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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Voltaggio: nominale | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Frequenza | Tecnologia | Potenza: max | Ingresso | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Corrente nominale (Amp) | Corrente - Prova | Potenza-Uscita | Guadagno | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Figura di rumore | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (Max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Tensione - Prova | Corrente - Interruzione collettore (max) | Termistore NTC | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Figura di rumore (dB tipo @ f) | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | 1EZ130D2E3/TR12 | - |  | 4485 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1EZ130 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 98,8 V | 130 V | 910 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | SMBG5922BE3/TR13 | - |  | 8358 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG5922 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 6 V | 7,5 V | 3 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | VRF191 | - |  | 1108 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Tubo | Obsoleto | 270 V | T11 | 30 MHz | MOSFET | T11 | scaricamento | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | CanaleN | 12A | 250 mA | 150 W | 22dB | - | 100 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 2EZ16D5E3/TR8 | - |  | 5225 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ16 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 12,2 V | 16 V | 8 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 1PMT5918BE3/TR7 | - |  | 5169 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1PMT5918 | 3 W | DO-216AA | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 2 V | 5,1 V | 4 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 1EZ120D5/TR8 | - |  | 4578 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1EZ120 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 91,2 V | 120 V | 710 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | SMBG4752CE3/TR13 | - |  | 4488 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG4752 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 25,1 V | 33 V | 45 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | MS2204 | - |  | 6641 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | 200°C (TJ) | Montaggio su telaio | M115 | 600 mW | M115 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 10,8dB | 20 V | 300mA | NPN | 15 a 100 mA, 5 V | 1,09GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | SMBG5949C/TR13 | - |  | 5145 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG5949 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 76 V | 100 V | 250 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 3EZ140D/TR12 | - |  | 7434 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ140 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 106,4 V | 140 V | 475 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 1N4894A | - |  | 1238 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N4894 | 400 mW | DO-7 | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 6,35 V | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 1N5252A (DO-35) | - |  | 5787 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±10% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N5252 | 500 mW | DO-35 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 200 mA | 100 nA a 17,1 V | 24 V | 33 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTCV90TL12T3G | - |  | 2688 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP3 | 280 W | Standard | SP3 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Inverter a tre livelli: IGBT, FET | Sosta sul campo di trincea | 1200 V | 80A | 2,2 V a 15 V, 50 A | 1 mA | SÌ | 2,77 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | SMBJ5355CE3/TR13 | - |  | 3174 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | SMBJ5355 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 13 V | 18 V | 2,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 1N5952BP/TR12 | - |  | 6964 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5952 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 98,8 V | 130 V | 450 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGF50H60T2G | - |  | 3207 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Montaggio su telaio | SP3 | 250 W | Standard | SP3 | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Invertitore a ponte intero | TNP | 600 V | 65A | 2,45 V a 15 V, 50 A | 250 µA | SÌ | 2,2 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | JAN2N7369 | 1.0000 |  | 7520 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | MIL-PRF-19500/621 | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-254-3, TO-254AA | 2N7369 | 115 W | TO-254AA | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 10A | 5mA | PNP | 1 V a 500 mA, 5 A | 50 a 1 A, 2 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 3EZ4.7DE3/TR12 | - |  | 2467 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ4.7 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 20 µA a 1 V | 4,7 V | 4 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | APTM20DHM16T3G | - |  | 1995 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | POWERMOS7® | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP3 | APTM20 | MOSFET (ossido di metallo) | 390 W | SP3 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canali N (doppio) asimmetrico | 200 V | 104A | 19 mOhm a 52 A, 10 V | 5 V a 2,5 mA | 140 nC a 10 V | 7220 pF a 25 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 1N5221B (DO-35) | - |  | 4398 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N5221 | 500 mW | DO-35 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 200 mA | 100 µA a 1 V | 24 V | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT50GF60JU3 | - |  | 7009 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Montaggio su telaio | ISOTOP | 277 W | Standard | SOT-227 | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Separare | TNP | 600 V | 75A | 2,7 V a 15 V, 50 A | 40 µA | NO | 2,25 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | APT2X61DC60J | - |  | 2141 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | SOT-227-4, miniBLOC | APT2X61 | SiC (carburo di silicio) Schottky | ISOTOP® | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 2 Indipendente | 600 V | 60A | 1,8 V a 60 A | 0 ns | 1,2 mA a 600 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 2EZ91D5/TR8 | - |  | 6454 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ91 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 69,2 V | 91 V | 125 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 1N5333B | - |  | 7520 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5333 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 300 µA a 1 V | 3,3 V | 3 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 1N5252BDO35E3 | - |  | 5566 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N5252 | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V a 200 mA | 100 nA a 18 V | 24 V | 33 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 2EZ36DE3/TR12 | - |  | 1082 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ36 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 27,4 V | 36 V | 25 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 1N5381E3/TR12 | - |  | 3196 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5381 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 93,6 V | 130 V | 190 ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 2EZ12D2/TR12 | - |  | 1230 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ12 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 9,1 V | 12 V | 4,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JAN2N2221A | 7.7938 |  | 5731 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/255 | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo | 2N2221 | 500 mW | TO-18 (TO-206AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 800 mA | 50nA | NPN | 1 V a 50 mA, 500 mA | 40 a 150 mA, 10 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N4614 (DO35) | - |  | 9437 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/435 | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N4614 | 500 mW | DO-35 | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 7,5 µA a 1 V | 1,8 V | 1200 Ohm | 

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