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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Struttura | Ingresso | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Tipo FET | Corrente - Mantenimento (Ih) (Max) | Guadagno | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tensione - Stato spento | Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max) | Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm) | Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max) | Corrente - Stato acceso (It (AV)) (Max) | Corrente - Stato spento (max) | TipoSCR | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Numero di SCR, diodi | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Corrente - Interruzione collettore (max) | Termistore NTC | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Figura di rumore (dB tipo @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JANTX2N5109 | - | ![]() | 5545 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | - | Foro passante | TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo | 2N5109 | TO-39 | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSCD200-16 | - | ![]() | 4267 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | D2 | Standard | SD2 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | Connessione in serie da 1 paio | 1600 V | 200A | 1,3 V a 300 A | 9 mA a 1600 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGF150DA120TG | - | ![]() | 7889 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Montaggio su telaio | SP4 | 961 W | Standard | SP4 | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Separare | TNP | 1200 V | 200A | 3,7 V a 15 V, 150 A | 350 µA | SÌ | 10,2 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMAJ5955CE3/TR13 | - | ![]() | 1676 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | SMAJ5955 | 3 W | DO-214AC (SMAJ) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 136,8 V | 180 V | 900 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ39D/TR8 | - | ![]() | 3815 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ39 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 29,7 V | 39 V | 30 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5371B | - | ![]() | 3698 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5371 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 43 V | 60 V | 40 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PMT5916/TR13 | - | ![]() | 5589 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1PMT5916 | 3 W | DO-216AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 1 V | 4,3 V | 6 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG4739A/TR13 | - | ![]() | 1307 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG4739 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 7 V | 9,1 V | 5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ3.6D5E3/TR8 | - | ![]() | 9709 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ3.6 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 3,6 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ5.6D5/TR12 | - | ![]() | 6503 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ5.6 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 2 V | 5,6 V | 2,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PMT5923/TR7 | - | ![]() | 5593 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1PMT5923 | 3 W | DO-216AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 6,5 V | 8,2 V | 3,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5919A/TR13 | - | ![]() | 1256 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG5919 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 3 V | 5,6 V | 2 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ22D/TR8 | - | ![]() | 3411 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ22 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 16,7 V | 22 V | 8 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ5.6D2E3/TR8 | - | ![]() | 9409 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ5.6 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 2 V | 5,6 V | 2,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG4731CE3/TR13 | - | ![]() | 6380 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG4731 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 1 V | 4,3 V | 9 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSFC160-12 | - | ![]() | 3299 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TJ) | Montaggio su telaio | Modulo | Collegamento in serie: SCR/diodo | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | 400 mA | 1,2 kV | 3 V | 5400A a 50Hz | 150 mA | 160A | 1 SCR, 1 diodo | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSKD60-12 | - | ![]() | 9994 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | D1 | Standard | D1 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 1200 V | 60A | 1,3 V a 200 A | 5 mA a 1200 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTML10UM09R004T1AG | - | ![]() | 3433 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP1 | MOSFET (ossido di metallo) | SP1 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 100 V | 154A(Tc) | 10 V | 10 mOhm a 69,5 A, 10 V | 4 V a 2,5 mA | ±30 V | 9875 pF a 25 V | - | 480 W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5015 | - | ![]() | 4602 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo | 1 W | TO-5 | - | Non applicabile | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 1000 V | 200 mA | 10nA (ICBO) | NPN | 30 a 20 mA, 10 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSKD120-16 | - | ![]() | 3007 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | D1 | Standard | D1 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 1600 V | 120A | 1,43 V a 300 A | 6 mA a 1600 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF5812GR2 | - | ![]() | 2812 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | - | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | MRF5812 | 1,25 W | 8-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 13dB~15,5dB | 15 V | 200mA | NPN | 50 a 50 mA, 5 V | 5GHz | 2 dB ~ 3 dB a 500 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SZL1.8A | - | ![]() | 3271 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | ±10% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | 3-SMD, senza piombo | 500 mW | UB | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V a 100 mA | 50 nA a 800 mV | 1,8 V | 325 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N2328AU4 | - | ![]() | 1753 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/276 | Massa | Obsoleto | -65°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 3-SMD, senza piombo | U4 | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 2 mA | 300 V | 600 mV | 15 A a 60 Hz | 20 µA | 10 µA | Norma di recupero | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG4762E3/TR13 | - | ![]() | 7140 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG4762 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 62,2 V | 82 V | 200 ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ4738CE3/TR13 | - | ![]() | 5295 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | SMBJ4738 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 6 V | 8,2 V | 4,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 66099 | - | ![]() | 7190 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Non applicabile | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ200D2E3/TR12 | - | ![]() | 2139 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ200 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 152 V | 200 V | 875 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG4755A/TR13 | - | ![]() | 1953 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG4755 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 32,7 V | 43 V | 70 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5916CE3/TR13 | - | ![]() | 2286 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | SMBJ5916 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 1 V | 4,3 V | 6 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT60D30BG | - | ![]() | 7218 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Tubo | Obsoleto | Foro passante | TO-247-2 | Standard | TO-247 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 300 V | 1,4 V a 60 A | 38 nn | 250 µA a 300 V | -55°C ~ 175°C | 60A | - |

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