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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Ingresso Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Guadagno Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Corrente - Interruzione collettore (max) Termistore NTC Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt) Capacità di ingresso (Cies) @ Vce Tipo di transistor Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Figura di rumore (dB tipo @ f)
3EZ75D10E3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ75D10E3/TR12 -
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ECAD 8147 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±10% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 3EZ75 3 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 500 nA a 56 V 75 V 85 Ohm
1N5956AP/TR8 Microsemi Corporation 1N5956AP/TR8 -
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ECAD 9290 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±10% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N5956 1,5 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 1 µA a 152 V 200 V 1200 Ohm
1N5255DO35E3 Microsemi Corporation 1N5255DO35E3 -
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ECAD 1086 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC ±5% -65°C ~ 175°C Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale 1N5255 500 mW DO-35 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 1,5 V a 200 mA 100 nA a 21 V 28 V 44 Ohm
3EZ200D5E3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ200D5E3/TR12 -
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ECAD 3966 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 3EZ200 3 W DO-204AL (DO-41) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 500 nA a 152 V 200 V 875 Ohm
1N5347C/TR12 Microsemi Corporation 1N5347C/TR12 -
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ECAD 9294 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -65°C ~ 150°C Foro passante T-18, assiale 1N5347 5 W T-18 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 1 A 5 µA a 7,2 V 10 V 2 Ohm
JANTX1N4980C Microsemi Corporation JANTX1N4980C 18.2550
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ECAD 5842 0.00000000 Microsemi Corporation Militare, MIL-PRF-19500/435 Massa Attivo ±2% -65°C ~ 175°C Foro passante E, assiale 1N4980 5 W E, assiale scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1 1,5 V a 1 A 2 µA a 62,2 V 82 V 80 Ohm
APT12067JLL Microsemi Corporation APT12067JLL -
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ECAD 1442 0.00000000 Microsemi Corporation POWERMOS7® Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio su telaio SOT-227-4, miniBLOC APT12067 MOSFET (ossido di metallo) SOT-227 - RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 1200 V 17A(Tc) 10 V 570 mOhm a 10 A, 10 V 5 V a 2,5 mA 290 nC a 10 V ±30 V 6200 pF a 25 V - 460 W(Tc)
1N5336BE3/TR13 Microsemi Corporation 1N5336BE3/TR13 -
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ECAD 7102 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante T-18, assiale 1N5336 5 W T-18 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.250 1,2 V a 1 A 10 µA a 1 V 4,3 V 2 Ohm
APT40DQ120BCTG Microsemi Corporation APT40DQ120BCTG -
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ECAD 7990 0.00000000 Microsemi Corporation - Tubo Obsoleto Foro passante TO-247-3 APT40 Standard TO-247 [B] scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 30 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 1200 V 40A 3,3 V a 40 A 350 n 100 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C
3EZ47D10/TR12 Microsemi Corporation 3EZ47D10/TR12 -
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ECAD 8312 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±10% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 3EZ47 3 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 500 nA a 35,6 V 47 V 38 Ohm
3EZ140D2E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ140D2E3/TR8 -
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ECAD 6136 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 3EZ140 3 W DO-204AL (DO-41) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 500 nA a 106,4 V 140 V 475 Ohm
1N5949B G Microsemi Corporation 1N5949B G -
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ECAD 7768 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Attivo ±5% -65°C ~ 175°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N5949 1,25 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1 1,2 V a 200 mA 1 µA a 76 V 100 V 250 Ohm
SMBJ5953CE3/TR13 Microsemi Corporation SMBJ5953CE3/TR13 -
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ECAD 5098 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-214AA, PMI SMBJ5953 2 W SMBJ (DO-214AA) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 1 µA a 114 V 150 V 600 Ohm
68190 Microsemi Corporation 68190 -
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ECAD 8805 0.00000000 Microsemi Corporation * Massa Obsoleto - 1 (illimitato) OBSOLETO 0000.00.0000 1
MS2202 Microsemi Corporation MS2202 -
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ECAD 6315 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto 200°C (TJ) Montaggio su telaio M115 10 W M115 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 1 9dB 3,5 V 250 mA NPN 30 a 100 mA, 5 V 1,025 GHz ~ 1,15 GHz -
3EZ9.1D5E3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ9.1D5E3/TR12 -
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ECAD 7469 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 3EZ9.1 3 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 3 µA a 7 V 9,1 V 2,5 Ohm
APT200GN60JDQ4G Microsemi Corporation APT200GN60JDQ4G -
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ECAD 7483 0.00000000 Microsemi Corporation - Tubo Interrotto alla SIC -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio su telaio ISOTOP 682 W Standard ISOTOP® scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.29.0095 30 Separare Sosta sul campo di trincea 600 V 283A 1,85 V a 15 V, 200 A 50 µA NO 14,1 nF a 25 V
SMBG4750AE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG4750AE3/TR13 -
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ECAD 9536 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI SMBG4750 2 W SMBG (DO-215AA) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 5 µA a 20,6 V 27 V 35 Ohm
MS1007 Microsemi Corporation MS1007 -
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ECAD 7194 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto 200°C (TJ) Montaggio su telaio M174 233 W M174 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato OBSOLETO 0000.00.0000 1 14dB 55 V 10A NPN 18 a 1,4 A, 6 V 30 MHz -
2EZ150D5E3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ150D5E3/TR8 -
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ECAD 3690 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ150 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 500 nA a 114 V 150 V 575 Ohm
1N5953CPE3/TR12 Microsemi Corporation 1N5953CPE3/TR12 -
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ECAD 9987 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N5953 1,5 W DO-204AL (DO-41) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 1 µA a 114 V 150 V 600 Ohm
3EZ5.6D/TR12 Microsemi Corporation 3EZ5.6D/TR12 -
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ECAD 5208 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±20% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 3EZ5.6 3 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 5 µA a 2 V 5,6 V 2,5 Ohm
1N5383E3/TR13 Microsemi Corporation 1N5383E3/TR13 -
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ECAD 1563 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±20% -65°C ~ 150°C Foro passante T-18, assiale 1N5383 5 W T-18 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.250 1,2 V a 1 A 500 nA a 108 V 150 V 330 Ohm
1N5913BE3/TR13 Microsemi Corporation 1N5913BE3/TR13 -
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ECAD 5091 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N5913 1,5 W DO-204AL (DO-41) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 1,2 V a 200 mA 100 µA a 1 V 3,3 V 10 Ohm
3EZ190D10E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ190D10E3/TR8 -
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ECAD 9745 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±10% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 3EZ190 3 W DO-204AL (DO-41) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 500 nA a 144,8 V 190 V 800 Ohm
3EZ7.5D10E3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ7.5D10E3/TR12 -
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ECAD 9374 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±10% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 3EZ7.5 3 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 5 µA a 5 V 7,5 V 2 Ohm
2EZ3.6D5 Microsemi Corporation 2EZ3.6D5 2.6700
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ECAD 29 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ3.6 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 80 µA a 1 V 3,6 V 5 Ohm
1035MP Microsemi Corporation 1035MP -
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ECAD 2263 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto 200°C (TJ) Montaggio su telaio 55FW-1 125 W 55FW-1 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 1 10dB~10,5dB 65 V 2,5 A NPN 20 a 100 mA, 5 V 1,025 GHz ~ 1,15 GHz -
1N4762CP/TR8 Microsemi Corporation 1N4762CP/TR8 -
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ECAD 5348 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N4762 1 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 5 µA a 62,2 V 82 V 200 ohm
1N5379E3/TR12 Microsemi Corporation 1N5379E3/TR12 -
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ECAD 3143 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±20% -65°C ~ 150°C Foro passante T-18, assiale 1N5379 5 W T-18 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 1 A 500 nA a 79,2 V 110 V 125 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock