 V 15A 1,2 V a 10 A 10 µA a 400 V -65°C ~ 150°C
2EZ100D2E3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ100D2E3/TR8 -
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ECAD 8584 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ100 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 500 nA a 76 V 100 V 175 Ohm
SMBJ5950BE3/TR13 Microsemi Corporation SMBJ5950BE3/TR13 -
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ECAD 2263 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-214AA, PMI SMBJ5950 2 W SMBJ (DO-214AA) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 1 µA a 83,6 V 110 V 300 ohm
2EZ110D10/TR8 Microsemi Corporation 2EZ110D10/TR8 -
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ECAD 9083 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±10% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ110 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 500 nA a 83,6 V 110 V 250 Ohm
1N5375CE3/TR12 Microsemi Corporation 1N5375CE3/TR12 -
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ECAD 2384 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -65°C ~ 150°C Foro passante T-18, assiale 1N5375 5 W T-18 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 1 A 500 nA a 59 V 82 V 64 Ohm
SMBJ4749C/TR13 Microsemi Corporation SMBJ4749C/TR13 -
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ECAD 9270 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-214AA, PMI SMBJ4749 2 W SMBJ (DO-214AA) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 5 µA a 18,2 V 24 V 25 Ohm
2EZ110D2/TR8 Microsemi Corporation 2EZ110D2/TR8 -
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ECAD 6961 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ110 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 500 nA a 83,6 V 110 V 250 Ohm
1N5954CPE3/TR8 Microsemi Corporation 1N5954CPE3/TR8 -
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ECAD 8436 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N5954 1,5 W DO-204AL (DO-41) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 1 µA a 121,6 V 160 V 700 Ohm
SMAJ5946E3/TR13 Microsemi Corporation SMAJ5946E3/TR13 -
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ECAD 8318 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±20% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-214AC, SMA SMAJ5946 3 W DO-214AC (SMAJ) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 7.500 1,2 V a 200 mA 1 µA a 56 V 75 V 140 Ohm
2EZ5.1D5E3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ5.1D5E3/TR8 -
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ECAD 4323 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ5.1 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 5 µA a 1 V 5,1 V 3,5 Ohm
2EZ56D5/TR12 Microsemi Corporation 2EZ56D5/TR12 -
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ECAD 4462 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ56 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 500 nA a 42,6 V 56 V 55 Ohm
1N5336/TR8 Microsemi Corporation 1N5336/TR8 -
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ECAD 4499 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±20% -65°C ~ 150°C Foro passante T-18, assiale 1N5336 5 W T-18 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.000 1,2 V a 1 A 10 µA a 1 V 4,3 V 2 Ohm
JANTX1N4961DUS Microsemi Corporation JANTX1N4961DUS 32.2500
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ECAD 1427 0.00000000 Microsemi Corporation Militare, MIL-PRF-19500/435 Massa Attivo ±1% -65°C ~ 175°C Montaggio superficiale SQ-MELF, E 1N4961 5 W D-5B scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1 1,5 V a 1 A 10 µA a 9,9 V 13 V 3 Ohm
SMBG5944C/TR13 Microsemi Corporation SMBG5944C/TR13 -
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ECAD 3844 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI SMBG5944 2 W SMBG (DO-215AA) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 1 µA a 47,1 V 62 V 100 ohm
APT8075BN Microsemi Corporation APT8075BN -
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ECAD 6466 0.00000000 Microsemi Corporation POWER MOS IV® Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 MOSFET (ossido di metallo) TO-247 d.C scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 800 V 13A(Tc) 10 V 750 mOhm a 6,5 ​​A, 10 V 4 V a 1 mA 130 nC a 10 V ±30 V 2950 pF a 25 V - 310 W(Tc)
JANTX1N4982CUS Microsemi Corporation JANTX1N4982CUS 24.6000
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ECAD 5794 0.00000000 Microsemi Corporation Militare, MIL-PRF-19500/435 Massa Attivo ±2% -65°C ~ 175°C Montaggio superficiale SQ-MELF, E 1N4982 5 W D-5B scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1 1,5 V a 1 A 2 µA a 76 V 100 V 110 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock