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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Ingresso Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Corrente - Interruzione collettore (max) Termistore NTC Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt) Capacità di ingresso (Cies) @ Vce Tipo di transistor Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione
CPT12050D Microsemi Corporation CPT12050D -
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ECAD 3208 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto Montaggio su telaio TO-244AB Schottky TO-244AB scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) Connessione in serie da 1 paio 50 V 60A 800 mV a 120 A 3 mA a 50 V
1N5375B Microsemi Corporation 1N5375B -
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ECAD 9430 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante T-18, assiale 1N5375 5 W T-18 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 1 A 500 nA a 59 V 82 V 65 Ohm
JANTX2N6768T1 Microsemi Corporation JANTX2N6768T1 -
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ECAD 3679 0.00000000 Microsemi Corporation Militare, MIL-PRF-19500/543 Massa Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-254-3, TO-254AA (diritti conduttori) MOSFET (ossido di metallo) TO-3 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 400 V 14A (Tc) 10 V 400 mOhm a 14 A, 10 V 4 V a 250 µA 110 nC a 10 V ±20 V - 4 W (Ta), 150 W (Tc)
FST160100 Microsemi Corporation FST160100 -
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ECAD 6066 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto Montaggio su telaio Base isolata TO-249AA Schottky TO-249 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 100 V 80A 960 mV a 80 A 2 mA a 100 V
CPT30090A Microsemi Corporation CPT30090A -
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ECAD 4443 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto Montaggio su telaio TO-244AB Schottky TO-244AB scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di anodo comune 90 V 150A 980 mV a 200 A 4 mA a 90 V
1N5270A (DO-35) Microsemi Corporation 1N5270A (DO-35) -
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ECAD 1777 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Attivo ±10% -65°C ~ 175°C Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale 1N5270 500 mW DO-35 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1 1,5 V a 200 mA 100 nA a 66 V 91 V 400 ohm
1N4890 Microsemi Corporation 1N4890 -
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ECAD 5850 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Attivo ±5% -65°C ~ 175°C Foro passante DO-204AA, DO-7, assiale 400 mW DO-7 scaricamento RoHS non conforme REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 100 6,35 V 10 Ohm
JANTX2N5015 Microsemi Corporation JANTX2N5015 -
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ECAD 9950 0.00000000 Microsemi Corporation Militare, MIL-PRF-19500/727 Massa Obsoleto -65°C ~ 200°C (TJ) Foro passante TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo 1 W TO-5 - RoHS non conforme Non applicabile EAR99 8541.29.0095 1 1000 V 200 mA 10nA (ICBO) NPN 30 a 20 mA, 10 V -
3EZ82D5E3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ82D5E3/TR12 -
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ECAD 1450 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 3EZ82 3 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 500 nA a 62,2 V 82 V 95 Ohm
60189 Microsemi Corporation 60189 -
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ECAD 1269 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto - Non applicabile OBSOLETO 0000.00.0000 1
1PMT5922A/TR7 Microsemi Corporation 1PMT5922A/TR7 -
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ECAD 4651 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±10% -55°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-216AA 1PMT5922 3 W DO-216AA scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 5 µA a 6 V 7,5 V 3 Ohm
1N5221BDO35E3 Microsemi Corporation 1N5221BDO35E3 -
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ECAD 2850 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC ±5% -65°C ~ 175°C Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale 1N5221 500 mW DO-35 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 1,5 V a 200 mA 100 µA a 1 V 2,4 V 30 Ohm
MSKD70-08 Microsemi Corporation MSKD70-08 -
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ECAD 8461 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto Montaggio su telaio D1 Standard D1 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 1 paio di catodo comune 800 V 70A 1,48 V a 200 A 5 mA a 800 V
2EZ68D10E3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ68D10E3/TR8 -
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ECAD 9087 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±10% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ68 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 500 nA a 51,7 V 68 V 75 Ohm
75060A Microsemi Corporation 75060A -
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ECAD 8447 0.00000000 Microsemi Corporation * Massa Obsoleto - 1 (illimitato) OBSOLETO 0000.00.0000 1
JANTX2N6796 Microsemi Corporation JANTX2N6796 -
