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Prodotti a semiconduttore discreti(6716)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
1N5381E3/TR12	-	Richiesta di offerta	3196	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±20%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	T-18, assiale	1N5381		5 W	T-18	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																		1,2 V a 1 A		500 nA a 93,6 V							130 V	190 ohm
1N5919CG	6.0300	Richiesta di offerta	7455	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N5919		1,25 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1																		1,2 V a 200 mA		5 µA a 3 V							5,6 V	2 Ohm
SMBJ4758C/TR13	-	Richiesta di offerta	4437	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-214AA, PMI	SMBJ4758		2 W	SMBJ (DO-214AA)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																		1,2 V a 200 mA		5 µA a 42,6 V							56 V	110 Ohm
2EZ3.9D10E3/TR8	-	Richiesta di offerta	4648	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±10%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	2EZ3.9		2 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																		1,2 V a 200 mA		30 µA a 1 V							3,9 V	5 Ohm
2N7228U	-	Richiesta di offerta	5727	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-267AB		MOSFET (ossido di metallo)		TO-267AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1			CanaleN		500 V	12A (Tc)	10 V	415 mOhm a 8 A, 10 V	4 V a 250 µA	120 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
1N6629US	-	Richiesta di offerta	7060	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC			Montaggio superficiale	SQ-MELF, A		Standard		A-MELF	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0080	1		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)														880 V		1,4 V a 1,4 A	50 n	2 µA a 880 V	-65°C ~ 150°C	1,4A	40 pF a 10 V, 1 MHz
1N4762PE3/TR8	-	Richiesta di offerta	4305	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±10%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N4762		1 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																		1,2 V a 200 mA		5 µA a 62,2 V							82 V	200 ohm
1N5333B	-	Richiesta di offerta	7520	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±5%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	T-18, assiale	1N5333		5 W	T-18	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																		1,2 V a 1 A		300 µA a 1 V							3,3 V	3 Ohm
1N4763CP/TR8	-	Richiesta di offerta	5891	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N4763		1 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																		1,2 V a 200 mA		5 µA a 69,2 V							91 V	250 Ohm
3EZ4.3D2E3/TR12	-	Richiesta di offerta	1586	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	3EZ4.3		3 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																		1,2 V a 200 mA		30 µA a 1 V							4,3 V	4,5 Ohm
2EZ10D/TR8	-	Richiesta di offerta	5940	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±20%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	2EZ10		2 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																		1,2 V a 200 mA		3 µA a 7,6 V							10 V	3,5 Ohm
SMBG5916BE3/TR13	-	Richiesta di offerta	4376	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±5%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI	SMBG5916		2 W	SMBG (DO-215AA)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																		1,2 V a 200 mA		10 µA a 1 V							4,3 V	6 Ohm
3EZ17D10E3/TR8	-	Richiesta di offerta	1942	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±10%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	3EZ17		3 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																		1,2 V a 200 mA		500 nA a 13 V							17 V	6 Ohm
SMBG5938C/TR13	-	Richiesta di offerta	6745	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI	SMBG5938		2 W	SMBG (DO-215AA)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																		1,2 V a 200 mA		1 µA a 27,4 V							36 V	38 Ohm
FST60100D	-	Richiesta di offerta	6146	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto			Montaggio a vite	TO-249AA		Schottky		TO-249	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0080	1		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													Connessione in serie da 1 paio	100 V	60A	860 mV a 60 A		2 mA a 100 V
3EZ51D10E3/TR12	-	Richiesta di offerta	1517	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±10%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	3EZ51		3 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																		1,2 V a 200 mA		500 nA a 38,8 V							51 V	48 Ohm
3EZ18DE3/TR8	-	Richiesta di offerta	6440	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±20%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	3EZ18		3 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																		1,2 V a 200 mA		500 nA a 13,7 V							18 V	6 Ohm
MS1801	-	Richiesta di offerta	5577	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto									-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
2EZ18D2/TR8	-	Richiesta di offerta	2647	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	2EZ18		2 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																		1,2 V a 200 mA		500 nA a 13,7 V							18 V	10 Ohm
1N5367B	-	Richiesta di offerta	8133	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	T-18, assiale	1N5367		5 W	T-18	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																		1,2 V a 1 A		500 nA a 31 V							43 V	20 Ohm
APTC90DDA12T1G	-	Richiesta di offerta	2767	Microsemi Corporation	CoolMOS™	Vassoio	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1	APTC90	MOSFET (ossido di metallo)	250 W	SP1	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Canale 2 N (doppio tritatutto)				900 V	30A		120 mOhm a 26 A, 10 V	3,5 V a 3 mA	270nC a 10V		6800 pF a 100 V	Super giunzione
JAN2N5015	-	Richiesta di offerta	2638	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/727	Massa	Obsoleto		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo			1 W	TO-5	-	RoHS non conforme	Non applicabile		EAR99	8541.29.0095	1																								1000 V	200 mA	10nA (ICBO)			NPN		30 a 20 mA, 10 V	-
MS3456	-	Richiesta di offerta	3357	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto									-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
JANTX2N2221A	8.3790	Richiesta di offerta	6756	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/255	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo	2N2221		500 mW	TO-18 (TO-206AA)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1																								50 V	800 mA	50nA			NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	40 a 150 mA, 10 V	-
1N5347AE3/TR12	-	Richiesta di offerta	1809	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±10%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	T-18, assiale	1N5347		5 W	T-18	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																		1,2 V a 1 A		5 µA a 7,2 V							10 V	2 Ohm
60168	-	Richiesta di offerta	5385	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto									-		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
BFR92ALT1	-	Richiesta di offerta	3762	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		150°C	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			273 mW	SOT-23	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	1				-																				15 V	25 mA				-		40 a 14 mA, 10 V	4,5GHz	3 dB a 500 MHz
2EZ91D2/TR12	-	Richiesta di offerta	3668	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	2EZ91		2 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																		1,2 V a 200 mA		500 nA a 69,2 V							91 V	125 Ohm
1N5956P/TR8	-	Richiesta di offerta	9505	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±20%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N5956		1,5 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																		1,2 V a 200 mA		1 µA a 152 V							200 V	1200 Ohm
SK35/TR13	-	Richiesta di offerta	3052	Microsemi Corporation	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo					SK35				-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0080	3.000