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Prodotti a semiconduttore discreti(6716)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
JANTXV2N2857	-	Richiesta di offerta	9174	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/343	Massa	Obsoleto		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-72-3 Barattolo di metallo			200 mW		TO-72	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1				12,5 dB ~ 21 dB a 450 MHz																			15 V	40mA							NPN		30 a 3 mA, 1 V	500 MHz	4,5 dB a 450 MHz
MSAD36-12	-	Richiesta di offerta	9532	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto			Montaggio su telaio	D1		Standard			D1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0080	1		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)													1 paio di anodo comune	1200 V	36A	1,25 V a 100 A	5 mA a 1200 V
SMBJ4753CE3/TR13	-	Richiesta di offerta	5499	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-214AA, PMI	SMBJ4753		2 W		SMBJ (DO-214AA)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																		1,2 V a 200 mA	5 µA a 27,4 V									36 V	50 Ohm
1N5378CE3/TR13	-	Richiesta di offerta	5345	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	T-18, assiale	1N5378		5 W		T-18	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.250																		1,2 V a 1 A	500 nA a 72 V									100 V	90 Ohm
MS3456	-	Richiesta di offerta	3357	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APTC90H12T1G	-	Richiesta di offerta	7795	Microsemi Corporation	CoolMOS™	Vassoio	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1	APTC90	MOSFET (ossido di metallo)	250 W		SP1	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	100	4 canali N (mezzo ponte)				900 V	30A		120 mOhm a 26 A, 10 V	3,5 V a 3 mA	270nC a 10V		6800 pF a 100 V	Super giunzione
1N5953BPE3/TR12	-	Richiesta di offerta	1852	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±5%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N5953		1,5 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																		1,2 V a 200 mA	1 µA a 114 V									150 V	600 Ohm
2EZ5.1D10E3/TR12	-	Richiesta di offerta	4220	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±10%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	2EZ5.1		2 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																		1,2 V a 200 mA	5 µA a 1 V									5,1 V	3,5 Ohm
3EZ160D10/TR12	-	Richiesta di offerta	7314	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±10%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	3EZ160		3 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																		1,2 V a 200 mA	500 nA a 121,6 V									160 V	625 Ohm
APT23F60S	-	Richiesta di offerta	2307	Microsemi Corporation	POWERMOS8™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-268-3, D³Pak (2 cavi + linguatta), TO-268AA	APT23F60	MOSFET (ossido di metallo)			D3Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1			CanaleN		600 V	24A (Tc)	10 V	290 mOhm a 11 A, 10 V	5 V a 1 mA	110 nC a 10 V	±30 V	4415 pF a 25 V	-	415 W(Tc)
1N5347AE3/TR12	-	Richiesta di offerta	1809	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±10%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	T-18, assiale	1N5347		5 W		T-18	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																		1,2 V a 1 A	5 µA a 7,2 V									10 V	2 Ohm
3EZ56D2/TR12	-	Richiesta di offerta	1259	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	3EZ56		3 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																		1,2 V a 200 mA	500 nA a 42,6 V									56 V	50 Ohm
1N5253A (DO-35)	1.6400	Richiesta di offerta	7	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±10%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N5253		500 mW		DO-35	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	10.000																		1,5 V a 200 mA	100 nA a 19 V									25 V	35 Ohm
3EZ68D10E3/TR12	-	Richiesta di offerta	8136	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±10%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	3EZ68		3 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																		1,2 V a 200 mA	500 nA a 51,7 V									68 V	70 Ohm
APTC90DDA12T1G	-	Richiesta di offerta	2767	Microsemi Corporation	CoolMOS™	Vassoio	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1	APTC90	MOSFET (ossido di metallo)	250 W		SP1	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Canale 2 N (chopper doppio buck)				900 V	30A		120 mOhm a 26 A, 10 V	3,5 V a 3 mA	270nC a 10V		6800 pF a 100 V	Super giunzione
