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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Frequenza | Tecnologia | Potenza: max | Ingresso | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Tipo FET | Corrente nominale (Amp) | Corrente - Mantenimento (Ih) (Max) | Potenza-Uscita | Guadagno | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tensione - Stato spento | Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max) | Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm) | Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max) | Corrente - Stato spento (max) | TipoSCR | Figura di rumore | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Corrente - Interruzione collettore (max) | Termistore NTC | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Capacità di ingresso (Cies) @ Vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 3EZ190D2E3/TR12 | - | ![]() | 6985 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ190 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 144,8 V | 190 V | 800 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5383AE3/TR12 | - | ![]() | 3789 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5383 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 108 V | 150 V | 330 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG4758CE3/TR13 | - | ![]() | 8852 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG4758 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 42,6 V | 56 V | 110 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ9.1D10/TR8 | - | ![]() | 9000 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ9.1 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 3 µA a 7 V | 9,1 V | 2,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5364B | - | ![]() | 4865 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5364 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 23,8 V | 33 V | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT75DL60HJ | - | ![]() | 2988 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio su telaio | SOT-227-4, miniBLOC | Standard | SOT-227 | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 2 V a 75 A | 250 µA a 600 V | 75A | Monofase | 600 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5913CP/TR8 | - | ![]() | 5741 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5913 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 100 µA a 1 V | 3,3 V | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5382C/TR13 | - | ![]() | 5922 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | SMBJ5382 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 101 V | 140 V | 230 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ6.8DE3/TR8 | - | ![]() | 9504 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ6.8 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 4 V | 6,8 V | 2 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ82D5DO41E3 | - | ![]() | 1200 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ82 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 62,2 V | 82 V | 100 ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ56D10/TR12 | - | ![]() | 3966 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ56 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 42,6 V | 56 V | 55 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1EZ150DE3/TR8 | - | ![]() | 7008 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1EZ150 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 114 V | 150 V | 1300 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5951BP/TR12 | - | ![]() | 5955 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5951 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 91,2 V | 120 V | 380 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ22D10/TR8 | - | ![]() | 1123 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ22 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 16,7 V | 22 V | 12 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS110E3/TR12 | - | ![]() | 6434 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | MS110 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 830 mV a 1 A | 100 µA a 100 V | -55°C ~ 175°C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ180D2E3/TR12 | - | ![]() | 3603 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ180 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 136,8 V | 180 V | 700 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N4958DUS | 32.2500 | ![]() | 7442 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/435 | Massa | Attivo | ±1% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | SQ-MELF, E | 1N4958 | 5 W | D-5B | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 1 A | 25 µA a 7,6 V | 10 V | 2 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1EZ170DE3/TR12 | - | ![]() | 8982 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1EZ170 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 130,4 V | 170 V | 1450 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6802U | - | ![]() | 4018 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 18-CLCC | MOSFET (ossido di metallo) | 18-ULCC (9,14x7,49) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 500 V | 2,5 A (TC) | 10 V | 1,5 Ohm a 1,5 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 4,46 nC a 10 V | ±20 V | - | 800 mW (Ta), 25 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FST31180E3 | - | ![]() | 3919 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Foro passante | TO-220-3 | Schottky | TO-220AB | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 180 V | 15A | 830 mV a 15 A | 100 µA a 180 V | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5384CE3/TR13 | - | ![]() | 8965 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5384 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.250 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 115 V | 160 V | 350 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ100D5/TR8 | - | ![]() | 3407 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ100 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 76 V | 100 V | 175 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4736AG | 3.1350 | ![]() | 9625 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4736 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 4 V | 6,8 V | 3,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT150H170G | - | ![]() | 6760 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP6 | APTGT150 | 890 W | Standard | SP6 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Invertitore a ponte intero | Sosta sul campo di trincea | 1700 V | 250 A | 2,4 V a 15 V, 150 A | 350 µA | NO | 13,5 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG4749AE3/TR13 | - | ![]() | 2169 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG4749 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 18,2 V | 24 V | 25 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N2328U4 | - | ![]() | 3099 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/276 | Massa | Obsoleto | -65°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 3-SMD, senza piombo | U4 | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 2 mA | 300 V | 800 mV | 15 A a 60 Hz | 200 µA | 10 µA | Norma di recupero | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT20M38BVFRG | - | ![]() | 2174 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | POWER MOS V® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-247 [B] | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 200 V | 67A(Tc) | 10 V | 38 mOhm a 500 mA, 10 V | 4 V a 1 mA | 225 nC a 10 V | ±30 V | 6120 pF a 25 V | - | 370 W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ARF445 | - | ![]() | 1771 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Tubo | Obsoleto | - | - | - | - | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5913BPE3/TR12 | - | ![]() | 9486 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5913 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 100 µA a 1 V | 3,3 V | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5380CE3/TR8 | - | ![]() | 6031 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5380 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 86,4 V | 120 V | 170 Ohm |

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