SIC
close
Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Frequenza Tecnologia Potenza: max Ingresso Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Corrente nominale (Amp) Potenza-Uscita Guadagno Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Figura di rumore Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Corrente - Interruzione collettore (max) Termistore NTC Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt) Capacità di ingresso (Cies) @ Vce Tipo di transistor Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Figura di rumore (dB tipo @ f)
APTGT450DU60G Microsemi Corporation APTGT450DU60G -
Richiesta di offerta
ECAD 5648 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto -40°C ~ 175°C (TJ) Montaggio su telaio SP6 1750 W Standard SP6 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 Doppia fonte comune Sosta sul campo di trincea 600 V 550 A 1,8 V a 15 V, 450 A 500 µA NO 37 nF a 25 V
1N5336CE3/TR13 Microsemi Corporation 1N5336CE3/TR13 -
Richiesta di offerta
ECAD 4832 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -65°C ~ 150°C Foro passante T-18, assiale 1N5336 5 W T-18 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.250 1,2 V a 1 A 10 µA a 1 V 4,3 V 2 Ohm
SMAJ4476CE3/TR13 Microsemi Corporation SMAJ4476CE3/TR13 -
Richiesta di offerta
ECAD 6981 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -55°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-214AC, SMA 1,5 W DO-214AC (SMAJ) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 7.500 1,2 V a 200 mA 50 nA a 24 V 30 V 20 Ohm
2C2328 Microsemi Corporation 2C2328 -
Richiesta di offerta
ECAD 1638 0.00000000 Microsemi Corporation * Massa Obsoleto - - - - RoHS non conforme 1 (illimitato) EAR99 8541.30.0080 1
2EZ14D/TR8 Microsemi Corporation 2EZ14D/TR8 -
Richiesta di offerta
ECAD 2949 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±20% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ14 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 500 nA a 10,6 V 14 V 5,5 Ohm
MS108E3/TR8 Microsemi Corporation MS108E3/TR8 -
Richiesta di offerta
ECAD 4050 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale MS108 Schottky DO-204AL (DO-41) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1.500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 80 V 810 mV a 1 A 100 µA a 80 V -55°C ~ 175°C 1A -
1N5946P/TR12 Microsemi Corporation 1N5946P/TR12 -
Richiesta di offerta
ECAD 7942 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±20% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N5946 1,5 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 1 µA a 56 V 75 V 140 Ohm
2EZ10D5E3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ10D5E3/TR12 -
Richiesta di offerta
ECAD 7660 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ10 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 3 µA a 7,6 V 10 V 3,5 Ohm
ARF442 Microsemi Corporation ARF442 -
Richiesta di offerta
ECAD 3769 0.00000000 Microsemi Corporation - Tubo Obsoleto TO-247-3 - - TO-247 d.C - RoHS non conforme 1 (illimitato) OBSOLETO 0000.00.0000 1 - - - - -
APTC60DAM35T1G Microsemi Corporation APTC60DAM35T1G -
Richiesta di offerta
ECAD 9065 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Montaggio su telaio SP1 MOSFET (ossido di metallo) SP1 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 600 V 72A(Tc) 10 V 35 mOhm a 72 A, 10 V 3,9 V a 5,4 mA 518 nC a 10 V ±20 V 14.000 pF a 25 V - 416 W(Tc)
2EZ140D5/TR12 Microsemi Corporation 2EZ140D5/TR12 -
Richiesta di offerta
ECAD 5091 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ140 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 500 nA a 106,4 V 140 V 500 ohm
1N5377AE3/TR13 Microsemi Corporation 1N5377AE3/TR13 -
Richiesta di offerta
ECAD 5568 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±10% -65°C ~ 150°C Foro passante T-18, assiale 1N5377 5 W T-18 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.250 1,2 V a 1 A 500 nA a 65,5 V 91 V 75 Ohm
APT38N60SC6 Microsemi Corporation APT38N60SC6 -
Richiesta di offerta
ECAD 3063 0.00000000 Microsemi Corporation CoolMOS™ Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB APT38N60 MOSFET (ossido di metallo) D3Pak scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 600 V 38A(Tc) 10 V 99 mOhm a 18 A, 10 V 3,5 V a 1,2 mA 112 nC a 10 V ±20 V 2826 pF a 25 V - 278 W(Tc)
3EZ30D10E3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ30D10E3/TR12 -
Richiesta di offerta
ECAD 9867 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±10% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 3EZ30 3 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 500 nA a 22,5 V 30 V 16 Ohm
