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Prodotti a semiconduttore discreti(6716)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Struttura	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Corrente - Mantenimento (Ih) (Max)	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Stato spento	Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max)	Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm)	Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max)	Tensione - Stato attivo (Vtm) (max)	Corrente - Stato acceso (It (AV)) (Max)	Corrente - Stato spento (max)	TipoSCR	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Numero di SCR, diodi	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
2EZ200D5	-	Richiesta di offerta	9324	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	2EZ200		2 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																											1,2 V a 200 mA		500 nA a 152 V								200 V	900 Ohm
1PMT5917E3/TR7	-	Richiesta di offerta	1428	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±20%	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-216AA	1PMT5917		3 W		DO-216AA	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																											1,2 V a 200 mA		5 µA a 1,5 V								4,7 V	5 Ohm
MS1582	-	Richiesta di offerta	7960	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		200°C (TJ)	Montaggio su telaio	M173			135 W		M173	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1					9dB																													30 V	8A				NPN		10 a 3 A, 5 V	470 MHz~860 MHz	-
2N7224U	-	Richiesta di offerta	6882	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-267AB		MOSFET (ossido di metallo)			TO-267AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1			CanaleN			100 V	34A (Tc)	10 V	81 mOhm a 34 A, 10 V	4 V a 250 µA	125 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
1N4762CPE3/TR8	-	Richiesta di offerta	6196	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N4762		1 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																											1,2 V a 200 mA		5 µA a 62,2 V								82 V	200 ohm
2N2857	-	Richiesta di offerta	9284	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AF, TO-72-4 Lattina di metallo			200 mW		TO-72	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1					12,5 dB ~ 21 dB a 450 MHz																													15 V	40mA				NPN		30 a 3 mA, 1 V	500 MHz	4,5 dB a 450 MHz
MS106E3/TR12	-	Richiesta di offerta	2557	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	MS106	Schottky			DO-204AL (DO-41)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0080	4.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																							60 V		690 mV a 1 A		100 µA a 60 V	-55°C ~ 175°C	1A	-
1N4732CP/TR12	-	Richiesta di offerta	3463	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N4732		1 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																											1,2 V a 200 mA		10 µA a 1 V								4,7 V	8 Ohm
1N5358B	-	Richiesta di offerta	7643	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	T-18, assiale	1N5358		5 W		T-18	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																											1,2 V a 1 A		500 nA a 15,8 V								22 V	3,5 Ohm
2EZ5.6D2/TR12	-	Richiesta di offerta	4565	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	2EZ5.6		2 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																											1,2 V a 200 mA		5 µA a 2 V								5,6 V	2,5 Ohm
2N3251A	-	Richiesta di offerta	2699	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo	2N3251		360 mW		TO-39 (TO-205AD)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1																																		60 V	200 mA	10 µA (ICBO)			PNP	500mV a 5mA, 50mA	100 a 10 mA, 1 V	-
FST153100A	-	Richiesta di offerta	8165	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto			Montaggio su telaio	Variante TO-249-9, TO-249AA		Schottky			TO-249	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0080	1		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																						1 paio di anodo comune	100 V	75A	940 mV a 75 A		1,5 mA a 100 V
A4871T	-	Richiesta di offerta	5804	Microsemi Corporation	*	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
JANTXV2N2325AU4	-	Richiesta di offerta	7132	Microsemi Corporation	Militare, MIL-STD-701	Massa	Obsoleto		-65°C ~ 125°C	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo					U4	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)		EAR99	8541.30.0080	1				2 mA												150 V	600 mV	15 A a 60 Hz	20 µA	2,2 V	1,6 A	10 µA	Cancello sensibile
1N4762CE3/TR13	-	Richiesta di offerta	2353	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N4762		1 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	5.000																											1,2 V a 200 mA		5 µA a 62,2 V								82 V	200 ohm
JANTXV2N6898	-	Richiesta di offerta	3311	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3		MOSFET (ossido di metallo)			TO-3	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	4			Canale P			100 V	25A (Tc)	10 V	200 mOhm a 15,8 A, 10 V	4 V a 250 µA		±20 V	3000 pF a 25 V	-	150 W(Tc)
MSDT200-16	-	Richiesta di offerta	9428	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo M5				Ponte, trifase - SCR/diodi		-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1																1,6kV	3 V	1900 A a 50 Hz	150 mA		200A												1 SCR, 6 diodi
JAN1N6630U	19.1850	Richiesta di offerta	1466	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/590	Massa	Attivo			Montaggio superficiale	SQ-MELF, E	1N6630	Standard			D-5B	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0080	1		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																							900 V		1,4 V a 1,4 A	50 n	2 µA a 900 V	-65°C ~ 150°C	1,4A	-
SMBJ5337C/TR13	-	Richiesta di offerta	4519	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-214AA, PMI	SMBJ5337		5 W		SMBJ (DO-214AA)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																											1,2 V a 1 A		5 µA a 1 V								4,7 V	2 Ohm
1N5272A (DO-35)	-	Richiesta di offerta	6150	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	±10%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N5272		500 mW		DO-35	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1																											1,5 V a 200 mA		100 nA a 80 V								110 V	750 Ohm
MSAD36-08	-	Richiesta di offerta	5703	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto			Montaggio su telaio	D1		Standard			D1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0080	1		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)																						1 paio di anodo comune	800 V	36A	1,25 V a 100 A		5 mA a 800 V
1002MP	-	Richiesta di offerta	5604	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55FW-1			7 W		55FW-1	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1					8,24dB~11dB																													50 V	250 mA				-		20 a 100 mA, 5 V	960 MHz ~ 1.215 GHz	-
2EZ75D5/TR8	-	Richiesta di offerta	3957	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	2EZ75		2 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																											1,2 V a 200 mA		500 nA a 56 V								75 V	90 Ohm
1PMT5923C/TR7	-	Richiesta di offerta	2835	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-216AA	1PMT5923		3 W		DO-216AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																											1,2 V a 200 mA		5 µA a 6,5 V								8,2 V	3,5 Ohm
CPT50060D	-	Richiesta di offerta	8044	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto			Montaggio su telaio	TO-244AB		Schottky			TO-244AB	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0080	1		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																						Connessione in serie da 1 paio	60 V	250A	730 mV a 250 A		8 mA a 60 V
2EZ150D2/TR8	-	Richiesta di offerta	9526	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	2EZ150		2 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																											1,2 V a 200 mA		500 nA a 114 V								150 V	575 Ohm
DME500	-	Richiesta di offerta	9257	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55KT			1700 W		55KT	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1					6dB~6,5dB																													55 V	40A				NPN		10 a 500 mA, 5 V	1,025 GHz ~ 1,15 GHz	-
1N5926CG	6.0300	Richiesta di offerta	5176	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N5926		1,25 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1																											1,2 V a 200 mA		1 µA a 8,4 V								11 V	5,5 Ohm
APTC80DDA29T3G	-	Richiesta di offerta	2160	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP3	APTC80	MOSFET (ossido di metallo)	156 W		SP3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio)					800 V	15A		290 mOhm a 7,5 A, 10 V	3,9 V a 1 mA	90nC a 10V		2254 pF a 25 V	-
FST153100	-	Richiesta di offerta	4761	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto			Montaggio a vite	Variante TO-249-9, TO-249AA		Schottky			TO-249	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0080	1		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																						1 paio di catodo comune	100 V	75A	940 mV a 75 A		1,5 mA a 100 V