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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Ingresso | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Tipo FET | Corrente - Mantenimento (Ih) (Max) | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tensione - Stato spento | Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max) | Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm) | Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max) | Corrente - Stato spento (max) | TipoSCR | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Corrente - Interruzione collettore (max) | Termistore NTC | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Capacità di ingresso (Cies) @ Vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MS108E3/TR8 | - | ![]() | 4050 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | MS108 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 80 V | 810 mV a 1 A | 100 µA a 80 V | -55°C ~ 175°C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5336CE3/TR13 | - | ![]() | 4832 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5336 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.250 | 1,2 V a 1 A | 10 µA a 1 V | 4,3 V | 2 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5339C/TR8 | - | ![]() | 4911 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5339 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V a 1 A | 1 µA a 2 V | 5,6 V | 1 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT100SK60TG | - | ![]() | 7067 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP4 | 340 W | Standard | SP4 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Separare | Sosta sul campo di trincea | 600 V | 150A | 1,9 V a 15 V, 100 A | 250 µA | SÌ | 6,1 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5954DG | 8.9700 | ![]() | 9420 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±1% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5954 | 1,25 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 121,6 V | 160 V | 700 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5338CE3/TR13 | - | ![]() | 1153 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5338 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.250 | 1,2 V a 1 A | 1 µA a 1 V | 5,1 V | 1,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FST80100A | - | ![]() | 8903 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio a vite | TO-249AA | Schottky | TO-249 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 100 V | 40A | 820 mV a 40 A | 2 mA a 100 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5273BDO35 | - | ![]() | 9824 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Borsa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N5273 | 500 mW | DO-35 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V a 200 mA | 100 nA a 91 V | 120 V | 900 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5231A (DO-35) | - | ![]() | 4288 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±10% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N5231 | 500 mW | DO-35 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 200 mA | 5 µA a 1,9 V | 5,1 V | 17 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ30D10E3/TR12 | - | ![]() | 1122 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ30 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 22,5 V | 30 V | 20 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4694 (DO35) | - | ![]() | 4115 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N4694 | 500 mW | DO-35 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 1 µA a 6,2 V | 8,2 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ56D10E3/TR12 | - | ![]() | 9680 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ56 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 42,6 V | 56 V | 50 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5951E3/TR13 | - | ![]() | 2799 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5951 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 91,2 V | 120 V | 380 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG4762A/TR13 | - | ![]() | 2461 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG4762 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 62,2 V | 82 V | 200 ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG4739A/TR13 | - | ![]() | 1307 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG4739 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 7 V | 9,1 V | 5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PMT5923/TR7 | - | ![]() | 5593 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1PMT5923 | 3 W | DO-216AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 6,5 V | 8,2 V | 3,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ75D10E3/TR12 | - | ![]() | 8147 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ75 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 56 V | 75 V | 85 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ5.6D5/TR12 | - | ![]() | 6503 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ5.6 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 2 V | 5,6 V | 2,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG4762E3/TR13 | - | ![]() | 7140 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG4762 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 62,2 V | 82 V | 200 ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ200D2E3/TR12 | - | ![]() | 2139 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ200 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 152 V | 200 V | 875 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ3.6D5E3/TR8 | - | ![]() | 9709 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ3.6 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 3,6 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N2328AU4 | - | ![]() | 1753 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/276 | Massa | Obsoleto | -65°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 3-SMD, senza piombo | U4 | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 2 mA | 300 V | 600 mV | 15 A a 60 Hz | 20 µA | 10 µA | Norma di recupero | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG4755A/TR13 | - | ![]() | 1953 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG4755 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 32,7 V | 43 V | 70 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ4738CE3/TR13 | - | ![]() | 5295 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | SMBJ4738 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 6 V | 8,2 V | 4,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 66099 | - | ![]() | 7190 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Non applicabile | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT100TA60PG | - | ![]() | 3060 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP6 | 340 W | Standard | SP6-P | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Tre fasi | Sosta sul campo di trincea | 600 V | 150A | 1,9 V a 15 V, 100 A | 250 µA | NO | 6,1 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 60205 | - | ![]() | 3565 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Non applicabile | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTSM120AM55CT1AG | - | ![]() | 8315 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP1 | APTSM120 | Carburo di silicio (SiC) | 470 W | SP1 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canali N (doppio), Schottky | 1200 V (1,2 kV) | 74A(Tc) | 50 mOhm a 40 A, 20 V | 3 V a 2 mA | 272nC a 20 V | 5120 pF a 1000 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT30M85SVFRG | - | ![]() | 7450 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Tubo | Obsoleto | - | Montaggio superficiale | TO-268-3, D³Pak (2 cavi + linguatta), TO-268AA | MOSFET (ossido di metallo) | D3 [S] | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 300 V | 40A (Tc) | - | 85 mOhm a 500 mA, 10 V | - | 195 nC a 10 V | - | 4950 pF a 25 V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STN1037 | - | ![]() | 3906 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | Massa | Obsoleto | - | RoHS non conforme | Non applicabile | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 |

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