UPDS3200 Microsemi Corporation UPDS3200 -
Richiesta di offerta
ECAD 6227 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro tagliato (CT) Obsoleto Montaggio superficiale PowerDI™5 UPDS3200 Schottky scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 5.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 200 V 780 mV a 3 A 10 µA a 200 V 3A -
APT10SCE65B Microsemi Corporation APT10SCE65B -
Richiesta di offerta
ECAD 9117 0.00000000 Microsemi Corporation * Tubo Obsoleto - 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 30
1PMT5916B/TR7 Microsemi Corporation 1PMT5916B/TR7 -
Richiesta di offerta
ECAD 3138 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -55°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-216AA 1PMT5916 3 W DO-216AA scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 5 µA a 1 V 4,3 V 6 Ohm
SMBG5942C/TR13 Microsemi Corporation SMBG5942C/TR13 -
Richiesta di offerta
ECAD 9903 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI SMBG5942 2 W SMBG (DO-215AA) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 1 µA a 38,8 V 51 V 70 Ohm
2EZ5.6DE3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ5.6DE3/TR8 -
Richiesta di offerta
ECAD 7826 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±20% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ5.6 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 5 µA a 2 V 5,6 V 2,5 Ohm
APTGT100DH170G Microsemi Corporation APTGT100DH170G -
Richiesta di offerta
ECAD 3094 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Montaggio su telaio SP6 560 W Standard SP6 - 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 Ponte asimmetrico Sosta sul campo di trincea 1700 V 150A 2,4 V a 15 V, 100 A 350 µA NO 9 nF a 25 V
SMBG4759CE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG4759CE3/TR13 -
Richiesta di offerta
ECAD 1330 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI SMBG4759 2 W SMBG (DO-215AA) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 5 µA a 47,1 V 62 V 125 Ohm
1N4749 G Microsemi Corporation 1N4749 G -
Richiesta di offerta
ECAD 6166 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Attivo ±10% -65°C ~ 175°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N4749 1 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1 1,2 V a 200 mA 5 µA a 18,2 V 24 V 25 Ohm
UFT5010A Microsemi Corporation UFT5010A 94.8750
Richiesta di offerta
ECAD 5924 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Attivo - - UFT5010 Standard - - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di anodo comune 100 V 25A 1 V a 25 A 35 ns 15 µA a 100 V -65°C ~ 175°C
MS2211 Microsemi Corporation MS2211 -
Richiesta di offerta
ECAD 9131 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto 250°C (TJ) Montaggio su telaio M222 25 W M222 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 1 9,3dB 48 V 900 mA NPN 30 a 250 mA, 5 V 960 MHz ~ 1.215 GHz -
2EZ17D10/TR12 Microsemi Corporation 2EZ17D10/TR12 -
Richiesta di offerta
ECAD 4401 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±10% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ17 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 500 nA a 13 V 17 V 9 Ohm
APTM120SK29TG Microsemi Corporation APTM120SK29TG -
Richiesta di offerta
ECAD 2844 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Montaggio su telaio SP4 MOSFET (ossido di metallo) SP4 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 1200 V 34A (Tc) 10 V 348 mOhm a 17 A, 10 V 5 V a 5 mA 374 nC a 10 V ±30 V 10.300 pF a 25 V - 780 W(Tc)
64053 Microsemi Corporation 64053 -
Richiesta di offerta
ECAD 2351 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto - Non applicabile OBSOLETO 0000.00.0000 1
3EZ3.6D10E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ3.6D10E3/TR8 -
Richiesta di offerta
ECAD 5957 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±10% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 3EZ3.6 3 W DO-204AL (DO-41) - 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 3,6 V
3EZ9.1D/TR12 Microsemi Corporation 3EZ9.1D/TR12 -
Richiesta di offerta
ECAD 1252 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±20% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 3EZ9.1 3 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 3 µA a 7 V 9,1 V 2,5 Ohm
1PMT5915CE3/TR7 Microsemi Corporation 1PMT5915CE3/TR7 -
Richiesta di offerta
ECAD 4991 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -55°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-216AA 1PMT5915 3 W DO-216AA scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 25 µA a 1 V 3,9 V 7,5 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock