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Prodotti a semiconduttore discreti(6716)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (Max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
2EZ5.1D10E3/TR12	-	Richiesta di offerta	4220	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±10%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	2EZ5.1		2 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																		1,2 V a 200 mA	5 µA a 1 V										5,1 V	3,5 Ohm
APT23F60S	-	Richiesta di offerta	2307	Microsemi Corporation	POWERMOS8™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-268-3, D³Pak (2 cavi + linguatta), TO-268AA	APT23F60	MOSFET (ossido di metallo)			D3Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1			CanaleN		600 V	24A (Tc)	10 V	290 mOhm a 11 A, 10 V	5 V a 1 mA	110 nC a 10 V	±30 V	4415 pF a 25 V	-	415 W(Tc)
1N5347AE3/TR12	-	Richiesta di offerta	1809	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±10%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	T-18, assiale	1N5347		5 W		T-18	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																		1,2 V a 1 A	5 µA a 7,2 V										10 V	2 Ohm
1N5253A (DO-35)	1.6400	Richiesta di offerta	7	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±10%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N5253		500 mW		DO-35	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	10.000																		1,5 V a 200 mA	100 nA a 19 V										25 V	35 Ohm
3EZ68D10E3/TR12	-	Richiesta di offerta	8136	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±10%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	3EZ68		3 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																		1,2 V a 200 mA	500 nA a 51,7 V										68 V	70 Ohm
APTC90DDA12T1G	-	Richiesta di offerta	2767	Microsemi Corporation	CoolMOS™	Vassoio	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1	APTC90	MOSFET (ossido di metallo)	250 W		SP1	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Canale 2 N (doppio tritatutto)				900 V	30A		120 mOhm a 26 A, 10 V	3,5 V a 3 mA	270nC a 10V		6800 pF a 100 V	Super giunzione
APT4016BVRG	-	Richiesta di offerta	6356	Microsemi Corporation	-	Tubo	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	30						27A(Tc)
APTC80A15T1G	-	Richiesta di offerta	9850	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1	APTC80	MOSFET (ossido di metallo)	277 W		SP1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (mezzo ponte)				800 V	28A		150 mOhm a 14 A, 10 V	3,9 V a 2 mA	180 nC a 10 V		4507 pF a 25 V	-
JANTX2N2221A	8.3790	Richiesta di offerta	6756	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/255	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo	2N2221		500 mW		TO-18 (TO-206AA)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1																								50 V	800 mA		50nA					NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	40 a 150 mA, 10 V	-
APTM120U10DAG	-	Richiesta di offerta	7637	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6		MOSFET (ossido di metallo)			SP6	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1			CanaleN		1200 V	160A(Tc)	10 V	120 mOhm a 58 A, 10 V	5 V a 20 mA	1100 nC a 10 V	±30 V	28900 pF a 25 V	-	3290 W(Tc)
APTGF300A120D3G	-	Richiesta di offerta	7312	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-	Montaggio su telaio	Modulo D-3			2100 W	Standard	D3	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte																						TNP	1200 V	420A	3,7 V a 15 V, 300 A	5 mA	NO			19 nF a 25 V
1N5335B	-	Richiesta di offerta	7743	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	T-18, assiale	1N5335		5 W		T-18	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																		1,2 V a 1 A	50 µA a 1 V										3,9 V	2 Ohm
1N5280DO35	-	Richiesta di offerta	2899	Microsemi Corporation	-	Borsa	Interrotto alla SIC			Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N5280				DO-35	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1																		1,5 V a 200 mA	100 nA a 144 V
SMBG4761AE3/TR13	-	Richiesta di offerta	6361	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±5%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI	SMBG4761		2 W		SMBG (DO-215AA)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																		1,2 V a 200 mA	5 µA a 56 V										75 V	175 Ohm
JANSR2N7389U	-	Richiesta di offerta	9424	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/630	Vassoio	Obsoleto		-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	18-CLCC		MOSFET (ossido di metallo)			18-ULCC (9,14x7,49)	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1			Canale P		100 V	6,5 A(Tc)	12V	350 mOhm a 6,5 A, 12 V	4 V a 1 mA	45 nC a 12 V	±20 V		-	25 W (Tc)
