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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Struttura | Ingresso | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Corrente - Mantenimento (Ih) (Max) | Guadagno | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Tensione - Stato spento | Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max) | Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm) | Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max) | Corrente - Stato acceso (It (AV)) (Max) | TipoSCR | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Numero di SCR, diodi | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Corrente - Interruzione collettore (max) | Termistore NTC | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | Tipo di transistor | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Figura di rumore (dB tipo @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N5954P/TR8 | - | ![]() | 2611 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5954 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 121,6 V | 160 V | 700 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK15E3/TR13 | - | ![]() | 1654 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | SK15E3 | Schottky | DO-214AA (SMBJ) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 7.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 50 V | 720 mV a 1 A | 500 µA a 50 V | -65°C ~ 175°C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT75SK120D1G | - | ![]() | 8281 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | D1 | 357 W | Standard | D1 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Separare | Sosta sul campo di trincea | 1200 V | 110A | 2,1 V a 15 V, 75 A | 4 mA | NO | 5.345 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG4734CE3/TR13 | - | ![]() | 3962 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG4734 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 2 V | 5,6 V | 5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N4494DUS | 49.5750 | ![]() | 7376 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/406 | Massa | Attivo | ±1% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | SQ-MELF, A | 1N4494 | 1,5 W | D-5A | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V a 200 mA | 250 nA a 128 V | 160 V | 1000 ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF5812 | - | ![]() | 7183 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | 1,25 W | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 13dB~15,5dB | 15 V | 200mA | NPN | 50 a 50 mA, 5 V | 5GHz | 2 dB ~ 3 dB a 500 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ6.8D10E3/TR12 | - | ![]() | 7050 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ6.8 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 4 V | 6,8 V | 2 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ7.5D2/TR8 | - | ![]() | 6490 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ7.5 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 5 V | 7,5 V | 2 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1EZ160D2/TR12 | - | ![]() | 6903 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1EZ160 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 121,6 V | 160 V | 1400 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT150A120D1G | - | ![]() | 6590 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Montaggio su telaio | D1 | 700 W | Standard | D1 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Mezzo ponte | Sosta sul campo di trincea | 1200 V | 220A | 2,1 V a 15 V, 150 A | 4 mA | NO | 10,8 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UFT7260SM6C | - | ![]() | 3028 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | Modulo | Standard | SM6 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 600 V | 35A | 1,35 V a 35 A | 75 ns | 25 µA a 600 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 64010H | - | ![]() | 8488 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Non applicabile | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N2329S | - | ![]() | 8447 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/276 | Massa | Obsoleto | -65°C ~ 125°C | Foro passante | TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo | TO-39 (TO-205AD) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.30.0080 | 100 | 2 mA | 400 V | 800 mV | - | 200 µA | 220 mA | Cancello sensibile | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTSM120TAM33CTPAG | - | ![]() | 9456 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP6 | APTSM120 | Carburo di silicio (SiC) | 714W | SP6 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 canali N (ponte trifase) | 1200 V (1,2 kV) | 112A(Tc) | 33 mOhm a 60 A, 20 V | 3 V a 3 mA | 408nC a 20V | 7680 pF a 1000 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1214-55 | - | ![]() | 9413 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | 200°C (TJ) | Montaggio su telaio | 55AW | 175 W | 55AW | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 7dB | 50 V | 8A | NPN | 20 a 1 A, 5 V | 1,2GHz~1,4GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1EZ200D2/TR8 | - | ![]() | 6304 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1EZ200 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 152 V | 200 V | 1900 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSFC60-08 | - | ![]() | 1877 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TJ) | Montaggio su telaio | Modulo | Collegamento in serie: SCR/diodo | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | 250 mA | 800 V | 3 V | 1500 A a 50 Hz | 150 mA | 60A | 1 SCR, 1 diodo | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5336C/TR13 | - | ![]() | 7582 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG5336 | 5 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 10 µA a 1 V | 4,3 V | 2 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ51D5E3/TR12 | - | ![]() | 5696 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ51 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 38,8 V | 51 V | 48 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTSM120AM14CD3AG | - | ![]() | 5294 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio su telaio | Modulo | APTSM120 | Carburo di silicio (SiC) | 2140W | Modulo | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canali N (doppio), Schottky | 1200 V (1,2 kV) | 337A(Tc) | 11 mOhm a 180 A, 20 V | 3 V a 9 mA | 1224nC a 20 V | 23.000 pF a 1.000 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PMT5919E3/TR13 | - | ![]() | 2279 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1PMT5919 | 3 W | DO-216AA | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 3 V | 5,6 V | 2 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5922B G | - | ![]() | 3471 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5922 | 1,25 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 6 V | 7,5 V | 3 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5338A/TR8 | - | ![]() | 8789 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5338 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V a 1 A | 1 µA a 1 V | 5,1 V | 1,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4729 G | - | ![]() | 5631 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±10% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4729 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 100 µA a 1 V | 3,6 V | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGF300DU120G | - | ![]() | 6723 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Montaggio su telaio | SP6 | 1780 W | Standard | SP6 | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Doppia fonte comune | TNP | 1200 V | 400 A | 3,9 V a 15 V, 300 A | 500 µA | NO | 21 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N2857UB | - | ![]() | 8543 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montaggio superficiale | 3-SMD, senza piombo | 200 mW | UB | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 21dB | 15 V | 40mA | NPN | 30 a 3 mA, 1 V | - | 4,5 dB a 450 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG4738C/TR13 | - | ![]() | 8437 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG4738 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 6 V | 8,2 V | 4,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MX1H5615 | - | ![]() | 3544 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Foro passante | Assiale | Standard | Assiale | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 200 V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4679 (DO35) | - | ![]() | 1938 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N4679 | 500 mW | DO-35 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 5 µA a 1 V | 2 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTDC20H1201G | - | ![]() | 3203 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP1 | APTDC20 | Schottky al carburo di silicio | SP1 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,8 V a 20 A | 400 µA a 1200 V | 20A | Monofase | 1,2 kV |

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