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Prodotti a semiconduttore discreti(6716)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Ingresso | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Corrente - Interruzione collettore (max) | Termistore NTC | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Capacità di ingresso (Cies) @ Vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1PMT5916B/TR13 | - |  | 8973 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1PMT5916 | 3 W | DO-216AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 1 V | 4,3 V | 6 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N5337BE3/TR12 | - | | 6654 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5337 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 5 µA a 1 V | 4,7 V | 2 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ190D5/TR8 | - | | 2220 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ190 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 144,8 V | 190 V | 800 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | SMBJ4755CE3/TR13 | - | | 7689 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | SMBJ4755 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 32,7 V | 43 V | 70 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5386B/TR8 | - | | 8013 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5386 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 130 V | 180 V | 430 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ200D5/TR8 | - | | 8515 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ200 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 152 V | 200 V | 875 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ8.2DE3/TR12 | - | | 6176 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ8.2 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 6 V | 8,2 V | 2,3 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | JANTX2N6770T1 | - | | 7368 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/543 | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti) | MOSFET (ossido di metallo) | TO-254AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 500 V | 12A (Tc) | 10 V | 500 mOhm a 12 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 120 nC a 10 V | ±20 V | - | 4 W (Ta), 150 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
| APTGF250DA60D3G | - | | 4520 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Montaggio su telaio | Modulo D-3 | 1250 W | Standard | D3 | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Separare | TNP | 600 V | 400 A | 2,45 V a 15 V, 300 A | 500 µA | NO | 13 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ3.9D2/TR12 | - | | 5458 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ3.9 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 30 µA a 1 V | 3,9 V | 5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5916P/TR12 | - | | 9835 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5916 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 1 V | 4,3 V | 6 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| UFT7260SM2C | - | | 9088 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | M2 | Standard | SM2 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 600 V | 35A | 1,35 V a 35 A | 75 ns | 25 µA a 600 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 1EZ110D/TR12 | - | | 1390 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1EZ110 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 83,6 V | 110 V | 570 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SMBJ4751CE3/TR13 | - | | 9334 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | SMBJ4751 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 22,8 V | 30 V | 40 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | JANTX1N4957CUS | 20.4300 | | 5736 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/435 | Massa | Attivo | ±2% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | SQ-MELF, E | 1N4957 | 5 W | D-5B | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 1 A | 25 µA a 6,9 V | 9,1 V | 2 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | SMAJ4495E3/TR13 | - | | 1647 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | 1,5 W | DO-214AC (SMAJ) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V a 200 mA | 25 nA a 144 V | 180 V | 1300 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5375AE3/TR13 | - | | 4274 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5375 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.250 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 59 V | 82 V | 64 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SMAJ6491CE3/TR13 | - | | 9326 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | 1,5 W | DO-214AC (SMAJ) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 2 V | 5,6 V | 5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SK38AE3/TR13 | - | | 8650 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | SK38 | Schottky | PMI (DO-214AA) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 7.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 80 V | 850 mV a 3 A | 500 µA a 80 V | -55°C ~ 125°C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ47D5/TR12 | - | | 6663 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ47 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 35,8 V | 47 V | 40 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ33D5/TR12 | - | | 5535 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ33 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 25,1 V | 33 V | 23 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5954P/TR12 | - | | 1572 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5954 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 121,6 V | 160 V | 700 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ62D2E3/TR12 | - | | 6520 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ62 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 47,1 V | 62 V | 55 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT24F50S | - | | 8394 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | POWERMOS8™ | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-268-3, D³Pak (2 cavi + linguatta), TO-268AA | APT24F50 | MOSFET (ossido di metallo) | D3Pak | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 500 V | 24A (Tc) | 10 V | 240 mOhm a 11 A, 10 V | 5 V a 1 mA | 90 nC a 10 V | ±30 V | 3630 pF a 25 V | - | 335 W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
| JAN2N7236 | - | | 2262 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/595 | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti) | MOSFET (ossido di metallo) | TO-254AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canale P | 100 V | 18A (Tc) | 10 V | 220 mOhm a 18 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 60 nC a 10 V | ±20 V | - | 4 W (Ta), 125 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ18D10E3/TR8 | - | | 6904 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ18 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 13,7 V | 18 V | 6 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| APTML1002U60R020T3AG | - | | 5282 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP3 | APTML1002 | MOSFET (ossido di metallo) | 520W | SP3 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canali N (doppio) | 1000 V (1 kV) | 20A | 720 mOhm a 10 A, 10 V | 4 V a 2,5 mA | - | 6000 pF a 25 V | - | |||||||||||||||||||||||||||
| 1N4895 | - | | 1706 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AA, DO-7, assiale | 1N4895 | 400 mW | DO-7 | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 6,35 V | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5955BP/TR12 | - | | 2883 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5955 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 136,8 V | 180 V | 900 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ11DE3/TR8 | - | | 7182 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ11 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 8,4 V | 11 V | 4 Ohm |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
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