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ECAD 9801 0.00000000 Microsemi Corporation Militare, MIL-PRF-19500/557 Massa Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo MOSFET (ossido di metallo) TO-205AF (TO-39) - RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 100 V 8A (Tc) 10 V 195 mOhm a 8 A, 10 V 4 V a 250 µA 28,51 nC a 10 V ±20 V - 800 mW (Ta), 25 W (Tc)
1N5953DG Microsemi Corporation 1N5953DG 8.9700
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ECAD 3028 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Attivo ±1% -65°C ~ 175°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N5953 1,25 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1 1,2 V a 200 mA 1 µA a 114 V 150 V 600 Ohm
UFT12780A Microsemi Corporation UFT12780A -
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ECAD 6335 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto Montaggio su telaio Modulo Standard Modulo scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di anodo comune 800 V 60A 1,35 V a 60 A 80 ns 30 µA a 800 V
SMAJ4465E3/TR13 Microsemi Corporation SMAJ4465E3/TR13 -
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ECAD 9291 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -55°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-214AC, SMA 1,5 W DO-214AC (SMAJ) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 7.500 1,2 V a 200 mA 300 nA a 8 V 10 V 5 Ohm
APTC60AM83BC1G Microsemi Corporation APTC60AM83BC1G -
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ECAD 8492 0.00000000 Microsemi Corporation CoolMOS™ Vassoio Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Montaggio su telaio SP1 APTC60 MOSFET (ossido di metallo) 250 W SP1 - 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 Canale 3 N (fase gamba + boost chopper) 600 V 36A 83 mOhm a 24,5 A, 10 V 5 V a 3 mA 250 nC a 10 V 7200 pF a 25 V Super giunzione
1N5914PE3/TR8 Microsemi Corporation 1N5914PE3/TR8 -
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ECAD 6898 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±20% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N5914 1,5 W DO-204AL (DO-41) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 75 µA a 1 V 3,6 V 9 Ohm
SMBJ5378A/TR13 Microsemi Corporation SMBJ5378A/TR13 -
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ECAD 9925 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±10% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-214AA, PMI SMBJ5378 5 W SMBJ (DO-214AA) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 1 A 500 nA a 72 V 100 V 90 Ohm
APTGF75DDA120TG Microsemi Corporation APTGF75DDA120TG -
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ECAD 8001 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto - Montaggio su telaio SP4 500 W Standard SP4 scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.29.0095 1 Doppia fonte comune TNP 1200 V 100A 3,7 V a 15 V, 75 A 250 µA 5,1 nF a 25 V
2EZ11DE3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ11DE3/TR12 -
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ECAD 3487 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±20% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ11 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 1 µA a 8,4 V 11 V 4 Ohm
SMBG4754E3/TR13 Microsemi Corporation SMBG4754E3/TR13 -
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ECAD 1246 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±10% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI SMBG4754 2 W SMBG (DO-215AA) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 5 µA a 29,7 V 39 V 60 Ohm
APTM120DU29TG Microsemi Corporation APTM120DU29TG -
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ECAD 6384 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Montaggio su telaio SP4 APTM120 MOSFET (ossido di metallo) 780W SP4 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 2 canali N (doppio) 1200 V (1,2 kV) 34A 348 mOhm a 17 A, 10 V 5 V a 5 mA 374nC a 10 V 10.300 pF a 25 V -
1N5379BE3/TR13 Microsemi Corporation 1N5379BE3/TR13 -
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ECAD 8782 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante T-18, assiale 1N5379 5 W T-18 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.250 1,2 V a 1 A 500 nA a 79,2 V 110 V 125 Ohm
SD1013-20H Microsemi Corporation SD1013-20H -
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ECAD 4733 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto - 1 (illimitato) OBSOLETO 0000.00.0000 1
D16-4148E3/TU Microsemi Corporation D16-4148E3/TU -
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ECAD 9214 0.00000000 Microsemi Corporation - Tubo Obsoleto Foro passante 16 DIP (0,300", 7,62 mm) Standard 16-DIP - 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 1.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 8Indipendente 100 V - 1,2 V a 100 mA 5 ns 100 µA a 50 V -55°C ~ 150°C
1EZ150D10E3/TR8 Microsemi Corporation 1EZ150D10E3/TR8 -
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ECAD 9905 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±10% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1EZ150 1 W DO-204AL (DO-41) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 500 nA a 114 V 150 V 1300 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock