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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Struttura Ingresso Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Corrente - Mantenimento (Ih) (Max) Guadagno Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Tensione - Stato spento Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max) Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm) Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max) Corrente - Stato acceso (It (AV)) (Max) TipoSCR Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Numero di SCR, diodi Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Tipo di diodo Tensione - Picco inverso (max) Corrente - Interruzione collettore (max) Termistore NTC Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt) Capacità di ingresso (Cies) @ Vce Tipo di transistor Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Figura di rumore (dB tipo @ f)
1N5954P/TR8 Microsemi Corporation 1N5954P/TR8 -
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ECAD 2611 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±20% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N5954 1,5 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 1 µA a 121,6 V 160 V 700 Ohm
SK15E3/TR13 Microsemi Corporation SK15E3/TR13 -
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ECAD 1654 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AA, PMI SK15E3 Schottky DO-214AA (SMBJ) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 7.500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 50 V 720 mV a 1 A 500 µA a 50 V -65°C ~ 175°C 1A -
APTGT75SK120D1G Microsemi Corporation APTGT75SK120D1G -
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ECAD 8281 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Interrotto alla SIC -40°C ~ 150°C (TJ) Montaggio su telaio D1 357 W Standard D1 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.29.0095 1 Separare Sosta sul campo di trincea 1200 V 110A 2,1 V a 15 V, 75 A 4 mA NO 5.345 nF a 25 V
SMBG4734CE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG4734CE3/TR13 -
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ECAD 3962 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI SMBG4734 2 W SMBG (DO-215AA) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 10 µA a 2 V 5,6 V 5 Ohm
JANTX1N4494DUS Microsemi Corporation JANTX1N4494DUS 49.5750
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ECAD 7376 0.00000000 Microsemi Corporation Militare, MIL-PRF-19500/406 Massa Attivo ±1% -65°C ~ 175°C Montaggio superficiale SQ-MELF, A 1N4494 1,5 W D-5A scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1 1 V a 200 mA 250 nA a 128 V 160 V 1000 ohm
MRF5812 Microsemi Corporation MRF5812 -
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ECAD 7183 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto - Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) 1,25 W 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.29.0075 2.500 13dB~15,5dB 15 V 200mA NPN 50 a 50 mA, 5 V 5GHz 2 dB ~ 3 dB a 500 MHz
3EZ6.8D10E3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ6.8D10E3/TR12 -
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ECAD 7050 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±10% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 3EZ6.8 3 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 5 µA a 4 V 6,8 V 2 Ohm
2EZ7.5D2/TR8 Microsemi Corporation 2EZ7.5D2/TR8 -
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ECAD 6490 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ7.5 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 5 µA a 5 V 7,5 V 2 Ohm
1EZ160D2/TR12 Microsemi Corporation 1EZ160D2/TR12 -
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ECAD 6903 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1EZ160 1 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 500 nA a 121,6 V 160 V 1400 Ohm
APTGT150A120D1G Microsemi Corporation APTGT150A120D1G -
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ECAD 6590 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto - Montaggio su telaio D1 700 W Standard D1 - 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 Mezzo ponte Sosta sul campo di trincea 1200 V 220A 2,1 V a 15 V, 150 A 4 mA NO 10,8 nF a 25 V
UFT7260SM6C Microsemi Corporation UFT7260SM6C -
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ECAD 3028 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto Montaggio su telaio Modulo Standard SM6 - 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 600 V 35A 1,35 V a 35 A 75 ns 25 µA a 600 V
64010H Microsemi Corporation 64010H -
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ECAD 8488 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto - Non applicabile OBSOLETO 0000.00.0000 1
JANTXV2N2329S Microsemi Corporation JANTXV2N2329S -
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ECAD 8447 0.00000000 Microsemi Corporation Militare, MIL-PRF-19500/276 Massa Obsoleto -65°C ~ 125°C Foro passante TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo TO-39 (TO-205AD) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.30.0080 100 2 mA 400 V 800 mV - 200 µA 220 mA Cancello sensibile
APTSM120TAM33CTPAG Microsemi Corporation APTSM120TAM33CTPAG -
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ECAD 9456 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Attivo -40°C ~ 175°C (TJ) Montaggio su telaio SP6 APTSM120 Carburo di silicio (SiC) 714W SP6 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 6 canali N (ponte trifase) 1200 V (1,2 kV) 112A(Tc) 33 mOhm a 60 A, 20 V 3 V a 3 mA 408nC a 20V 7680 pF a 1000 V -
