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Prodotti a semiconduttore discreti(6716)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (Max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
1N5924AG	3.0300	Richiesta di offerta	8897	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	±10%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N5924		1,25 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1																		1,2 V a 200 mA		5 µA a 7 V							9,1 V	4 Ohm
JANTXV2N5015	-	Richiesta di offerta	5948	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/727	Massa	Obsoleto		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo			1 W	TO-5	-	RoHS non conforme	Non applicabile		EAR99	8541.29.0095	1																								1000 V	200 mA	10nA (ICBO)			NPN	30 a 20 mA, 10 V	-
3EZ68D2E3/TR8	-	Richiesta di offerta	4174	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	3EZ68		3 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																		1,2 V a 200 mA		500 nA a 51,7 V							68 V	70 Ohm
1PMT5919B/TR7	-	Richiesta di offerta	7990	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±5%	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-216AA	1PMT5919		3 W	DO-216AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																		1,2 V a 200 mA		5 µA a 3 V							5,6 V	2 Ohm
HS18140	49.4100	Richiesta di offerta	3	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto			Montaggio su telaio	MEZZA PAK		Schottky		MEZZA PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0080	1		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)														40 V		700 mV a 180 A		4 mA a 40 V		180A	7500pF a 5 V, 1 MHz
SMBJ5336C/TR13	-	Richiesta di offerta	1396	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-214AA, PMI	SMBJ5336		5 W	SMBJ (DO-214AA)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																		1,2 V a 1 A		10 µA a 1 V							4,3 V	2 Ohm
1PMT5933E3/TR13	-	Richiesta di offerta	4198	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±20%	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-216AA	1PMT5933		3 W	DO-216AA	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	12.000																		1,2 V a 200 mA		1 µA a 16,7 V							22 V	17,5 Ohm
UPDS5100H	-	Richiesta di offerta	4955	Microsemi Corporation	-	Nastro tagliato (CT)	Obsoleto			Montaggio superficiale	PowerDI™5	UPDS5100	Schottky			scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0080	5.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)														100 V		710 mV a 5 A		10 µA a 100 V		5A	-
SMAJ4463E3/TR13	-	Richiesta di offerta	1563	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±5%	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-214AC, SMA			1,5 W	DO-214AC (SMAJ)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	7.500																		1,2 V a 200 mA		500 nA a 4,92 V							8,2 V	3 Ohm
SMBG5953B/TR13	-	Richiesta di offerta	2013	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±5%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI	SMBG5953		2 W	SMBG (DO-215AA)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																		1,2 V a 200 mA		1 µA a 114 V							150 V	600 Ohm
1N5954AP/TR8	-	Richiesta di offerta	2376	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±10%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N5954		1,5 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																		1,2 V a 200 mA		1 µA a 121,6 V							160 V	700 Ohm
SMBJ5916A/TR13	-	Richiesta di offerta	9452	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±10%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-214AA, PMI	SMBJ5916		2 W	SMBJ (DO-214AA)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																		1,2 V a 200 mA		10 µA a 1 V							4,3 V	6 Ohm
2EZ47D5E3/TR8	-	Richiesta di offerta	8473	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	2EZ47		2 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																		1,2 V a 200 mA		500 nA a 35,8 V							47 V	40 Ohm
JANTX1N6630U	22.6200	Richiesta di offerta	1978	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/590	Massa	Attivo			Montaggio superficiale	SQ-MELF, E	1N6630	Standard		D-5B	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0080	1		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)														900 V		1,4 V a 1,4 A	50 n	2 µA a 900 V	-65°C ~ 150°C	1,4A	-
60159	-	Richiesta di offerta	6980	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto									-		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
MS2608H	-	Richiesta di offerta	5562	Microsemi Corporation	*	Massa	Obsoleto									-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APT40M70LVFRG	-	Richiesta di offerta	5180	Microsemi Corporation	POWER MOS V®	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-264-3, TO-264AA		MOSFET (ossido di metallo)		TO-264 [L]	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1			CanaleN		400 V	57A(Tc)	10 V	70 mOhm a 500 mA, 10 V	4 V a 2,5 mA	495 nC a 10 V	±30 V	8890 pF a 25 V	-	520 W(Tc)
APTM100A12STG	-	Richiesta di offerta	8310	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP3	APTM100	MOSFET (ossido di metallo)	1250 W	SP3	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (mezzo ponte)				1000 V (1 kV)	68A		120 mOhm a 34 A, 10 V	5 V a 10 mA	616nC @ 10V		17400 pF a 25 V	-
2EZ130D5	-	Richiesta di offerta	8360	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	2EZ130		2 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																		1,2 V a 200 mA		500 nA a 98,8 V							130 V	400 ohm
JAN2N6758	-	Richiesta di offerta	1491	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/542	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3		MOSFET (ossido di metallo)		TO-204AA (TO-3)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1			CanaleN		200 V	9A (Tc)	10 V	490 mOhm a 9 A, 10 V	4 V a 250 µA	39 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 75 W (Tc)
3EZ68D/TR12	-	Richiesta di offerta	6350	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±20%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	3EZ68		3 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																		1,2 V a 200 mA		500 nA a 51,7 V							68 V	70 Ohm
STN1116	-	Richiesta di offerta	6342	Microsemi Corporation	*	Massa	Obsoleto									-	RoHS non conforme	Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
1N5811/TR	7.4400	Richiesta di offerta	2554	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Foro passante	B, assiale	1N5811	Standard		B, assiale	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0080	4.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)														150 V		875 mV a 4 A	30 ns	5 µA a 150 V	-65°C ~ 175°C	6A	-
APT5518BFLLG	-	Richiesta di offerta	7059	Microsemi Corporation	POWERMOS7®	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	30			CanaleN		550 V	31A(Tc)	10 V	180 mOhm a 15,5 A, 10 V	5 V a 1 mA	67 nC a 10 V	±30 V	3286 pF a 25 V	-	403 W(Tc)
3EZ47D10E3/TR12	-	Richiesta di offerta	8422	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±10%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	3EZ47		3 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																		1,2 V a 200 mA		500 nA a 35,6 V							47 V	38 Ohm
3EZ140D5/TR12	-	Richiesta di offerta	9230	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±5%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	3EZ140		3 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																		1,2 V a 200 mA		500 nA a 106,4 V							140 V	475 Ohm
LX7710MDWC-V	-	Richiesta di offerta	4708	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo			Montaggio superficiale	20-CSOIC (0,295", larghezza 7,50 mm)	LX7710	Standard		20-CSOIC	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0080	1		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)													Collegamento in serie a 8 coppie	140 V	1A (CC)	2,08 V a 700 mA		100 nA a 75 V	-55°C ~ 150°C
MS1001	-	Richiesta di offerta	5447	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		200°C (TJ)	Montaggio su telaio	M174			270 W	M174	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1				13dB																				18 V	20A				NPN	20 a 5 A, 5 V	30 MHz	-
A4815H	-	Richiesta di offerta	4336	Microsemi Corporation	*	Massa	Obsoleto									-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
1N5381E3/TR13	-	Richiesta di offerta	8690	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±20%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	T-18, assiale	1N5381		5 W	T-18	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.250																		1,2 V a 1 A		500 nA a 93,6 V							130 V	190 ohm