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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Struttura | Ingresso | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Corrente - Mantenimento (Ih) (Max) | Guadagno | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Tensione - Stato spento | Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max) | Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm) | Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max) | Corrente - Stato acceso (It (AV)) (Max) | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Numero di SCR, diodi | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Corrente - Interruzione collettore (max) | Termistore NTC | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Figura di rumore (dB tipo @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N5917P/TR12 | - | ![]() | 6545 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5917 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 1,5 V | 4,7 V | 5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VTV075 | - | ![]() | 2277 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | Massa | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGF50DH120TG | - | ![]() | 2464 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Montaggio su telaio | SP4 | 312 W | Standard | SP4 | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Ponte asimmetrico | TNP | 1200 V | 75A | 3,7 V a 15 V, 50 A | 250 µA | SÌ | 3,45 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTM50DUM19G | - | ![]() | 6767 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP6 | APTM50 | MOSFET (ossido di metallo) | 1136 W | SP6 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canali N (doppio) | 500 V | 163A | 22,5 mOhm a 81,5 A, 10 V | 5 V a 10 mA | 492nC a 10 V | 22400 pF a 25 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT2X101DL40J | - | ![]() | 1784 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Tubo | Obsoleto | Montaggio su telaio | SOT-227-4, miniBLOC | APT2X101 | Standard | ISOTOP® | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità | 2 Indipendente | 400 V | 100A | 1.125 V a 100 A | 120 n | 500 µA a 400 V | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 80262 | - | ![]() | 9314 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSD75-16 | - | ![]() | 8339 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | M2 | Standard | SM2 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,6 V a 150 A | 300 µA a 1600 V | 75A | Tre fasi | 1,6kV | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT75DA120D1G | - | ![]() | 7594 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | D1 | 357 W | Standard | D1 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Separare | Sosta sul campo di trincea | 1200 V | 110A | 2,1 V a 15 V, 75 A | 4 mA | NO | 5.345 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5954BP/TR8 | - | ![]() | 2594 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5954 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 121,6 V | 160 V | 700 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4736AG | 3.1350 | ![]() | 9625 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4736 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 4 V | 6,8 V | 3,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX1N4975D | 29.4600 | ![]() | 7078 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/435 | Massa | Attivo | ±1% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | E, assiale | 1N4975 | 5 W | E, assiale | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 1 A | 2 µA a 38,8 V | 51 V | 27 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N3811L | - | ![]() | 1513 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/336 | Massa | Obsoleto | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-78-6 Lattina di metallo | 2N3811 | 350 mW | TO-78-6 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 50mA | 10μA (ICBO) | 2 PNP (doppio) | 250 mV a 100 µA, 1 mA | 300 a 1 mA, 5 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT25GF120JCU2 | - | ![]() | 4464 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Telaio, montaggio con perno | SOT-227-4, miniBLOC | 227 W | Standard | SOT-227 | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Separare | TNP | 1200 V | 45A | 3,7 V a 15 V, 25 A | 250 µA | NO | 1,65 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5913BPE3/TR12 | - | ![]() | 9486 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5913 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 100 µA a 1 V | 3,3 V | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ100D5/TR8 | - | ![]() | 3407 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ100 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 76 V | 100 V | 175 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UPR40/TR13 | 3.0300 | ![]() | 4338 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-216AA | UPR40 | Standard | Powermite | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 12.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 400 V | 1,25 V a 1 A | 50 n | 10 µA a 400 V | -55°C ~ 150°C | 2A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5277B (DO-35) | - | ![]() | 2951 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N5277 | 500 mW | DO-35 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 200 mA | 100 nA a 122 V | 160 V | 1700 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5385AE3/TR12 | - | ![]() | 5505 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5385 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 122 V | 170 V | 380 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSFC160-16 | - | ![]() | 8910 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TJ) | Montaggio a vite | Modulo | Collegamento in serie: SCR/diodo | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 400 mA | 1,6kV | 3 V | 5400A a 50Hz | 150 mA | 160A | 1 SCR, 1 diodo | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5949BPE3/TR8 | - | ![]() | 3397 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5949 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 76 V | 100 V | 250 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSC1175MA | - | ![]() | 6446 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | 250°C | Montaggio su telaio | M218 | 400W | M218 | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | 8dB | 65 V | 12A | NPN | 15 a 1 A, 5 V | 1,025 GHz ~ 1,15 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TPR400A | - | ![]() | 4777 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | 200°C (TJ) | Montaggio su telaio | 55CX | 875W | 55CX | scaricamento | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | 9,5dB | 55 V | 30A | NPN | 10 a 2,5 A, 5 V | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ4.7DE3/TR12 | - | ![]() | 6178 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ4.7 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 1 V | 4,7 V | 4,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ16D5/TR8 | - | ![]() | 8591 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ16 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 12,2 V | 16 V | 8 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5950B/TR13 | - | ![]() | 9393 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | SMBJ5950 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 83,6 V | 110 V | 300 ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5375BE3/TR8 | - | ![]() | 4739 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5375 | 5 W | T-18 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 59 V | 82 V | 64 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5339BE3/TR13 | - | ![]() | 2708 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5339 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.250 | 1,2 V a 1 A | 1 µA a 2 V | 5,6 V | 1 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSC1090M | - | ![]() | 8102 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | 200°C | Montaggio su telaio | M220 | 220 W | M220 | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 8,4dB | 65 V | 5,52A | - | 15 a 500 mA, 5 V | 1,025 GHz ~ 1,15 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5376E3/TR8 | - | ![]() | 4881 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5376 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 63 V | 87 V | 75 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMAJ4730E3/TR13 | - | ![]() | 4137 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | 2 W | DO-214AC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V a 200 mA | 50 µA a 1 V | 3,9 V | 9 Ohm |

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