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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH ECCN HTSUS Pacchetto standard Velocità Tipo FET Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Corrente - Interruzione collettore (max) Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione
2EZ6.8D/TR8 Microsemi Corporation 2EZ6.8D/TR8 -
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ECAD 2204 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±20% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ6.8 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 5 µA a 4 V 6,8 V 2 Ohm
1N5387A/TR12 Microsemi Corporation 1N5387A/TR12 -
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ECAD 3685 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±10% -65°C ~ 150°C Foro passante T-18, assiale 1N5387 5 W T-18 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 1 A 500 nA a 137 V 190 V 450 Ohm
2EZ39D/TR8 Microsemi Corporation 2EZ39D/TR8 -
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ECAD 3815 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±20% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ39 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 500 nA a 29,7 V 39 V 30 Ohm
1PMT5916/TR13 Microsemi Corporation 1PMT5916/TR13 -
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ECAD 5589 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±20% -55°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-216AA 1PMT5916 3 W DO-216AA scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 12.000 1,2 V a 200 mA 5 µA a 1 V 4,3 V 6 Ohm
JANTXN3251AUB Microsemi Corporation JANTXN3251AUB -
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ECAD 2008 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto - - - - - RoHS non conforme 1 (illimitato) OBSOLETO 0000.00.0000 1 - - - - -
1N4115 (DO35) Microsemi Corporation 1N4115 (DO35) -
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ECAD 3021 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Attivo ±5% -65°C ~ 200°C Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale 1N4115 400 mW DO-35 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1 1 V a 200 mA 10 nA a 16,72 V 22 V 150 ohm
JANTX1N4482DUS Microsemi Corporation JANTX1N4482DUS 49.5750
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ECAD 9634 0.00000000 Microsemi Corporation Militare, MIL-PRF-19500/406 Massa Attivo ±1% -65°C ~ 175°C Montaggio superficiale SQ-MELF, A 1N4482 1,5 W D-5A scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1 1 V a 200 mA 50 nA a 40,8 V 51 V 60 Ohm
SMBJ5339C/TR13 Microsemi Corporation SMBJ5339C/TR13 -
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ECAD 8584 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-214AA, PMI SMBJ5339 5 W SMBJ (DO-214AA) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 1 A 1 µA a 2 V 5,6 V 1 Ohm
1PMT5914A/TR7 Microsemi Corporation 1PMT5914A/TR7 -
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ECAD 3171 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±10% -55°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-216AA 1PMT5914 3 W DO-216AA scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 75 µA a 1 V 3,6 V 9 Ohm
SMBG5339AE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG5339AE3/TR13 -
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ECAD 4026 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±10% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI SMBG5339 5 W SMBG (DO-215AA) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 1 A 1 µA a 2 V 5,6 V 1 Ohm
SMBJ4761C/TR13 Microsemi Corporation SMBJ4761C/TR13 -
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ECAD 3004 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-214AA, PMI SMBJ4761 2 W SMBJ (DO-214AA) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 5 µA a 56 V 75 V 175 Ohm
MS110E3/TR8 Microsemi Corporation MS110E3/TR8 -
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ECAD 2300 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale MS110 Schottky DO-204AL (DO-41) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1.500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 100 V 830 mV a 1 A 100 µA a 100 V -55°C ~ 175°C 1A -
1N5950CPE3/TR8 Microsemi Corporation 1N5950CPE3/TR8 -
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ECAD 9300 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N5950 1,5 W DO-204AL (DO-41) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 1 µA a 83,6 V 110 V 300 ohm
1N5349BE3 Microsemi Corporation 1N5349BE3 -
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ECAD 4293 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante T-18, assiale 1N5349 5 W T-18 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 1 A 2 µA a 8,6 V 12 V 2,5 Ohm
SMBG4757E3/TR13 Microsemi Corporation SMBG4757E3/TR13 -
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ECAD 9330 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±10% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI SMBG4757 2 W SMBG (DO-215AA) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 5 µA a 38,8 V 51 V 95 Ohm