1214-55 Microsemi Corporation 1214-55 -
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ECAD 9413 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto 200°C (TJ) Montaggio su telaio 55AW 175 W 55AW scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 1 7dB 50 V 8A NPN 20 a 1 A, 5 V 1,2GHz~1,4GHz -
1EZ200D2/TR8 Microsemi Corporation 1EZ200D2/TR8 -
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ECAD 6304 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1EZ200 1 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 500 nA a 152 V 200 V 1900 Ohm
MSFC60-08 Microsemi Corporation MSFC60-08 -
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ECAD 1877 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto -40°C ~ 125°C (TJ) Montaggio su telaio Modulo Collegamento in serie: SCR/diodo - 1 (illimitato) OBSOLETO 0000.00.0000 1 250 mA 800 V 3 V 1500 A a 50 Hz 150 mA 60A 1 SCR, 1 diodo
SMBG5336C/TR13 Microsemi Corporation SMBG5336C/TR13 -
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ECAD 7582 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI SMBG5336 5 W SMBG (DO-215AA) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 1 A 10 µA a 1 V 4,3 V 2 Ohm
3EZ51D5E3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ51D5E3/TR12 -
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ECAD 5696 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 3EZ51 3 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 500 nA a 38,8 V 51 V 48 Ohm
APTSM120AM14CD3AG Microsemi Corporation APTSM120AM14CD3AG -
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ECAD 5294 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Attivo -40°C ~ 175°C (TJ) Montaggio su telaio Modulo APTSM120 Carburo di silicio (SiC) 2140W Modulo - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 2 canali N (doppio), Schottky 1200 V (1,2 kV) 337A(Tc) 11 mOhm a 180 A, 20 V 3 V a 9 mA 1224nC a 20 V 23.000 pF a 1.000 V -
1PMT5919E3/TR13 Microsemi Corporation 1PMT5919E3/TR13 -
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ECAD 2279 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±20% -55°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-216AA 1PMT5919 3 W DO-216AA scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 12.000 1,2 V a 200 mA 5 µA a 3 V 5,6 V 2 Ohm
1N5922B G Microsemi Corporation 1N5922B G -
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ECAD 3471 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Attivo ±5% -65°C ~ 175°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N5922 1,25 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1 1,2 V a 200 mA 5 µA a 6 V 7,5 V 3 Ohm
1N5338A/TR8 Microsemi Corporation 1N5338A/TR8 -
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ECAD 8789 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±10% -65°C ~ 150°C Foro passante T-18, assiale 1N5338 5 W T-18 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.000 1,2 V a 1 A 1 µA a 1 V 5,1 V 1,5 Ohm
1N4729 G Microsemi Corporation 1N4729 G -
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ECAD 5631 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Attivo ±10% -65°C ~ 175°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N4729 1 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1 1,2 V a 200 mA 100 µA a 1 V 3,6 V 10 Ohm
APTGF300DU120G Microsemi Corporation APTGF300DU120G -
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ECAD 6723 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto - Montaggio su telaio SP6 1780 W Standard SP6 scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.29.0095 1 Doppia fonte comune TNP 1200 V 400 A 3,9 V a 15 V, 300 A 500 µA NO 21 nF a 25 V
JAN2N2857UB Microsemi Corporation JAN2N2857UB -
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ECAD 8543 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto -65°C ~ 200°C (TJ) Montaggio superficiale 3-SMD, senza piombo 200 mW UB scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 21dB 15 V 40mA NPN 30 a 3 mA, 1 V - 4,5 dB a 450 MHz
SMBG4738C/TR13 Microsemi Corporation SMBG4738C/TR13 -
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ECAD 8437 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI SMBG4738 2 W SMBG (DO-215AA) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 10 µA a 6 V 8,2 V 4,5 Ohm
MX1H5615 Microsemi Corporation MX1H5615 -
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ECAD 3544 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto Foro passante Assiale Standard Assiale - 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 200 V - -
1N4679 (DO35) Microsemi Corporation 1N4679 (DO35) -
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ECAD 1938 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Attivo ±5% -65°C ~ 175°C Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale 1N4679 500 mW DO-35 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1 1,1 V a 200 mA 5 µA a 1 V 2 V
APTDC20H1201G Microsemi Corporation APTDC20H1201G -
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ECAD 3203 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Attivo -40°C ~ 175°C (TJ) Montaggio su telaio SP1 APTDC20 Schottky al carburo di silicio SP1 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1 1,8 V a 20 A 400 µA a 1200 V 20A Monofase 1,2 kV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock