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Prodotti a semiconduttore discreti(6716)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Condizione di prova | Guadagno | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Corrente - Media rettificata (Io) | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Corrente - Collettore pulsato (Icm) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Cambiare energia | Carica di cancello | Td (acceso/spento) @ 25°C | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Corrente - Interruzione collettore (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Figura di rumore (dB tipo @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 3EZ200D5E3/TR8 | - |  | 1187 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ200 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 152 V | 200 V | 875 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SMBG5922C/TR13 | - | | 2319 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG5922 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 6 V | 7,5 V | 3 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ13D2/TR8 | - | | 5893 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ13 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 9,9 V | 13 V | 5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT60DF120HJ | - | | 1006 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio su telaio | SOT-227-4, miniBLOC | Standard | SOT-227 | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 3 V a 60 A | 100 µA a 1200 V | 90A | Monofase | 1,2 kV | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1PMT5915/TR13 | - | | 8953 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1PMT5915 | 3 W | DO-216AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V a 200 mA | 25 µA a 1 V | 3,9 V | 7,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N4986C | 18.2550 | | 3238 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/435 | Massa | Attivo | ±2% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | E, assiale | 1N4986 | 5 W | E, assiale | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 1 A | 2 µA a 114 V | 150 V | 330 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ160D/TR12 | - | | 8531 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ160 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 121,6 V | 160 V | 625 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ150DE3/TR8 | - | | 4459 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ150 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 114 V | 150 V | 550 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT30GP60B2DLG | - | | 6556 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | APT30GP60 | Standard | 463 W | T-MAX™ | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V, 30 A, 5 Ohm, 15 V | P.T | 600 V | 100A | 120A | 2,7 V a 15 V, 30 A | 260μJ (acceso), 250μJ (spento) | 90 nC | 13ns/55ns | |||||||||||||||||||||||||||||
 | FST16045D | - | | 6256 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio a vite | Base isolata TO-249AA | Schottky | TO-249 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | Connessione in serie da 1 paio | 45 V | 80A | 740 mV a 80 A | 2 mA a 45 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ75D5/TR12 | - | | 6672 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ75 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 56 V | 75 V | 85 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N4956D | 29.4600 | | 8460 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/435 | Massa | Attivo | ±1% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | E, assiale | 1N4956 | 5 W | E, assiale | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 1 A | 50 µA a 6,2 V | 8,2 V | 1,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1PMT5923CE3/TR13 | - | | 4033 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1PMT5923 | 3 W | DO-216AA | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 6,5 V | 8,2 V | 3,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ36D/TR8 | - | | 9613 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ36 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 27,4 V | 36 V | 25 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5338CE3/TR12 | - | | 6001 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5338 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 1 µA a 1 V | 5,1 V | 1,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMBG4741/TR13 | - | | 2777 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG4741 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 8,4 V | 11 V | 8 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1PMT5919AE3/TR7 | - | | 6550 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1PMT5919 | 3 W | DO-216AA | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 3 V | 5,6 V | 2 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMBG5956B/TR13 | - | | 8766 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG5956 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 152 V | 200 V | 1200 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N5242A (DO-35) | - | | 8926 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±10% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N5242 | 500 mW | DO-35 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 200 mA | 1 µA a 8,7 V | 12 V | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ120D2/TR8 | - | | 5893 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ120 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 91,2 V | 120 V | 300 ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | JANTX2N3960 | - | | 1602 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/399 | Massa | Interrotto alla SIC | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo | 400 mW | TO-18 (TO-206AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 12 V | 10μA (ICBO) | NPN | 300 mV a 3 mA, 30 mA | 60 a 10 mA, 1 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ6.2D/TR12 | - | | 1284 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ6.2 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 3 V | 6,2 V | 1,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FST16145D | - | | 8927 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio a vite | TO-249AA | Schottky | TO-249 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | Connessione in serie da 1 paio | 45 V | 80A | 650 mV a 80 A | 2 mA a 45 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ30D10E3/TR8 | - | | 1522 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ30 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 22,5 V | 30 V | 16 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM10DDAM09T3G | - | | 1847 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP3 | APTM10 | MOSFET (ossido di metallo) | 390 W | SP3 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canali N (doppio) | 100 V | 139A | 10 mOhm a 69,5 A, 10 V | 4 V a 2,5 mA | 350 nC a 10 V | 9875 pF a 25 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ24D10/TR12 | - | | 4024 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ24 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 18,2 V | 24 V | 13 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRFC545 | - | | 5051 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N4957UB | - | | 4013 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Montaggio superficiale | 3-SMD, senza piombo | 2N4957 | 200 mW | UB | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 25dB | 30 V | 30mA | PNP | 30 a 5 mA, 10 V | - | 3,5 dB a 450 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1PMT5923B/TR7 | - | | 4414 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1PMT5923 | 3 W | DO-216AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 6,5 V | 8,2 V | 3,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANS2N3499L/TR | - | | 3675 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/366 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo | 2N3499 | TO-5 | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 100 V | 500mA | 10μA (ICBO) | NPN | 600mV a 30mA, 300mA | 100 a 150 mA, 10 V | - |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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