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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Corrente - Interruzione collettore (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2EZ6.8D/TR8 | - | ![]() | 2204 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ6.8 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 4 V | 6,8 V | 2 Ohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5387A/TR12 | - | ![]() | 3685 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5387 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 137 V | 190 V | 450 Ohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ39D/TR8 | - | ![]() | 3815 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ39 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 29,7 V | 39 V | 30 Ohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PMT5916/TR13 | - | ![]() | 5589 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1PMT5916 | 3 W | DO-216AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 1 V | 4,3 V | 6 Ohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXN3251AUB | - | ![]() | 2008 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | - | - | - | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4115 (DO35) | - | ![]() | 3021 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 200°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N4115 | 400 mW | DO-35 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V a 200 mA | 10 nA a 16,72 V | 22 V | 150 ohm | |||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N4482DUS | 49.5750 | ![]() | 9634 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/406 | Massa | Attivo | ±1% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | SQ-MELF, A | 1N4482 | 1,5 W | D-5A | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V a 200 mA | 50 nA a 40,8 V | 51 V | 60 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5339C/TR13 | - | ![]() | 8584 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | SMBJ5339 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 1 µA a 2 V | 5,6 V | 1 Ohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PMT5914A/TR7 | - | ![]() | 3171 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1PMT5914 | 3 W | DO-216AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 75 µA a 1 V | 3,6 V | 9 Ohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5339AE3/TR13 | - | ![]() | 4026 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG5339 | 5 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 1 µA a 2 V | 5,6 V | 1 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ4761C/TR13 | - | ![]() | 3004 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | SMBJ4761 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 56 V | 75 V | 175 Ohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MS110E3/TR8 | - | ![]() | 2300 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | MS110 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 830 mV a 1 A | 100 µA a 100 V | -55°C ~ 175°C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5950CPE3/TR8 | - | ![]() | 9300 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5950 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 83,6 V | 110 V | 300 ohm | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5349BE3 | - | ![]() | 4293 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5349 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 2 µA a 8,6 V | 12 V | 2,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG4757E3/TR13 | - | ![]() | 9330 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG4757 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 38,8 V | 51 V | 95 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ56DE3/TR12 | - | ![]() | 5328 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ56 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 42,6 V | 56 V | 55 Ohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ51D5E3/TR8 | - | ![]() | 2240 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ51 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 38,8 V | 51 V | 48 Ohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ33DE3/TR12 | - | ![]() | 8105 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ33 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 25,1 V | 33 V | 20 Ohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1EZ180D5E3/TR12 | - | ![]() | 8607 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1EZ180 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 136,8 V | 180 V | 1500 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTM100SKM90G | - | ![]() | 5021 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP6 | MOSFET (ossido di metallo) | SP6 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 1000 V | 78A(Tc) | 10 V | 105 mOhm a 39 A, 10 V | 5 V a 10 mA | 744 nC a 10 V | ±30 V | 20700 pF a 25 V | - | 1250 W(Tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | SK36/TR13 | - | ![]() | 5550 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | SK36 | Schottky | DO-214AB | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 60 V | 750 mV a 3 A | 500 µA a 60 V | -55°C ~ 125°C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ27D10E3/TR8 | - | ![]() | 8434 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ27 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 20,6 V | 27 V | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N6798U | - | ![]() | 7447 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/557 | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 18-CLCC | MOSFET (ossido di metallo) | 18-ULCC (9,14x7,49) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 200 V | 5,5 A (TC) | 10 V | 420 mOhm a 5,5 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 42,07 nC a 10 V | ±20 V | - | 800 mW (Ta), 25 W (Tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | MS108/TR8 | - | ![]() | 3948 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | MS108 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 80 V | 810 mV a 1 A | 100 µA a 80 V | -55°C ~ 175°C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ150D2/TR8 | - | ![]() | 9408 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ150 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 114 V | 150 V | 550 Ohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6660CAT1 | 183.2850 | ![]() | 3021 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | Foro passante | TO-254-3, TO-254AA | 1N6660 | Schottky | TO-254AA | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 45 V | 15A | 750 mV a 15 A | 1 mA a 45 V | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5383C/TR13 | - | ![]() | 8599 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | SMBJ5383 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 108 V | 150 V | 330 Ohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ39D5E3/TR12 | - | ![]() | 7993 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ39 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 29,7 V | 39 V | 28 Ohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5232B (DO-35) | - | ![]() | 9547 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N5232 | 500 mW | DO-35 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 200 mA | 5 µA a 3 V | 5,6 V | 11 Ohm | |||||||||||||||||||||||||
| MSCD200-16 | - | ![]() | 4267 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | D2 | Standard | SD2 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | Connessione in serie da 1 paio | 1600 V | 200A | 1,3 V a 300 A | 9 mA a 1600 V |

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