2EZ56DE3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ56DE3/TR12 -
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ECAD 5328 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±20% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ56 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 500 nA a 42,6 V 56 V 55 Ohm
2EZ51D5E3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ51D5E3/TR8 -
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ECAD 2240 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ51 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 500 nA a 38,8 V 51 V 48 Ohm
3EZ33DE3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ33DE3/TR12 -
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ECAD 8105 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±20% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 3EZ33 3 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 500 nA a 25,1 V 33 V 20 Ohm
1EZ180D5E3/TR12 Microsemi Corporation 1EZ180D5E3/TR12 -
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ECAD 8607 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1EZ180 1 W DO-204AL (DO-41) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 500 nA a 136,8 V 180 V 1500 Ohm
APTM100SKM90G Microsemi Corporation APTM100SKM90G -
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ECAD 5021 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Montaggio su telaio SP6 MOSFET (ossido di metallo) SP6 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 1000 V 78A(Tc) 10 V 105 mOhm a 39 A, 10 V 5 V a 10 mA 744 nC a 10 V ±30 V 20700 pF a 25 V - 1250 W(Tc)
SK36/TR13 Microsemi Corporation SK36/TR13 -
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ECAD 5550 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AB, SMC SK36 Schottky DO-214AB scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 60 V 750 mV a 3 A 500 µA a 60 V -55°C ~ 125°C 3A -
3EZ27D10E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ27D10E3/TR8 -
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ECAD 8434 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±10% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 3EZ27 3 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 500 nA a 20,6 V 27 V 10 Ohm
JAN2N6798U Microsemi Corporation JAN2N6798U -
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ECAD 7447 0.00000000 Microsemi Corporation Militare, MIL-PRF-19500/557 Massa Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 18-CLCC MOSFET (ossido di metallo) 18-ULCC (9,14x7,49) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 200 V 5,5 A (TC) 10 V 420 mOhm a 5,5 A, 10 V 4 V a 250 µA 42,07 nC a 10 V ±20 V - 800 mW (Ta), 25 W (Tc)
MS108/TR8 Microsemi Corporation MS108/TR8 -
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ECAD 3948 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale MS108 Schottky DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1.500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 80 V 810 mV a 1 A 100 µA a 80 V -55°C ~ 175°C 1A -
3EZ150D2/TR8 Microsemi Corporation 3EZ150D2/TR8 -
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ECAD 9408 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 3EZ150 3 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 500 nA a 114 V 150 V 550 Ohm
1N6660CAT1 Microsemi Corporation 1N6660CAT1 183.2850
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ECAD 3021 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Attivo Foro passante TO-254-3, TO-254AA 1N6660 Schottky TO-254AA scaricamento RoHS non conforme REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di anodo comune 45 V 15A 750 mV a 15 A 1 mA a 45 V -65°C ~ 150°C
SMBJ5383C/TR13 Microsemi Corporation SMBJ5383C/TR13 -
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ECAD 8599 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-214AA, PMI SMBJ5383 5 W SMBJ (DO-214AA) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 1 A 500 nA a 108 V 150 V 330 Ohm
3EZ39D5E3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ39D5E3/TR12 -
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ECAD 7993 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 3EZ39 3 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 500 nA a 29,7 V 39 V 28 Ohm
1N5232B (DO-35) Microsemi Corporation 1N5232B (DO-35) -
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ECAD 9547 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Attivo ±5% -65°C ~ 175°C Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale 1N5232 500 mW DO-35 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1 1,5 V a 200 mA 5 µA a 3 V 5,6 V 11 Ohm
MSCD200-16 Microsemi Corporation MSCD200-16 -
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ECAD 4267 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto Montaggio su telaio D2 Standard SD2 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) Connessione in serie da 1 paio 1600 V 200A 1,3 V a 300 A 9 mA a 1600 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock