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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Tipo FET | Corrente - Mantenimento (Ih) (Max) | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tensione - Stato spento | Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max) | Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm) | Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max) | Tensione - Stato attivo (Vtm) (max) | Corrente - Stato acceso (It (AV)) (Max) | Corrente - Stato spento (max) | TipoSCR | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MSAD100-08 | - | ![]() | 9575 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | D1 | Standard | D1 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 800 V | 100A | 1,35 V a 300 A | 5 mA a 800 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5262A (DO-35) | - | ![]() | 5360 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±10% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N5262 | 500 mW | DO-35 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 200 mA | 100 nA a 37 V | 51 V | 125 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS18140R | - | ![]() | 2221 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | MEZZA PAK | Schottky, Polarità inversa | MEZZA PAK | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 40 V | 700 mV a 180 A | 4 mA a 40 V | 180A | 7500pF a 5 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5949BP/TR8 | - | ![]() | 1093 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5949 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 76 V | 100 V | 250 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N2325A | - | ![]() | 1840 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-STD-701 | Massa | Obsoleto | -65°C ~ 125°C | Foro passante | TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo | TO-5 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 2 mA | 150 V | 600 mV | 15 A a 60 Hz | 20 µA | 2,2 V | 1,6 A | 10 µA | Cancello sensibile | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5355C/TR13 | - | ![]() | 5363 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | SMBJ5355 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 13 V | 18 V | 2,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT2X40DC120J | - | ![]() | 6578 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | SOT-227-4, miniBLOC | APT2X40 | SiC (carburo di silicio) Schottky | SOT-227 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 2 Indipendente | 1200 V | 40A | 1,8 V a 40 A | 0 ns | 800 µA a 1200 V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5383BE3/TR13 | - | ![]() | 3962 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | SMBJ5383 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 108 V | 150 V | 330 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ110D2E3/TR12 | - | ![]() | 2229 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ110 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 83,6 V | 110 V | 250 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ4730CE3/TR13 | - | ![]() | 9014 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | SMBJ4730 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 50 µA a 1 V | 3,9 V | 9 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5951CP/TR8 | - | ![]() | 8475 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5951 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 91,2 V | 120 V | 380 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4755A G | - | ![]() | 7552 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4755 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 32,7 V | 43 V | 70 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N4466DUS | 49.5750 | ![]() | 3889 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/406 | Massa | Attivo | ±1% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | SQ-MELF, A | 1N4466 | 1,5 W | D-5A | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V a 200 mA | 300 nA a 8,8 V | 11 V | 6 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK32/TR13 | - | ![]() | 8849 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | Nastro e bobina (TR) | Attivo | SK32 | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5931BE3/TR13 | - | ![]() | 4699 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG5931 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 13,7 V | 18 V | 12 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTML50UM90R020T1AG | - | ![]() | 2205 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP1 | MOSFET (ossido di metallo) | SP1 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 500 V | 52A(Tc) | 10 V | 108 mOhm a 26 A, 10 V | 4 V a 2,5 mA | ±30 V | 7600 pF a 25 V | - | 568 W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N7236 | - | ![]() | 4906 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/595 | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti) | MOSFET (ossido di metallo) | TO-254AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canale P | 100 V | 18A (Tc) | 10 V | 220 mOhm a 18 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 60 nC a 10 V | ±20 V | - | 4 W (Ta), 125 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ6.8D/TR12 | - | ![]() | 9386 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ6.8 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 4 V | 6,8 V | 2 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMAJ4491E3/TR13 | - | ![]() | 6214 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | 1,5 W | DO-214AC (SMAJ) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V a 200 mA | 25 nA a 96 V | 120 V | 400 ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4751AG | 3.1350 | ![]() | 1574 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4751 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 22,8 V | 30 V | 40 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5335E3/TR8 | - | ![]() | 7506 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5335 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V a 1 A | 50 µA a 1 V | 3,9 V | 2 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1EZ110D5E3/TR8 | - | ![]() | 9832 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1EZ110 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 83,6 V | 110 V | 570 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6768 | - | ![]() | 8625 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-204AE | 2N6768 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-3 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 400 V | 14A (Tc) | 10 V | 400 mOhm a 14 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 110 nC a 10 V | ±20 V | - | 4 W (Ta), 150 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5379B/TR8 | - | ![]() | 9140 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5379 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 79,2 V | 110 V | 125 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5363B | - | ![]() | 3800 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5363 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 21,6 V | 30 V | 8 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ16D/TR8 | - | ![]() | 3675 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ16 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 12,2 V | 16 V | 8 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ15D5E3/TR12 | - | ![]() | 7446 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ15 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 11,4 V | 15 V | 5,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N4487CUS | 28.1550 | ![]() | 4278 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/406 | Massa | Attivo | ±2% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | SQ-MELF, A | 1N4487 | 1,5 W | D-5A | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V a 200 mA | 250 nA a 65,6 V | 82 V | 160 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N4964DUS | 32.2500 | ![]() | 8169 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/435 | Massa | Attivo | ±1% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | SQ-MELF, E | 1N4964 | 5 W | D-5B | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 1 A | 5 µA a 13,7 V | 18 V | 4 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG4746CE3/TR13 | - | ![]() | 3527 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG4746 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 13,7 V | 18 V | 20 Ohm |

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