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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Frequenza Tecnologia Potenza: max Struttura Ingresso Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Corrente nominale (Amp) Corrente - Mantenimento (Ih) (Max) Potenza-Uscita Guadagno Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tensione - Stato spento Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max) Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm) Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max) Corrente - Stato acceso (It (AV)) (Max) Figura di rumore Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Numero di SCR, diodi Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Corrente - Interruzione collettore (max) Termistore NTC Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt) Capacità di ingresso (Cies) @ Vce Tipo di transistor Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione
SMBG4731CE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG4731CE3/TR13 -
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ECAD 6380 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI SMBG4731 2 W SMBG (DO-215AA) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 10 µA a 1 V 4,3 V 9 Ohm
MSKD60-12 Microsemi Corporation MSKD60-12 -
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ECAD 9994 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto Montaggio su telaio D1 Standard D1 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 1 paio di catodo comune 1200 V 60A 1,3 V a 200 A 5 mA a 1200 V
2N5015 Microsemi Corporation 2N5015 -
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ECAD 4602 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto -65°C ~ 200°C (TJ) Foro passante TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo 1 W TO-5 - Non applicabile EAR99 8541.29.0095 1 1000 V 200 mA 10nA (ICBO) NPN 30 a 20 mA, 10 V -
MSFC160-12 Microsemi Corporation MSFC160-12 -
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ECAD 3299 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto -40°C ~ 125°C (TJ) Montaggio su telaio Modulo Collegamento in serie: SCR/diodo - 1 (illimitato) OBSOLETO 0000.00.0000 1 400 mA 1,2 kV 3 V 5400A a 50Hz 150 mA 160A 1 SCR, 1 diodo
APTML10UM09R004T1AG Microsemi Corporation APTML10UM09R004T1AG -
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ECAD 3433 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Montaggio su telaio SP1 MOSFET (ossido di metallo) SP1 - 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 100 V 154A(Tc) 10 V 10 mOhm a 69,5 A, 10 V 4 V a 2,5 mA ±30 V 9875 pF a 25 V - 480 W(Tc)
1N5956AP/TR8 Microsemi Corporation 1N5956AP/TR8 -
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ECAD 9290 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±10% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N5956 1,5 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 1 µA a 152 V 200 V 1200 Ohm
MS2828 Microsemi Corporation MS2828 -
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ECAD 5751 0.00000000 Microsemi Corporation * Massa Obsoleto - 1 (illimitato) OBSOLETO 0000.00.0000 1
ARF442 Microsemi Corporation ARF442 -
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ECAD 3769 0.00000000 Microsemi Corporation - Tubo Obsoleto TO-247-3 - - TO-247 d.C - RoHS non conforme 1 (illimitato) OBSOLETO 0000.00.0000 1 - - - - -
1N4731AE3/TR13 Microsemi Corporation 1N4731AE3/TR13 -
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ECAD 4999 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N4731 1 W DO-204AL (DO-41) - 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 1,2 V a 200 mA 10 µA a 1 V 4,3 V 9 Ohm
SMAJ4476CE3/TR13 Microsemi Corporation SMAJ4476CE3/TR13 -
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ECAD 6981 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -55°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-214AC, SMA 1,5 W DO-214AC (SMAJ) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 7.500 1,2 V a 200 mA 50 nA a 24 V 30 V 20 Ohm
CDLL3050A-1 Microsemi Corporation CDLL3050A-1 -
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ECAD 2522 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Attivo CDLL3050 - RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1
2EZ14D/TR8 Microsemi Corporation 2EZ14D/TR8 -
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ECAD 2949 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±20% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ14 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 500 nA a 10,6 V 14 V 5,5 Ohm
APTC60DAM35T1G Microsemi Corporation APTC60DAM35T1G -
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ECAD 9065 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Montaggio su telaio SP1 MOSFET (ossido di metallo) SP1 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 600 V 72A(Tc) 10 V 35 mOhm a 72 A, 10 V 3,9 V a 5,4 mA 518 nC a 10 V ±20 V 14.000 pF a 25 V - 416 W(Tc)
JANTX1N4958C Microsemi Corporation JANTX1N4958C 18.2850
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ECAD 1777 0.00000000 Microsemi Corporation Militare, MIL-PRF-19500/435 Massa Attivo ±2% -65°C ~ 175°C Foro passante E, assiale 1N4958 5 W E, assiale scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1 1,5 V a 1 A 25 µA a 7,6 V 10 V 2 Ohm
1N5377AE3/TR13 Microsemi Corporation 1N5377AE3/TR13 -
