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Prodotti a semiconduttore discreti(6716)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Velocità	Tipo FET	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
MSG106	-	Richiesta di offerta	5079	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo			Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	MSG106	Schottky		DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0080	1	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)														60 V		690 mV a 1 A		100 µA a 60 V	-65°C ~ 175°C	1A	-
UFT7260SM4D	-	Richiesta di offerta	2004	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto			Montaggio su telaio	Modulo		Standard		SM4	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0080	1	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													Connessione in serie da 1 paio	600 V	35A	1,35 V a 35 A	75 ns	25 µA a 600 V
APTC80DA15T1G	-	Richiesta di offerta	1020	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1		MOSFET (ossido di metallo)		SP1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		800 V	28A (Tc)	10 V	150 mOhm a 14 A, 10 V	3,9 V a 2 mA	180 nC a 10 V	±30 V	4507 pF a 25 V	-	277 W(Tc)
SMBJ5338BE3/TR13	-	Richiesta di offerta	8630	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±5%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-214AA, PMI	SMBJ5338		5 W	SMBJ (DO-214AA)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																	1,2 V a 1 A		1 µA a 1 V						5,1 V	1,5 Ohm
SMBJ5339A/TR13	-	Richiesta di offerta	5973	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±10%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-214AA, PMI	SMBJ5339		5 W	SMBJ (DO-214AA)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																	1,2 V a 1 A		1 µA a 2 V						5,6 V	1 Ohm
1N5334E3/TR12	-	Richiesta di offerta	5768	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±20%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	T-18, assiale	1N5334		5 W	T-18	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																	1,2 V a 1 A		150 µA a 1 V						3,6 V	2,5 Ohm
SMBG4750C/TR13	-	Richiesta di offerta	4457	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI	SMBG4750		2 W	SMBG (DO-215AA)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																	1,2 V a 200 mA		5 µA a 20,6 V						27 V	35 Ohm
2EZ30D5	-	Richiesta di offerta	2435	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	2EZ30		2 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																	1,2 V a 200 mA		500 nA a 22,5 V						30 V	20 Ohm
SMBG4749C/TR13	-	Richiesta di offerta	9735	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI	SMBG4749		2 W	SMBG (DO-215AA)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																	1,2 V a 200 mA		5 µA a 18,2 V						24 V	25 Ohm
1214-110M	-	Richiesta di offerta	4536	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55KT			270 W	55KT	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1			7,4dB																				75 V	8A			NPN	-	1,2GHz~1,4GHz	-
SMBG4743C/TR13	-	Richiesta di offerta	1686	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI	SMBG4743		2 W	SMBG (DO-215AA)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																	1,2 V a 200 mA		5 µA a 9,9 V						13 V	10 Ohm
1N5363E3/TR8	-	Richiesta di offerta	8315	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±20%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	T-18, assiale	1N5363		5 W	T-18	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.000																	1,2 V a 1 A		500 nA a 21,6 V						30 V	8 Ohm
3EZ14D5E3/TR12	-	Richiesta di offerta	6613	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	3EZ14		3 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																	1,2 V a 200 mA		500 nA a 10,6 V						14 V	5 Ohm
2EZ3.6D10E3/TR12	-	Richiesta di offerta	2170	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±10%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	2EZ3.6		2 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																	1,2 V a 200 mA		80 µA a 1 V						3,6 V	5 Ohm
2N6788U	-	Richiesta di offerta	1196	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	18-CLCC		MOSFET (ossido di metallo)		18-ULCC (9,14x7,49)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1		CanaleN		100 V	4,5 A(Tc)	10 V	300 mOhm a 3,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	18 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW(Tc)
2EZ100D2/TR8	-	Richiesta di offerta	9217	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	2EZ100		2 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																	1,2 V a 200 mA		500 nA a 76 V						100 V	175 Ohm
3EZ18D5/TR12	-	Richiesta di offerta	1431	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	3EZ18		3 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																	1,2 V a 200 mA		500 nA a 13,7 V						18 V	6 Ohm
JANTXV2N7225	-	Richiesta di offerta	1483	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/592	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti)		MOSFET (ossido di metallo)		TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		200 V	27,4 A(Tc)	10 V	105 mOhm a 27,4 A, 10 V	4 V a 250 µA	115 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
SMBG5940A/TR13	-	Richiesta di offerta	5568	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±10%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI	SMBG5940		2 W	SMBG (DO-215AA)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																	1,2 V a 200 mA		1 µA a 32,7 V						43 V	53 Ohm
1EZ150D5/TR8	-	Richiesta di offerta	4679	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±5%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1EZ150		1 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																	1,2 V a 200 mA		500 nA a 114 V						150 V	1300 Ohm
1N4531	2.3250	Richiesta di offerta	4360	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo			Foro passante	DO-204AG, DO-34, assiale		Standard		DO-34	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0070	1	Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità														75 V		1,2 V a 100 mA	20 ns	500 nA a 75 V	-65°C ~ 175°C	125 mA	-
3EZ91D5/TR8	-	Richiesta di offerta	6424	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	3EZ91		3 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																	1,2 V a 200 mA		500 nA a 69,2 V						91 V	115 Ohm
JANTXV2N6800U	-	Richiesta di offerta	3086	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/557	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	18-CLCC		MOSFET (ossido di metallo)		18-ULCC (9,14x7,49)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		400 V	3A (Tc)	10 V	1,1 Ohm a 3 A, 10 V	4 V a 250 µA	34,75 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW (Ta), 25 W (Tc)
2EZ91D5/TR12	-	Richiesta di offerta	4742	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	2EZ91		2 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																	1,2 V a 200 mA		500 nA a 69,2 V						91 V	125 Ohm
2EZ43D/TR8	-	Richiesta di offerta	2648	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±20%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	2EZ43		2 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																	1,2 V a 200 mA		500 nA a 32,7 V						43 V	35 Ohm
2EZ4.7D10E3/TR8	-	Richiesta di offerta	8393	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±10%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	2EZ4.7		2 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																	1,2 V a 200 mA		5 µA a 1 V						4,7 V	4,5 Ohm
SMBG5919BE3/TR13	-	Richiesta di offerta	4714	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±5%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI	SMBG5919		2 W	SMBG (DO-215AA)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																	1,2 V a 200 mA		5 µA a 3 V						5,6 V	2 Ohm
1N4707 (DO35)	-	Richiesta di offerta	9083	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N4707		500 mW	DO-35	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1																	1,1 V a 200 mA		10 nA a 15,2 V						20 V
1N5955BPE3/TR8	-	Richiesta di offerta	4636	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±5%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N5955		1,5 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																	1,2 V a 200 mA		1 µA a 136,8 V						180 V	900 Ohm
3EZ6.2D2E3/TR12	-	Richiesta di offerta	6318	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	3EZ6.2		3 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																	1,2 V a 200 mA		5 µA a 3 V						6,2 V	1,5 Ohm