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Prodotti a semiconduttore discreti(6716)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Voltaggio: nominale | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Frequenza | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Tipo FET | Corrente nominale (Amp) | Corrente-Prova | Potenza-Uscita | Guadagno | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Figura di rumore | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Tensione - Prova | Corrente - Interruzione collettore (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Figura di rumore (dB tipo @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MS2092H | - |  | 3698 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SD1224 | - | | 6742 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | 200°C (TJ) | Montaggio su telaio | M135 | SD122 | 60 W | M135 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 7,6dB | 35 V | 5A | NPN | 20 a 500 mA, 5 V | 175 MHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N3811L | - | | 2729 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/336 | Massa | Obsoleto | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-78-6 Lattina di metallo | 2N3811 | 350 mW | TO-78-6 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 50mA | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (doppio) | 250 mV a 100 µA, 1 mA | 300 a 1 mA, 5 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JTDB25 | - | | 2465 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | 200°C (TJ) | Montaggio su telaio | 55AW-1 | 97 W | 55AW-1 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 7,5dB | 55 V | 5A | NPN | 20 a 500 mA, 5 V | 960 MHz ~ 1.215 GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UFT14020 | - | | 5717 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | Modulo | Standard | Modulo | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 200 V | 70A | 975 mV a 70 A | 50 n | 25 µA a 200 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SD1330-05C | - | | 8257 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | Massa | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N5947PE3/TR8 | - | | 6208 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5947 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 62,2 V | 82 V | 160 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ24D2/TR12 | - | | 3073 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ24 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 18,2 V | 24 V | 9 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2271 | - | | 2222 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | Massa | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 60099H | - | | 9927 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Non applicabile | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1EZ130D2E3/TR12 | - | | 4485 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1EZ130 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 98,8 V | 130 V | 910 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | D16-4148E3/TU | - | | 9214 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Tubo | Obsoleto | Foro passante | 16 DIP (0,300", 7,62 mm) | Standard | 16-DIP | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 8 Indipendente | 100 V | - | 1,2 V a 100 mA | 5 ns | 100 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF8372R2 | - | | 6919 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | - | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | 2,2 W | 8-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 8dB~9,5dB | 16V | 200mA | NPN | 30 a 50 mA, 5 V | 870 MHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APTM10TDUM19PG | - | | 9406 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP6 | APTM10 | MOSFET (ossido di metallo) | 208 W | SP6-P | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 canali N (ponte trifase) | 100 V | 70A | 21 mOhm a 35 A, 10 V | 4 V a 1 mA | 200 nC a 10 V | 5100 pF a 25 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM120H57FTG | - | | 9972 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP4 | APTM120 | MOSFET (ossido di metallo) | 390 W | SP4 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 canali N (mezzo ponte) | 1200 V (1,2 kV) | 17A | 684 mOhm a 8,5 A, 10 V | 5 V a 2,5 mA | 187nC a 10 V | 5155pF a 25V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N6760 | - | | 7171 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-204AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 400 V | 5,5 A (TC) | 10 V | 1,22 Ohm a 5,5 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 39 nC a 10 V | ±20 V | - | 4 W (Ta), 75 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SD1013-20H | - | | 4733 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N3866 | - | | 4175 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo | 1 W | TO-39 (TO-205AD) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 30 V | 400 mA | 20μA | NPN | 1 V a 10 mA, 100 mA | 15 a 50 mA, 5 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ11DE3/TR12 | - | | 3487 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ11 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 8,4 V | 11 V | 4 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5384B/TR12 | - | | 6011 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5384 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 115 V | 160 V | 350 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM120A65FT1G | - | | 8074 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP1 | APTM120 | MOSFET (ossido di metallo) | 390 W | SP1 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canali N (mezzo ponte) | 1200 V (1,2 kV) | 16A | 780 mOhm a 14 A, 10 V | 5 V a 2,5 mA | 300 nC a 10 V | 7736pF a 25V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ130D/TR8 | - | | 5008 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ130 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 98,8 V | 130 V | 375 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5955P/TR8 | - | | 4666 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5955 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 136,8 V | 180 V | 900 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ11D/TR8 | - | | 9984 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ11 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 8,4 V | 11 V | 4 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1EZ180D2E3/TR8 | - | | 4311 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1EZ180 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 136,8 V | 180 V | 1500 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4890 | - | | 5850 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 400 mW | DO-7 | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 6,35 V | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ68D10E3/TR8 | - | | 9087 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ68 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 51,7 V | 68 V | 75 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ARF473 | - | | 1017 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | 500 V | - | 130 MHz | MOSFET | - | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | Sorgente comune a 2 canali N (doppia). | 10A | 150 mA | 300W | 14dB | - | 135 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5362B | - | | 9221 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5362 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 20,1 V | 28 V | 6 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SMAJ4465E3/TR13 | - | | 9291 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | 1,5 W | DO-214AC (SMAJ) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V a 200 mA | 300 nA a 8 V | 10 V | 5 Ohm |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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