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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Frequenza | Tecnologia | Potenza: max | Struttura | Ingresso | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Tipo FET | Corrente nominale (Amp) | Corrente - Mantenimento (Ih) (Max) | Potenza-Uscita | Guadagno | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tensione - Stato spento | Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max) | Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm) | Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max) | Corrente - Stato acceso (It (AV)) (Max) | Figura di rumore | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Numero di SCR, diodi | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Corrente - Interruzione collettore (max) | Termistore NTC | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | Tipo di transistor | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SMBG4731CE3/TR13 | - | ![]() | 6380 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG4731 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 1 V | 4,3 V | 9 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSKD60-12 | - | ![]() | 9994 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | D1 | Standard | D1 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 1200 V | 60A | 1,3 V a 200 A | 5 mA a 1200 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5015 | - | ![]() | 4602 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo | 1 W | TO-5 | - | Non applicabile | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 1000 V | 200 mA | 10nA (ICBO) | NPN | 30 a 20 mA, 10 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSFC160-12 | - | ![]() | 3299 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TJ) | Montaggio su telaio | Modulo | Collegamento in serie: SCR/diodo | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | 400 mA | 1,2 kV | 3 V | 5400A a 50Hz | 150 mA | 160A | 1 SCR, 1 diodo | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTML10UM09R004T1AG | - | ![]() | 3433 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP1 | MOSFET (ossido di metallo) | SP1 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 100 V | 154A(Tc) | 10 V | 10 mOhm a 69,5 A, 10 V | 4 V a 2,5 mA | ±30 V | 9875 pF a 25 V | - | 480 W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5956AP/TR8 | - | ![]() | 9290 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5956 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 152 V | 200 V | 1200 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS2828 | - | ![]() | 5751 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | Massa | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ARF442 | - | ![]() | 3769 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Tubo | Obsoleto | TO-247-3 | - | - | TO-247 d.C | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4731AE3/TR13 | - | ![]() | 4999 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4731 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 1 V | 4,3 V | 9 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMAJ4476CE3/TR13 | - | ![]() | 6981 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | 1,5 W | DO-214AC (SMAJ) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V a 200 mA | 50 nA a 24 V | 30 V | 20 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL3050A-1 | - | ![]() | 2522 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | CDLL3050 | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ14D/TR8 | - | ![]() | 2949 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ14 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 10,6 V | 14 V | 5,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTC60DAM35T1G | - | ![]() | 9065 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP1 | MOSFET (ossido di metallo) | SP1 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 600 V | 72A(Tc) | 10 V | 35 mOhm a 72 A, 10 V | 3,9 V a 5,4 mA | 518 nC a 10 V | ±20 V | 14.000 pF a 25 V | - | 416 W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX1N4958C | 18.2850 | ![]() | 1777 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/435 | Massa | Attivo | ±2% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | E, assiale | 1N4958 | 5 W | E, assiale | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 1 A | 25 µA a 7,6 V | 10 V | 2 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5377AE3/TR13 | - | ![]() | 5568 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5377 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.250 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 65,5 V | 91 V | 75 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6762 | - | ![]() | 7331 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-204AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 500 V | 4,5 A(Tc) | 10 V | 1,8 Ohm a 4,5 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 40 nC a 10 V | ±20 V | - | 4 W (Ta), 75 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT38N60SC6 | - | ![]() | 3063 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | CoolMOS™ | Massa | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | APT38N60 | MOSFET (ossido di metallo) | D3Pak | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 600 V | 38A(Tc) | 10 V | 99 mOhm a 18 A, 10 V | 3,5 V a 1,2 mA | 112 nC a 10 V | ±20 V | 2826 pF a 25 V | - | 278 W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT450DU60G | - | ![]() | 5648 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP6 | 1750 W | Standard | SP6 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Doppia fonte comune | Sosta sul campo di trincea | 600 V | 550 A | 1,8 V a 15 V, 450 A | 500 µA | NO | 37 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ140D5/TR12 | - | ![]() | 5091 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ140 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 106,4 V | 140 V | 500 ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5946P/TR12 | - | ![]() | 7942 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5946 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 56 V | 75 V | 140 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ10D5E3/TR12 | - | ![]() | 7660 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ10 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 3 µA a 7,6 V | 10 V | 3,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ4.7D10/TR12 | - | ![]() | 7191 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ4.7 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 1 V | 4,7 V | 4,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT75TA60PG | - | ![]() | 3835 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP6 | 250 W | Standard | SP6-P | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Tre fasi | Sosta sul campo di trincea | 600 V | 100A | 1,9 V a 15 V, 75 A | 250 µA | NO | 4,62 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS108E3/TR8 | - | ![]() | 4050 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | MS108 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 80 V | 810 mV a 1 A | 100 µA a 80 V | -55°C ~ 175°C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5336CE3/TR13 | - | ![]() | 4832 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5336 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.250 | 1,2 V a 1 A | 10 µA a 1 V | 4,3 V | 2 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5339C/TR8 | - | ![]() | 4911 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5339 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V a 1 A | 1 µA a 2 V | 5,6 V | 1 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT100SK60TG | - | ![]() | 7067 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP4 | 340 W | Standard | SP4 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Separare | Sosta sul campo di trincea | 600 V | 150A | 1,9 V a 15 V, 100 A | 250 µA | SÌ | 6,1 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5954DG | 8.9700 | ![]() | 9420 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±1% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5954 | 1,25 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 121,6 V | 160 V | 700 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5338CE3/TR13 | - | ![]() | 1153 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5338 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.250 | 1,2 V a 1 A | 1 µA a 1 V | 5,1 V | 1,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FST80100A | - | ![]() | 8903 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio a vite | TO-249AA | Schottky | TO-249 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 100 V | 40A | 820 mV a 40 A | 2 mA a 100 V |

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