APTM50A15FT1G	-	Richiesta di offerta	2945	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1	APTM50	MOSFET (ossido di metallo)	208 W		SP1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (mezzo ponte)				500 V	25A		180 mOhm a 21 A, 10 V	5 V a 1 mA	170nC a 10V		5448 pF a 25 V	-
1N5915CPE3/TR8	-	Richiesta di offerta	2784	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N5915		1,5 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																		1,2 V a 200 mA	25 µA a 1 V										3,9 V	7,5 Ohm
MS2201	-	Richiesta di offerta	1574	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		200°C (TJ)	Montaggio su telaio	M220			10 W		M220	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1				9dB																				45 V	250 mA							NPN		0,95 a 10 mA, 5 V	1,025 GHz ~ 1,15 GHz	-
JANTX1N4975DUS	30.7500	Richiesta di offerta	3433	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/435	Massa	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	SQ-MELF, E	1N4975		5 W		D-5B	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1																		1,5 V a 1 A	2 µA a 38,8 V										51 V	27 Ohm
APT31N60BCSG	-	Richiesta di offerta	2826	Microsemi Corporation	CoolMOS™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		MOSFET (ossido di metallo)			TO-247-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	30			CanaleN		600 V	31A(Tc)	10 V	100 mOhm a 18 A, 10 V	3,9 V a 1,2 mA	85 nC a 10 V	±30 V	3055 pF a 25 V	-	255 W(Tc)
SDM30004	-	Richiesta di offerta	7378	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto			Montaggio su telaio	Modulo		Standard			Modulo	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0080	1		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)														400 V		1,1 V a 300 A	75 µA a 400 V		300A	-
1N5281A (DO-35)	-	Richiesta di offerta	1583	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo			Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N5281				DO-35	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1																		1,5 V a 200 mA	100 nA a 144 V
1N5362B	-	Richiesta di offerta	9221	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	T-18, assiale	1N5362		5 W		T-18	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																		1,2 V a 1 A	500 nA a 20,1 V										28 V	6 Ohm
1N6660CCT1	183.2850	Richiesta di offerta	7356	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo			Foro passante	TO-254-3, TO-254AA	1N6660	Schottky			TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0080	1		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													1 paio di catodo comune	45 V	15A	750 mV a 15 A	1 mA a 45 V	-65°C ~ 150°C
1N5924AG	3.0300	Richiesta di offerta	8897	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	±10%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N5924		1,25 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1																		1,2 V a 200 mA	5 µA a 7 V										9,1 V	4 Ohm
JANTXV2N5015	-	Richiesta di offerta	5948	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/727	Massa	Obsoleto		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo			1 W		TO-5	-	RoHS non conforme	Non applicabile		EAR99	8541.29.0095	1																								1000 V	200 mA		10nA (ICBO)					NPN		30 a 20 mA, 10 V	-
3EZ68D2E3/TR8	-	Richiesta di offerta	4174	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	3EZ68		3 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																		1,2 V a 200 mA	500 nA a 51,7 V										68 V	70 Ohm
1PMT5919B/TR7	-	Richiesta di offerta	7990	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±5%	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-216AA	1PMT5919		3 W		DO-216AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																		1,2 V a 200 mA	5 µA a 3 V										5,6 V	2 Ohm
HS18140	49.4100	Richiesta di offerta	3	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto			Montaggio su telaio	MEZZA PAK		Schottky			MEZZA PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0080	1		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)														40 V		700 mV a 180 A	4 mA a 40 V		180A	7500pF a 5 V, 1 MHz
SMBJ5336C/TR13	-	Richiesta di offerta	1396	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-214AA, PMI	SMBJ5336		5 W		SMBJ (DO-214AA)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																		1,2 V a 1 A	10 µA a 1 V										4,3 V	2 Ohm