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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Potenza: max | Struttura | Ingresso | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Corrente - Mantenimento (Ih) (Max) | Tensione - Stato spento | Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max) | Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm) | Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max) | Corrente - Stato acceso (It (AV)) (Max) | Tipo SCR | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Numero di SCR, diodi | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Corrente - Interruzione collettore (max) | Termistore NTC | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | Tipo di transistor | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MSDT100-16 | - | ![]() | 4278 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | Modulo M4 | Ponte, trifase - SCR/diodi | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 1,6kV | 3 V | 1200A a 50Hz | 150 mA | 100A | 1 SCR, 6 diodi | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5386BE3/TR12 | - | ![]() | 4563 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5386 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 130 V | 180 V | 430 Ohm | |||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ120DE3/TR12 | - | ![]() | 3035 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ120 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 91,2 V | 120 V | 300 ohm | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5093 | - | ![]() | 6197 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | Massa | Attivo | 2N5093 | - | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMAJ4475CE3/TR13 | - | ![]() | 5806 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | 1,5 W | DO-214AC (SMAJ) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V a 200 mA | 50 nA a 21,6 V | 27 V | 18 Ohm | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5380B | - | ![]() | 6468 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5380 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 86,4 V | 120 V | 170 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5937BG | 3.4050 | ![]() | 1755 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5937 | 1,25 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 25,1 V | 33 V | 33 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4105 (DO35) | - | ![]() | 8602 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 200°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N4105 | 400 mW | DO-35 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V a 200 mA | 50 nA a 8,44 V | 11 V | 200 ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5379E3/TR13 | - | ![]() | 7367 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5379 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.250 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 79,2 V | 110 V | 125 Ohm | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5377E3/TR13 | - | ![]() | 4099 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5377 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.250 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 65,5 V | 91 V | 75 Ohm | |||||||||||||||||||||||
![]() | MRFC544 | - | ![]() | 9627 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PMT5916BE3/TR7 | - | ![]() | 7755 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1PMT5916 | 3 W | DO-216AA | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 1 V | 4,3 V | 6 Ohm | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5247B (DO-35) | - | ![]() | 7066 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N5247 | 500 mW | DO-35 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 200 mA | 100 nA a 13 V | 17 V | 19 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ130D5 | - | ![]() | 8360 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ130 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 98,8 V | 130 V | 400 ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ190DE3/TR12 | - | ![]() | 9504 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ190 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 144,8 V | 190 V | 800 Ohm | |||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N2323A | - | ![]() | 1740 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/276 | Massa | Obsoleto | -65°C ~ 125°C | Foro passante | TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo | TO-5 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.30.0080 | 100 | 2 mA | 50 V | 600 mV | - | 20 µA | 220 mA | Cancello sensibile | ||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG4749CE3/TR13 | - | ![]() | 3424 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG4749 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 18,2 V | 24 V | 25 Ohm | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1PMT5916BE3/TR13 | - | ![]() | 1156 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1PMT5916 | 3 W | DO-216AA | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 1 V | 4,3 V | 6 Ohm | |||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ33D/TR8 | - | ![]() | 8897 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ33 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 25,1 V | 33 V | 20 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N5015 | - | ![]() | 9950 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/727 | Massa | Obsoleto | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo | 1 W | TO-5 | - | RoHS non conforme | Non applicabile | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 1000 V | 200 mA | 10nA (ICBO) | NPN | 30 a 20 mA, 10 V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5953AP/TR8 | - | ![]() | 4068 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5953 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 114 V | 150 V | 600 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ68D2E3/TR12 | - | ![]() | 8479 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ68 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 51,7 V | 68 V | 70 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | MSTC130-12 | - | ![]() | 2445 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 130°C (TJ) | Montaggio su telaio | T2 | Collegamento in serie: tutti gli SCR | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | 400 mA | 1,2 kV | 3 V | 4700A a 50Hz | 150 mA | 130A | 2SC | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5947BPE3/TR12 | - | ![]() | 4124 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5947 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 62,2 V | 82 V | 160 Ohm | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5940AG | 3.4050 | ![]() | 8119 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±10% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5940 | 1,25 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 32,7 V | 43 V | 53 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG4736CE3/TR13 | - | ![]() | 2490 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG4736 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 4 V | 6,8 V | 3,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||
![]() | APTGF50DH60TG | - | ![]() | 7642 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP4 | 250 W | Standard | SP4 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Ponte asimmetrico | TNP | 600 V | 65A | 2,45 V a 15 V, 50 A | 250 µA | SÌ | 2,2 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||
| APTGF90DU60TG | - | ![]() | 5452 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Montaggio su telaio | SP4 | 416 W | Standard | SP4 | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Doppia fonte comune | TNP | 600 V | 110A | 2,5 V a 15 V, 90 A | 250 µA | SÌ | 4,3 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||||
![]() | NSD188 | - | ![]() | 6313 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL3048A-1 | - | ![]() | 4709 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | CDLL3048 | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 |

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