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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Struttura | Ingresso | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Corrente - Mantenimento (Ih) (Max) | Guadagno | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Tensione - Stato spento | Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max) | Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm) | Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max) | Corrente - Stato acceso (It (AV)) (Max) | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Numero di SCR, diodi | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Corrente - Interruzione collettore (max) | Termistore NTC | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | Tipo di transistor | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Figura di rumore (dB tipo @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HS12045R | - | ![]() | 8628 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | MEZZA PAK | Schottky, Polarità inversa | MEZZA PAK | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 45 V | 550 mV a 120 A | 5 mA a 45 V | 120A | 5500pF a 5 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5347/TR8 | - | ![]() | 1075 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5347 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V a 1 A | 5 µA a 7,2 V | 10 V | 2 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2124-12L | - | ![]() | 3970 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | 200°C (TJ) | Montaggio su telaio | 55AW | 44W | 55AW | scaricamento | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | 7,5dB | 45 V | 3A | NPN | 15 a 1 A, 5 V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ75DE3/TR12 | - | ![]() | 5047 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ75 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 56 V | 75 V | 85 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT200A60TG | - | ![]() | 8698 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP4 | 625 W | Standard | SP4 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Mezzo ponte | Sosta sul campo di trincea | 600 V | 290A | 1,9 V a 15 V, 200 A | 250 µA | SÌ | 12,3 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5384A/TR12 | - | ![]() | 9966 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5384 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 115 V | 160 V | 350 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ91DE3/TR8 | - | ![]() | 9217 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ91 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 69,2 V | 91 V | 125 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PMT5914CE3/TR7 | - | ![]() | 8916 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1PMT5914 | 3 W | DO-216AA | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 75 µA a 1 V | 3,6 V | 9 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 62091B | - | ![]() | 6122 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | Massa | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMAJ4472CE3/TR13 | - | ![]() | 9050 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | 1,5 W | DO-214AC (SMAJ) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V a 200 mA | 50 nA a 16 V | 20 V | 12 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PMT5924E3/TR13 | - | ![]() | 4667 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1PMT5924 | 3 W | DO-216AA | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 7 V | 9,1 V | 4 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTM50DUM25TG | - | ![]() | 4632 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP4 | APTM50 | MOSFET (ossido di metallo) | 1250 W | SP4 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canali N (doppio) | 500 V | 149A | 25 mOhm a 74,5 A, 10 V | 4 V a 8 mA | 1200 nC a 10 V | 29600 pF a 25 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5335/TR8 | - | ![]() | 5871 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5335 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V a 1 A | 50 µA a 1 V | 3,9 V | 2 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5939BPE3/TR8 | - | ![]() | 4729 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5939 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 29,7 V | 39 V | 45 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5384AE3/TR12 | - | ![]() | 6884 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5384 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 115 V | 160 V | 350 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ140D5/TR8 | - | ![]() | 3589 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ140 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 106,4 V | 140 V | 475 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SD1802-01 | - | ![]() | 1223 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | Massa | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PMT5917A/TR13 | - | ![]() | 2845 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1PMT5917 | 3 W | DO-216AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 1,5 V | 4,7 V | 5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ150D/TR12 | - | ![]() | 3413 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ150 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 114 V | 150 V | 550 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5950P/TR12 | - | ![]() | 5630 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5950 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 83,6 V | 110 V | 300 ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ17D5E3/TR12 | - | ![]() | 4064 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ17 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 13 V | 17 V | 6 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ27D10E3/TR12 | - | ![]() | 9518 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ27 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 20,6 V | 27 V | 18 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5229A (DO-35) | 1.6400 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N5229 | 500 mW | DO-35 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V a 200 mA | 5 µA a 1 V | 4,3 V | 22 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS246150R | - | ![]() | 5364 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | MEZZA PAK | Schottky, Polarità inversa | MEZZA PAK | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 150 V | 860 mV a 240 A | 8 mA a 150 V | 240A | 6000pF a 5 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1214-370M | - | ![]() | 8618 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | 200°C (TJ) | Montaggio su telaio | 55ST | 600W | 55ST | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 8,7dB~9dB | 75 V | 25A | NPN | 10 a 5 A, 5 V | 1,2GHz~1,4GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTML502UM90R020T3AG | - | ![]() | 9261 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP3 | APTML502 | MOSFET (ossido di metallo) | 568 W | SP3 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canali N (doppio) | 500 V | 52A | 108 mOhm a 26 A, 10 V | 4 V a 2,5 mA | - | 7600 pF a 25 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5350B | - | ![]() | 9668 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5350 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 1 µA a 9,4 V | 13 V | 2,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5929AE3/TR13 | - | ![]() | 6307 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG5929 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 11,4 V | 15 V | 9 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ150D2E3/TR12 | - | ![]() | 9537 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ150 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 114 V | 150 V | 550 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSTC110-08 | - | ![]() | 5107 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 130°C (TJ) | Montaggio su telaio | Modulo | Collegamento in serie: tutti gli SCR | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | 250 mA | 800 V | 3 V | 2250A a 50Hz | 150 mA | 110A | 2SC |

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