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ECAD 5568 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±10% -65°C ~ 150°C Foro passante T-18, assiale 1N5377 5 W T-18 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.250 1,2 V a 1 A 500 nA a 65,5 V 91 V 75 Ohm
2N6762 Microsemi Corporation 2N6762 -
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ECAD 7331 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-204AA, TO-3 MOSFET (ossido di metallo) TO-204AA scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 500 V 4,5 A(Tc) 10 V 1,8 Ohm a 4,5 A, 10 V 4 V a 250 µA 40 nC a 10 V ±20 V - 4 W (Ta), 75 W (Tc)
APT38N60SC6 Microsemi Corporation APT38N60SC6 -
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ECAD 3063 0.00000000 Microsemi Corporation CoolMOS™ Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB APT38N60 MOSFET (ossido di metallo) D3Pak scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 600 V 38A(Tc) 10 V 99 mOhm a 18 A, 10 V 3,5 V a 1,2 mA 112 nC a 10 V ±20 V 2826 pF a 25 V - 278 W(Tc)
APTGT450DU60G Microsemi Corporation APTGT450DU60G -
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ECAD 5648 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto -40°C ~ 175°C (TJ) Montaggio su telaio SP6 1750 W Standard SP6 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 Doppia fonte comune Sosta sul campo di trincea 600 V 550 A 1,8 V a 15 V, 450 A 500 µA NO 37 nF a 25 V
2EZ140D5/TR12 Microsemi Corporation 2EZ140D5/TR12 -
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ECAD 5091 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ140 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 500 nA a 106,4 V 140 V 500 ohm
1N5946P/TR12 Microsemi Corporation 1N5946P/TR12 -
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ECAD 7942 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±20% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N5946 1,5 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 1 µA a 56 V 75 V 140 Ohm
2EZ10D5E3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ10D5E3/TR12 -
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ECAD 7660 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ10 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 3 µA a 7,6 V 10 V 3,5 Ohm
2EZ4.7D10/TR12 Microsemi Corporation 2EZ4.7D10/TR12 -
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ECAD 7191 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±10% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ4.7 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 5 µA a 1 V 4,7 V 4,5 Ohm
APTGT75TA60PG Microsemi Corporation APTGT75TA60PG -
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ECAD 3835 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto -40°C ~ 175°C (TJ) Montaggio su telaio SP6 250 W Standard SP6-P scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 Tre fasi Sosta sul campo di trincea 600 V 100A 1,9 V a 15 V, 75 A 250 µA NO 4,62 nF a 25 V
MS108E3/TR8 Microsemi Corporation MS108E3/TR8 -
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ECAD 4050 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale MS108 Schottky DO-204AL (DO-41) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1.500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 80 V 810 mV a 1 A 100 µA a 80 V -55°C ~ 175°C 1A -
1N5336CE3/TR13 Microsemi Corporation 1N5336CE3/TR13 -
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ECAD 4832 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -65°C ~ 150°C Foro passante T-18, assiale 1N5336 5 W T-18 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.250 1,2 V a 1 A 10 µA a 1 V 4,3 V 2 Ohm
1N5339C/TR8 Microsemi Corporation 1N5339C/TR8 -
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ECAD 4911 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -65°C ~ 150°C Foro passante T-18, assiale 1N5339 5 W T-18 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.000 1,2 V a 1 A 1 µA a 2 V 5,6 V 1 Ohm
APTGT100SK60TG Microsemi Corporation APTGT100SK60TG -
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ECAD 7067 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Interrotto alla SIC -40°C ~ 175°C (TJ) Montaggio su telaio SP4 340 W Standard SP4 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.29.0095 1 Separare Sosta sul campo di trincea 600 V 150A 1,9 V a 15 V, 100 A 250 µA 6,1 nF a 25 V
1N5954DG Microsemi Corporation 1N5954DG 8.9700
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ECAD 9420 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Attivo ±1% -65°C ~ 175°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N5954 1,25 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1 1,2 V a 200 mA 1 µA a 121,6 V 160 V 700 Ohm
1N5338CE3/TR13 Microsemi Corporation 1N5338CE3/TR13 -
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ECAD 1153 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -65°C ~ 150°C Foro passante T-18, assiale 1N5338 5 W T-18 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.250 1,2 V a 1 A 1 µA a 1 V 5,1 V 1,5 Ohm
FST80100A Microsemi Corporation FST80100A -
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ECAD 8903 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto Montaggio a vite TO-249AA Schottky TO-249 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di anodo comune 100 V 40A 820 mV a 40 A 2 mA a 100 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock