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Prodotti a semiconduttore discreti(6716)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Struttura | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Tipo FET | Corrente - Mantenimento (Ih) (Max) | Guadagno | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tensione - Stato spento | Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max) | Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm) | Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max) | Corrente - Stato attivo (It (AV)) (Max) | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (Max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Corrente - Media rettificata (Io) | Numero di SCR, diodi | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Tipo di transistor | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Figura di rumore (dB tipo @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MRF544 | - |  | 6748 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Foro passante | TO-39 | 3,5 W | TO-39 | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 13,5dB | 70 V | 400mA | NPN | 15 a 50 mA, 6 V | 1,5GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N5354B | - | | 8978 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5354 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 12,2 V | 17 V | 2,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ6.8D5E3/TR12 | - | | 4741 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ6.8 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 4 V | 6,8 V | 2 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ190D5/TR8 | - | | 4890 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ190 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 144,8 V | 190 V | 825 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N7225U | - | | 2166 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-267AB | MOSFET (ossido di metallo) | TO-267AB | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 200 V | 27,4 A(Tc) | 10 V | 100 mOhm a 17 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 115 nC a 10 V | ±20 V | - | 4 W (Ta), 150 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ20DE3/TR8 | - | | 5340 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ20 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 15,2 V | 20 V | 7 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMBG5945B/TR13 | - | | 2479 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG5945 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 51,2 V | 68 V | 120 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ180D5/TR8 | - | | 7134 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ180 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 136,8 V | 180 V | 725 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ100DE3/TR12 | - | | 6642 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ100 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 76 V | 100 V | 160 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5950P/TR8 | - | | 5690 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5950 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 83,6 V | 110 V | 300 ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5334BE3/TR12 | - | | 9054 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5334 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 150 µA a 1 V | 3,6 V | 2,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1PMT4624C/TR7 | - | | 3038 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | POWERMITE® | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1 W | DO-216 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V a 200 mA | 10 µA a 3 V | 4,7 V | 1600 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UFT14280A | - | | 2563 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio a vite | Base isolata TO-249AA | Standard | TO-249 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 800 V | 70A | 1,35 V a 70 A | 75 ns | 25 µA a 800 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1EZ200D10E3/TR12 | - | | 6218 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1EZ200 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 152 V | 200 V | 1900 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTML102UM09R004T3AG | - | | 8404 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP3 | APTML102 | MOSFET (ossido di metallo) | 480 W | SP3 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canali N (doppio) | 100 V | 154A(Tc) | 10 mOhm a 69,5 A, 10 V | 4 V a 2,5 mA | - | 9875 pF a 25 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5948BP/TR12 | - | | 4498 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5948 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 69,2 V | 91 V | 200 ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ140DE3/TR8 | - | | 3355 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ140 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 106,4 V | 140 V | 475 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SMAJ5915CE3/TR13 | - | | 4977 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | SMAJ5915 | 3 W | DO-214AC (SMAJ) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V a 200 mA | 25 µA a 1 V | 3,9 V | 7,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ130D2/TR8 | - | | 5601 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ130 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 98,8 V | 130 V | 400 ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ16D2/TR8 | - | | 4153 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ16 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 12,2 V | 16 V | 5,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSFC90-16 | - | | 3387 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TJ) | Montaggio su telaio | Modulo | Collegamento in serie: SCR/diodo | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | 250 mA | 1,6kV | 3 V | 2000 A a 50 Hz | 150 mA | 90A | 1 SCR, 1 diodo | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMAJ5948AE3/TR13 | - | | 3793 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | SMAJ5948 | 3 W | DO-214AC (SMAJ) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 69,2 V | 91 V | 200 ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5378CE3/TR12 | - | | 5280 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5378 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 72 V | 100 V | 90 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ56D5/TR12 | - | | 6435 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ56 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 42,6 V | 56 V | 50 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSDM150-08 | - | | 3773 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | Modulo | Standard | M2-1 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,4 V a 150 A | 500 µA a 800 V | 150A | Tre fasi | 800 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ5.1DE3/TR12 | - | | 7929 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ5.1 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 1 V | 5,1 V | 3,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UZ7756L | 75.4800 | | 13 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | Assiale | UZ7756 | 6 W | - | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA a 42,6 V | 56 V | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMBG5916AE3/TR13 | - | | 1685 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG5916 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 1 V | 4,3 V | 6 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ5.1D2/TR12 | - | | 5234 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ5.1 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 1 V | 5,1 V | 3,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ180D10/TR12 | - | | 4141 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ180 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 136,8 V | 180 V | 700 Ohm |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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