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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Frequenza | Tecnologia | Potenza: max | Ingresso | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Tipo FET | Corrente nominale (Amp) | Potenza-Uscita | Guadagno | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Figura di rumore | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Corrente - Interruzione collettore (max) | Termistore NTC | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | JANTX1N4961D | 29.4600 | ![]() | 8017 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/435 | Massa | Attivo | ±1% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | E, assiale | 1N4961 | 5 W | E, assiale | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 1 A | 10 µA a 9,9 V | 13 V | 3 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ75D5E3/TR12 | - | ![]() | 6966 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ75 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 56 V | 75 V | 90 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5914APE3/TR8 | - | ![]() | 7892 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5914 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 75 µA a 1 V | 3,6 V | 9 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ51D5/TR8 | - | ![]() | 3520 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ51 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 38,8 V | 51 V | 48 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCD100-12 | - | ![]() | 8057 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | D1 | Standard | D1 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | Connessione in serie da 1 paio | 1200 V | 100A | 1,35 V a 300 A | 5 mA a 1200 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ140D2E3/TR12 | - | ![]() | 6091 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ140 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 106,4 V | 140 V | 475 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ARF443 | - | ![]() | 9163 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Tubo | Obsoleto | TO-247-3 | - | - | TO-247 d.C | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT100SK170D1G | - | ![]() | 2745 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | D1 | 695 W | Standard | D1 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Separare | Sosta sul campo di trincea | 1700 V | 200A | 2,4 V a 15 V, 100 A | 3 mA | NO | 8,5 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5347BE3/TR13 | - | ![]() | 4967 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5347 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.250 | 1,2 V a 1 A | 5 µA a 7,2 V | 10 V | 2 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5371B | - | ![]() | 3698 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5371 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 43 V | 60 V | 40 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT5SM170S | - | ![]() | 6411 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-268-3, D³Pak (2 cavi + linguatta), TO-268AA | SiCFET (carburo di silicio) | D3PAK | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 1700 V | 4,6 A(Tc) | 20 V | 1,2 Ohm a 2 A, 20 V | 3,2 V a 500 µA | 29 nC a 20 V | +25 V, -10 V | 325 pF a 1000 V | - | 52 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5953BP/TR12 | - | ![]() | 9604 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5953 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 114 V | 150 V | 600 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ170D5/TR12 | - | ![]() | 8428 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ170 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 130,4 V | 170 V | 675 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ16D/TR12 | - | ![]() | 7726 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ16 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 12,2 V | 16 V | 8 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ36D5/TR8 | - | ![]() | 8256 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ36 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 27,4 V | 36 V | 22 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ6.8D/TR8 | - | ![]() | 2204 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ6.8 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 4 V | 6,8 V | 2 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5387A/TR12 | - | ![]() | 3685 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5387 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 137 V | 190 V | 450 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ39D/TR8 | - | ![]() | 3815 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ39 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 29,7 V | 39 V | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PMT5916/TR13 | - | ![]() | 5589 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1PMT5916 | 3 W | DO-216AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 1 V | 4,3 V | 6 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXN3251AUB | - | ![]() | 2008 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | - | - | - | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4115 (DO35) | - | ![]() | 3021 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 200°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N4115 | 400 mW | DO-35 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V a 200 mA | 10 nA a 16,72 V | 22 V | 150 ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N4482DUS | 49.5750 | ![]() | 9634 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/406 | Massa | Attivo | ±1% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | SQ-MELF, A | 1N4482 | 1,5 W | D-5A | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V a 200 mA | 50 nA a 40,8 V | 51 V | 60 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5339C/TR13 | - | ![]() | 8584 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | SMBJ5339 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 1 µA a 2 V | 5,6 V | 1 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PMT5914A/TR7 | - | ![]() | 3171 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1PMT5914 | 3 W | DO-216AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 75 µA a 1 V | 3,6 V | 9 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5339AE3/TR13 | - | ![]() | 4026 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG5339 | 5 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 1 µA a 2 V | 5,6 V | 1 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ4761C/TR13 | - | ![]() | 3004 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | SMBJ4761 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 56 V | 75 V | 175 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS110E3/TR8 | - | ![]() | 2300 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | MS110 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 830 mV a 1 A | 100 µA a 100 V | -55°C ~ 175°C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5950CPE3/TR8 | - | ![]() | 9300 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5950 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 83,6 V | 110 V | 300 ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5349BE3 | - | ![]() | 4293 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5349 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 2 µA a 8,6 V | 12 V | 2,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG4757E3/TR13 | - | ![]() | 9330 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG4757 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 38,8 V | 51 V | 95 Ohm |

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