- Richiesta di offerta
- Distinta base
- Contattaci
Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-components.com
- cinese
- Inglese
- francese
- tedesco
- portoghese
- spagnolo
- russo
- giapponese
- coreano
- arabo
- irlandese
- greco
- turco
- Italiano
- danese
- rumeno
- indonesiano
- ceco
- afrikaans
- svedese
- Polacco
- Basco
- catalano
- esperanto
- hindi
- Laotiano
- albanese
- Amarico
- armeno
- Azero
- bielorusso
- bengalese
- Bosniaco
- bulgaro
- Cebuano
- Chichewa
- Corso
- croato
- Olandese
- Estone
- filippino
- finlandese
- Frisone
- galiziano
- georgiano
- Gujarati
- Haitiano
- Hausa
- hawaiano
- ebraico
- Hmong
- ungherese
- islandese
- Igbo
- giavanese
- Kannada
- Kazakistan
- Khmer
- curdo
- Kirghizistan
- latino
- lettone
- lituano
- Lussemburgo..
- macedone
- malgascio
- malese
- Malayalam
- maltese
- Maori
- Marathi
- mongolo
- birmano
- nepalese
- norvegese
- Pashtu
- persiano
- Punjabi
- serbo
- Sesotho
- Singalese
- slovacco
- sloveno
- Somalo
- Samoano
- Gaelico scozzese
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tagico
- Tamil
- Telugu
- tailandese
- ucraino
- Urdu
- Uzbeco
- vietnamita
- gallese
- Xhosa
- yiddish
- Yoruba
- Zulù
- Kinyarwanda
- Tartaro
- Oriya
- turkmeno
- Uiguro
Prodotti a semiconduttore discreti(6716)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Ingresso | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Corrente - Media rettificata (Io) | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Corrente - Interruzione collettore (max) | Termistore NTC | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Capacità di ingresso (Cies) @ Vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | APTGF360U60D4G | - |  | 2082 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Montaggio su telaio | D4 | 1560 W | Standard | D4 | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Separare | TNP | 600 V | 450 A | 2,45 V a 15 V, 360 A | 500 µA | NO | 17 nF a 25 V | |||||||||||||
 | 2EZ10D2/TR12 | - | | 1594 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ10 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 3 µA a 7,6 V | 10 V | 3,5 Ohm | ||||||||||||||
| 2EZ11D5E3/TR8 | - | | 3622 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ11 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 8,4 V | 11 V | 4 Ohm | ||||||||||||||
| SMBG5922B/TR13 | - | | 1006 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG5922 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 6 V | 7,5 V | 3 Ohm | ||||||||||||||
| 2EZ36D5E3/TR8 | - | | 9316 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ36 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 27,4 V | 36 V | 25 Ohm | ||||||||||||||
| 2EZ7.5D2/TR12 | - | | 5346 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ7.5 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 5 V | 7,5 V | 2 Ohm | ||||||||||||||
| 1N5387B/TR8 | - | | 10000 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5387 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 137 V | 190 V | 450 Ohm | ||||||||||||||
| 1EZ180D/TR8 | - | | 4323 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1EZ180 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 136,8 V | 180 V | 1500 Ohm | ||||||||||||||
| 1N5381BE3/TR12 | - | | 9872 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5381 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 93,6 V | 130 V | 190 Ohm | |||||||||||||||
| SMBG5925CE3/TR13 | - | | 2996 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG5925 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 8 V | 10 V | 4,5 Ohm | |||||||||||||||
 | APTGL180A1202G | - | | 3146 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP2 | APTGL180 | 750 W | Standard | SP2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Mezzo ponte | Sosta sul campo di trincea | 1200 V | 220A | 2,2 V a 15 V, 150 A | 300 µA | NO | 9,3 nF a 25 V | ||||||||||
| 2EZ180D2E3/TR8 | - | | 3433 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ180 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 136,8 V | 180 V | 725 Ohm | |||||||||||||||
| 1N5386A/TR8 | - | | 1614 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5386 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 130 V | 180 V | 430 Ohm | ||||||||||||||
| 2EZ11D10E3/TR12 | - | | 9172 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ11 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 8,4 V | 11 V | 4 Ohm | ||||||||||||||
| APTGV30H60T3G | - | | 7693 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP3 | 90 W | Standard | SP3 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Invertitore a ponte intero | TNP, Fermata ai campi di trincea | 600 V | 50A | 1,9 V a 15 V, 30 A | 250 µA | SÌ | 1,6 nF a 25 V | ||||||||||||
| 1N4729P/TR12 | - | | 1115 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4729 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 100 µA a 1 V | 3,6 V | 10 Ohm | ||||||||||||||
| 2EZ47D5/TR8 | - | | 7367 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ47 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 35,8 V | 47 V | 40 Ohm | ||||||||||||||
| 2EZ160D2/TR12 | - | | 2957 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ160 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 121,6 V | 160 V | 650 Ohm | ||||||||||||||
| 1N5336A/TR8 | - | | 5988 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5336 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V a 1 A | 10 µA a 1 V | 4,3 V | 2 Ohm | ||||||||||||||
 | 1PMT5917BE3/TR13 | - | | 5991 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1PMT5917 | 3 W | DO-216AA | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 1,5 V | 4,7 V | 5 Ohm | |||||||||||||||
 | MSD50-16 | - | | 1383 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Terminale CQ | M1 | Standard | MSD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,5 V a 100 A | 200 µA a 1600 V | 50A | Tre fasi | 1,6kV | ||||||||||||||||
| 1PMT4624CE3/TR7 | - | | 7801 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | POWERMITE® | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1 W | DO-216 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V a 200 mA | 10 µA a 3 V | 4,7 V | 1600 Ohm | ||||||||||||||||
| 1N5335CE3/TR12 | - | | 4900 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5335 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 50 µA a 1 V | 3,9 V | 2 Ohm | |||||||||||||||
| SMBG5929CE3/TR13 | - | | 2037 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG5929 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 11,4 V | 15 V | 9 Ohm | |||||||||||||||
 | APT50DL120HJ | - | | 6678 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SOT-227-4, miniBLOC | Standard | SOT-227 | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 2,1 V a 50 A | 250 µA a 1200 V | 50A | Monofase | 1,2 kV | |||||||||||||||||
| 1N5952CPE3/TR8 | - | | 1287 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5952 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 98,8 V | 130 V | 450 Ohm | |||||||||||||||
| 2EZ13D/TR12 | - | | 6453 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ13 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 9,9 V | 13 V | 5 Ohm | ||||||||||||||
| 3EZ6.2DE3/TR12 | - | | 4444 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ6.2 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 3 V | 6,2 V | 1,5 Ohm | ||||||||||||||
| 1EZ100D10E3/TR12 | - | | 6824 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1EZ100 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 100 V | |||||||||||||||||
 | 1N5242BDO35E3 | - | | 9958 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N5242 | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V a 200 mA | 1 µA a 9,1 V | 12 V | 30 Ohm |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
Lista dei desideri (0 articoli)