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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Ingresso | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Tipo FET | Corrente - Mantenimento (Ih) (Max) | Guadagno | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tensione - Stato spento | Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max) | Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm) | Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max) | Corrente - Stato attivo (It (AV)) (Max) | Tipo SCR | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (Max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Corrente - Interruzione collettore (max) | Termistore NTC | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | Tipo di transistor | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Figura di rumore (dB tipo @ f) | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | APTM120SK68T1G | - |  | 7952 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP1 | MOSFET (ossido di metallo) | SP1 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 1200 V | 15A (Tc) | 10 V | 816 mOhm a 12 A, 10 V | 5 V a 2,5 mA | 260 nC a 10 V | ±30 V | 6696 pF a 25 V | - | 357 W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 76016S | - |  | 8979 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | FST20150 | - |  | 2081 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Tubo | Obsoleto | Foro passante | TO-220-3 | Schottky | TO-220AB | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 150 V | 10A | 830 mV a 10 A | 100 µA a 150 V | -55°C ~ 175°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | SMAJ5952CE3/TR13 | - |  | 3355 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | SMAJ5952 | 3 W | DO-214AC (SMAJ) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 98,8 V | 130 V | 450 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 1N5914BE3/TR13 | - |  | 1569 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5914 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 75 µA a 1 V | 3,6 V | 9 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 1N5954AP/TR12 | - |  | 1804 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5954 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 121,6 V | 160 V | 700 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 2N2323U4 | - |  | 2875 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/276 | Massa | Obsoleto | -65°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 3-SMD, senza piombo | U4 | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 2 mA | 50 V | 800 mV | - | 200 µA | 220 mA | Cancello sensibile | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF904 | - |  | 9081 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | 200°C (TJ) | Foro passante | TO-206AF, TO-72-4 Lattina di metallo | 200 mW | TO-72 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 6,5dB~10,5dB | 15 V | 30mA | NPN | 30 a 5 mA, 5 V | 4GHz | 1,5 dB a 450 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 1N5386E3/TR8 | - |  | 9992 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5386 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 130 V | 180 V | 430 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | APTGT100A170D1G | - |  | 7541 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | D1 | 695 W | Standard | D1 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Mezzo ponte | Sosta sul campo di trincea | 1700 V | 200A | 2,4 V a 15 V, 100 A | 3 mA | NO | 8,5 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | APTM50DSK10T3G | - |  | 5679 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP3 | APTM50 | MOSFET (ossido di metallo) | 312W | SP3 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canali N (doppio) | 500 V | 37A | 120 mOhm a 18,5 A, 10 V | 5 V a 1 mA | 96 nC a 10 V | 4367pF a 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | MS104/TR8 | - |  | 1609 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | MS104 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 40 V | 690 mV a 1 A | 100 µA a 40 V | -55°C ~ 175°C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 2EZ16D10/TR12 | - |  | 8009 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ16 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 12,2 V | 16 V | 8 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N4957DUS | 32.2500 |  | 3510 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/435 | Massa | Attivo | ±1% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | SQ-MELF, E | 1N4957 | 5 W | D-5B | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 1 A | 25 µA a 6,9 V | 9,1 V | 2 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 681-4D, 4N, 4P | - |  | 8630 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | ND | 681-4 | Standard | ND | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | Connessione in serie da 1 paio | 400 V | 15A | 1,2 V a 10 A | 10 µA a 400 V | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 2EZ100D2E3/TR8 | - |  | 8584 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ100 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 76 V | 100 V | 175 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | SMBJ5950BE3/TR13 | - |  | 2263 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | SMBJ5950 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 83,6 V | 110 V | 300 ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 2EZ110D10/TR8 | - |  | 9083 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ110 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 83,6 V | 110 V | 250 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 1N5375CE3/TR12 | - |  | 2384 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5375 | 5 W | T-18 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 59 V | 82 V | 64 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | SMBJ4749C/TR13 | - |  | 9270 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | SMBJ4749 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 18,2 V | 24 V | 25 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 2EZ110D2/TR8 | - |  | 6961 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ110 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 83,6 V | 110 V | 250 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 1N5954CPE3/TR8 | - |  | 8436 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5954 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 121,6 V | 160 V | 700 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | SMAJ5946E3/TR13 | - |  | 8318 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | SMAJ5946 | 3 W | DO-214AC (SMAJ) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 56 V | 75 V | 140 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 2EZ5.1D5E3/TR8 | - |  | 4323 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ5.1 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 1 V | 5,1 V | 3,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 2EZ56D5/TR12 | - |  | 4462 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ56 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 42,6 V | 56 V | 55 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 1N5336/TR8 | - |  | 4499 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5336 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V a 1 A | 10 µA a 1 V | 4,3 V | 2 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N4961DUS | 32.2500 |  | 1427 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/435 | Massa | Attivo | ±1% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | SQ-MELF, E | 1N4961 | 5 W | D-5B | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 1 A | 10 µA a 9,9 V | 13 V | 3 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | SMBG5944C/TR13 | - |  | 3844 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG5944 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 47,1 V | 62 V | 100 ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | APT8075BN | - |  | 6466 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | POWER MOS IV® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-247 d.C | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 800 V | 13A(Tc) | 10 V | 750 mOhm a 6,5 A, 10 V | 4 V a 1 mA | 130 nC a 10 V | ±30 V | 2950 pF a 25 V | - | 310 W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N4982CUS | 24.6000 |  | 5794 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/435 | Massa | Attivo | ±2% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | SQ-MELF, E | 1N4982 | 5 W | D-5B | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 1 A | 2 µA a 76 V | 100 V | 110 Ohm | 

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