APT4016BVRG	-	Richiesta di offerta	6356	Microsemi Corporation	-	Tubo	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	30						27A(Tc)
APTC80A15T1G	-	Richiesta di offerta	9850	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1	APTC80	MOSFET (ossido di metallo)	277 W		SP1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (mezzo ponte)				800 V	28A		150 mOhm a 14 A, 10 V	3,9 V a 2 mA	180 nC a 10 V		4507 pF a 25 V	-
JANTX2N2221A	8.3790	Richiesta di offerta	6756	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/255	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo	2N2221		500 mW		TO-18 (TO-206AA)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1																							50 V	800 mA		50nA					NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	40 a 150 mA, 10 V	-
APTM120U10DAG	-	Richiesta di offerta	7637	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6		MOSFET (ossido di metallo)			SP6	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1			CanaleN		1200 V	160A(Tc)	10 V	120 mOhm a 58 A, 10 V	5 V a 20 mA	1100 nC a 10 V	±30 V	28900 pF a 25 V	-	3290 W(Tc)
APTGF300A120D3G	-	Richiesta di offerta	7312	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-	Montaggio su telaio	Modulo D-3			2100 W	Standard	D3	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte																					TNP	1200 V	420A	3,7 V a 15 V, 300 A	5 mA	NO			19 nF a 25 V
1N5335B	-	Richiesta di offerta	7743	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	T-18, assiale	1N5335		5 W		T-18	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																		1,2 V a 1 A	50 µA a 1 V									3,9 V	2 Ohm
1N5280DO35	-	Richiesta di offerta	2899	Microsemi Corporation	-	Borsa	Interrotto alla SIC			Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N5280				DO-35	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1																		1,5 V a 200 mA	100 nA a 144 V
SMBG4761AE3/TR13	-	Richiesta di offerta	6361	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±5%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI	SMBG4761		2 W		SMBG (DO-215AA)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																		1,2 V a 200 mA	5 µA a 56 V									75 V	175 Ohm
JANSR2N7389U	-	Richiesta di offerta	9424	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/630	Vassoio	Obsoleto		-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	18-CLCC		MOSFET (ossido di metallo)			18-ULCC (9,14x7,49)	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1			Canale P		100 V	6,5 A(Tc)	12V	350 mOhm a 6,5 A, 12 V	4 V a 1 mA	45 nC a 12 V	±20 V		-	25 W (Tc)
APTM50A15FT1G	-	Richiesta di offerta	2945	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1	APTM50	MOSFET (ossido di metallo)	208 W		SP1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (mezzo ponte)				500 V	25A		180 mOhm a 21 A, 10 V	5 V a 1 mA	170nC a 10V		5448 pF a 25 V	-
1N5915CPE3/TR8	-	Richiesta di offerta	2784	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N5915		1,5 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																		1,2 V a 200 mA	25 µA a 1 V									3,9 V	7,5 Ohm
MS2201	-	Richiesta di offerta	1574	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		200°C (TJ)	Montaggio su telaio	M220			10 W		M220	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1				9dB																			45 V	250 mA							NPN		0,95 a 10 mA, 5 V	1,025 GHz ~ 1,15 GHz	-
JANTX1N4975DUS	30.7500	Richiesta di offerta	3433	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/435	Massa	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	SQ-MELF, E	1N4975		5 W		D-5B	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1																		1,5 V a 1 A	2 µA a 38,8 V									51 V	27 Ohm
APT31N60BCSG	-	Richiesta di offerta	2826	Microsemi Corporation	CoolMOS™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		MOSFET (ossido di metallo)			TO-247-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	30			CanaleN		600 V	31A(Tc)	10 V	100 mOhm a 18 A, 10 V	3,9 V a 1,2 mA	85 nC a 10 V	±30 V	3055 pF a 25 V	-	255 W(Tc)
SDM30004	-	Richiesta di offerta	7378	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto			Montaggio su telaio	Modulo		Standard			Modulo	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0080	1		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)														400 V		1,1 V a 300 A	75 µA a 400 V	300A	-