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Prodotti a semiconduttore discreti(6716)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Ingresso | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Corrente - Interruzione collettore (max) | Termistore NTC | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Capacità di ingresso (Cies) @ Vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | JAN2N7236 | - |  | 2262 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/595 | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti) | MOSFET (ossido di metallo) | TO-254AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canale P | 100 V | 18A (Tc) | 10 V | 220 mOhm a 18 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 60 nC a 10 V | ±20 V | - | 4 W (Ta), 125 W (Tc) | |||||||||||||||||
 | SMAJ4495E3/TR13 | - | | 1647 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | 1,5 W | DO-214AC (SMAJ) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V a 200 mA | 25 nA a 144 V | 180 V | 1300 Ohm | |||||||||||||||||||||||
 | 1N5382AE3/TR8 | - | | 9782 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5382 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 101 V | 140 V | 230 Ohm | ||||||||||||||||||||||
| 2EZ3.9D2/TR12 | - | | 5458 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ3.9 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 30 µA a 1 V | 3,9 V | 5 Ohm | |||||||||||||||||||||
| APTGF250DA60D3G | - | | 4520 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Montaggio su telaio | Modulo D-3 | 1250 W | Standard | D3 | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Separare | TNP | 600 V | 400 A | 2,45 V a 15 V, 300 A | 500 µA | NO | 13 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||
| JANTX2N6770T1 | - | | 7368 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/543 | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti) | MOSFET (ossido di metallo) | TO-254AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 500 V | 12A (Tc) | 10 V | 500 mOhm a 12 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 120 nC a 10 V | ±20 V | - | 4 W (Ta), 150 W (Tc) | |||||||||||||||||
| 1N5386B/TR8 | - | | 8013 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5386 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 130 V | 180 V | 430 Ohm | |||||||||||||||||||||
| 3EZ8.2DE3/TR12 | - | | 6176 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ8.2 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 6 V | 8,2 V | 2,3 Ohm | |||||||||||||||||||||
| 3EZ200D5/TR8 | - | | 8515 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ200 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 152 V | 200 V | 875 Ohm | |||||||||||||||||||||
| 1N5917CE3/TR13 | - | | 9526 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5917 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 1,5 V | 4,7 V | 5 Ohm | ||||||||||||||||||||||
| MS2091H | - | | 8389 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ140D10E3/TR12 | - | | 2402 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ140 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 106,4 V | 140 V | 500 ohm | ||||||||||||||||||||||
| 2EZ16D5E3/TR12 | - | | 1849 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ16 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 12,2 V | 16 V | 8 Ohm | |||||||||||||||||||||
| 1N5956CP/TR12 | - | | 2829 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5956 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 152 V | 200 V | 1200 Ohm | |||||||||||||||||||||
| 1EZ110D2/TR12 | - | | 5076 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1EZ110 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 83,6 V | 110 V | 570 Ohm | |||||||||||||||||||||
| MC1331 | - | | 1918 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ19D5/TR12 | - | | 2766 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ19 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 14,4 V | 19 V | 11 Ohm | |||||||||||||||||||||
| 3EZ22D/TR12 | - | | 8381 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ22 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 16,7 V | 22 V | 8 Ohm | |||||||||||||||||||||
| APTGT400DA120D3G | - | | 7056 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | Modulo D-3 | 2100 W | Standard | D3 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Separare | Sosta sul campo di trincea | 1200 V | 580A | 2,1 V a 15 V, 400 A | 750 µA | NO | 29 nF a 25 V | |||||||||||||||||||
| 2EZ140D2/TR12 | - | | 6761 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ140 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 106,4 V | 140 V | 500 ohm | |||||||||||||||||||||
| 1EZ150D/TR12 | - | | 2623 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1EZ150 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 114 V | 150 V | 1300 Ohm | |||||||||||||||||||||
| 3EZ30D5/TR12 | - | | 4443 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ30 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 22,5 V | 30 V | 16 Ohm | |||||||||||||||||||||
| 1N4729AE3/TR13 | - | | 8184 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4729 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 100 µA a 1 V | 3,6 V | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||
| 1N5917PE3/TR12 | - | | 5279 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5917 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 1,5 V | 4,7 V | 5 Ohm | ||||||||||||||||||||||
| 1N5339CE3/TR12 | - | | 6649 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5339 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 1 µA a 2 V | 5,6 V | 1 Ohm | ||||||||||||||||||||||
| 1N4763AG | 3.1350 | | 1901 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4763 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 69,2 V | 91 V | 250 Ohm | |||||||||||||||||||||
| 61110 | - | | 5925 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Non applicabile | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4761CP/TR12 | - | | 7211 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4761 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 56 V | 75 V | 175 Ohm | |||||||||||||||||||||
 | 1PMT5923/TR13 | - | | 5920 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1PMT5923 | 3 W | DO-216AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 6,5 V | 8,2 V | 3,5 Ohm | |||||||||||||||||||||
 | 1N5261A(DO-35) | - | | 3592 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N5261 | 500 mW | DO-35 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V a 200 mA | 100 nA a 36 V | 47 V | 105 Ohm |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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