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Prodotti a semiconduttore discreti(6716)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Voltaggio: nominale | Temperatura operativa | Applicazioni | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Tipo FET | Corrente nominale (Amp) | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Tipo di transistor |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 3EZ51DE3/TR8 | - |  | 9000 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ51 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 38,8 V | 51 V | 48 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
 | UFT14140D | - | | 9349 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio a vite | Base isolata TO-249AA | Standard | TO-249 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | Connessione in serie da 1 paio | 400 V | 70A | 1,25 V a 70 A | 60 ns | 25 µA a 400 V | |||||||||||||||||||||||||||
 | SMBG4732AE3/TR13 | - | | 1964 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG4732 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 1 V | 4,7 V | 8 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
| APT25SM120B | - | | 3461 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | SiCFET (carburo di silicio) | TO-247 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 1200 V | 25A (Tc) | 20 V | 175 mOhm a 10 A, 20 V | 2,5 V a 1 mA | 72 nC a 20 V | +25 V, -10 V | - | 175 W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
| 3EZ8.2D10E3/TR8 | - | | 8547 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ8.2 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 6 V | 8,2 V | 2,3 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
| 1N5942AG | 3.4050 | | 2001 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±10% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5942 | 1,25 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 38,8 V | 51 V | 70 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ16D2E3/TR8 | - | | 6781 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ16 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 12,2 V | 16 V | 8 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ170D/TR8 | - | | 8617 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ170 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 130,4 V | 170 V | 650 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
 | SMAJ4487E3/TR13 | - | | 8019 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | 1,5 W | DO-214AC (SMAJ) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V a 200 mA | 25 nA a 65,6 V | 82 V | 160 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5952BPE3/TR8 | - | | 4478 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5952 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 98,8 V | 130 V | 450 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
| 1EZ100D10/TR8 | - | | 2750 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1EZ100 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 100 V | ||||||||||||||||||||||||||||
| 1EZ190D10/TR8 | - | | 4245 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1EZ190 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 144,8 V | 190 V | 1700 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
| SMBG5922B/TR13 | - | | 1006 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG5922 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 6 V | 7,5 V | 3 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
| 1N4763APE3/TR12 | - | | 1011 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4763 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 69,2 V | 91 V | 250 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
 | JANTX1N4478DUS | 49.5750 | | 7722 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/406 | Massa | Attivo | ±1% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | SQ-MELF, A | 1N4478 | 1,5 W | D-5A | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V a 200 mA | 50 nA a 28,8 V | 36 V | 27 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ36D5E3/TR8 | - | | 9316 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ36 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 27,4 V | 36 V | 25 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ7.5D2/TR12 | - | | 5346 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ7.5 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 5 V | 7,5 V | 2 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ11D5E3/TR8 | - | | 3622 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ11 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 8,4 V | 11 V | 4 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ11D2E3/TR8 | - | | 9293 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ11 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 8,4 V | 11 V | 4 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
| 1N5944BG | 3.4050 | | 9475 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5944 | 1,25 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 47,1 V | 62 V | 100 ohm | ||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ15D10/TR8 | - | | 3018 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ15 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 11,4 V | 15 V | 5,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
 | APT40DS10HJ | - | | 2567 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SOT-227-4, miniBLOC | Standard | SOT-227 | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 880 mV a 40 A | 1 mA a 100 V | 40A | Monofase | 100 V | |||||||||||||||||||||||||||||
| APT20DC120HJ | - | | 6580 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio su telaio | SOT-227-4, miniBLOC | APT20DC120 | Schottky al carburo di silicio | SOT-227 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,8 V a 20 A | 400 µA a 1200 V | 20A | Monofase | 1,2 kV | ||||||||||||||||||||||||||
| MS108E3/TR12 | - | | 6696 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | MS108 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 80 V | 810 mV a 1 A | 100 µA a 80 V | -55°C ~ 175°C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||
| 1N5956BP/TR12 | - | | 5010 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5956 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 152 V | 200 V | 1200 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ170D5E3/TR8 | - | | 5033 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ170 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 130,4 V | 170 V | 675 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||
| BYI-1F | - | | 8668 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | 55 V | Bias dell'amplificatore lineare | Montaggio a perno | 55 piedi | BYI-1 | 55 piedi | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 700mA | BISTORE | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | JANTX1N4985CUS | 24.6000 | | 3745 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/435 | Massa | Attivo | ±2% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | SQ-MELF, E | 1N4985 | 5 W | D-5B | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 1 A | 2 µA a 98,8 V | 130 V | 190 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ8.2DE3/TR12 | - | | 3896 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ8.2 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 6 V | 8,2 V | 2,3 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
| CPT60045D | - | | 9912 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | Connessione in serie da 1 paio | 45 V | 300A | 650 mV a 300 A | 2 A a 45 V |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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