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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Struttura Ingresso Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Corrente - Mantenimento (Ih) (Max) Guadagno Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tensione - Stato spento Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max) Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm) Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max) Corrente - Stato acceso (It (AV)) (Max) Corrente - Stato spento (max) TipoSCR Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Numero di SCR, diodi Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Corrente - Interruzione collettore (max) Termistore NTC Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt) Capacità di ingresso (Cies) @ Vce Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Figura di rumore (dB tipo @ f)
JANTX2N5109 Microsemi Corporation JANTX2N5109 -
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ECAD 5545 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Attivo - Foro passante TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo 2N5109 TO-39 - RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 - - - - -
MSCD200-16 Microsemi Corporation MSCD200-16 -
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ECAD 4267 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto Montaggio su telaio D2 Standard SD2 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) Connessione in serie da 1 paio 1600 V 200A 1,3 V a 300 A 9 mA a 1600 V
APTGF150DA120TG Microsemi Corporation APTGF150DA120TG -
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ECAD 7889 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto - Montaggio su telaio SP4 961 W Standard SP4 scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.29.0095 1 Separare TNP 1200 V 200A 3,7 V a 15 V, 150 A 350 µA 10,2 nF a 25 V
SMAJ5955CE3/TR13 Microsemi Corporation SMAJ5955CE3/TR13 -
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ECAD 1676 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-214AC, SMA SMAJ5955 3 W DO-214AC (SMAJ) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 7.500 1,2 V a 200 mA 1 µA a 136,8 V 180 V 900 Ohm
2EZ39D/TR8 Microsemi Corporation 2EZ39D/TR8 -
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ECAD 3815 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±20% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ39 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 500 nA a 29,7 V 39 V 30 Ohm
1N5371B Microsemi Corporation 1N5371B -
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ECAD 3698 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante T-18, assiale 1N5371 5 W T-18 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 1 A 500 nA a 43 V 60 V 40 Ohm
1PMT5916/TR13 Microsemi Corporation 1PMT5916/TR13 -
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ECAD 5589 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±20% -55°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-216AA 1PMT5916 3 W DO-216AA scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 12.000 1,2 V a 200 mA 5 µA a 1 V 4,3 V 6 Ohm
SMBG4739A/TR13 Microsemi Corporation SMBG4739A/TR13 -
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ECAD 1307 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI SMBG4739 2 W SMBG (DO-215AA) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 10 µA a 7 V 9,1 V 5 Ohm
3EZ3.6D5E3/TR8 Microsemi Corporation 3EZ3.6D5E3/TR8 -
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ECAD 9709 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 3EZ3.6 3 W DO-204AL (DO-41) - 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 3,6 V
2EZ5.6D5/TR12 Microsemi Corporation 2EZ5.6D5/TR12 -
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ECAD 6503 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ5.6 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 5 µA a 2 V 5,6 V 2,5 Ohm
1PMT5923/TR7 Microsemi Corporation 1PMT5923/TR7 -
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ECAD 5593 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±20% -55°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-216AA 1PMT5923 3 W DO-216AA scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 5 µA a 6,5 ​​V 8,2 V 3,5 Ohm
SMBG5919A/TR13 Microsemi Corporation SMBG5919A/TR13 -
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ECAD 1256 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±10% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI SMBG5919 2 W SMBG (DO-215AA) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 5 µA a 3 V 5,6 V 2 Ohm
3EZ22D/TR8 Microsemi Corporation 3EZ22D/TR8 -
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ECAD 3411 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±20% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 3EZ22 3 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 500 nA a 16,7 V 22 V 8 Ohm
2EZ5.6D2E3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ5.6D2E3/TR8 -
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ECAD 9409 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ5.6 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 5 µA a 2 V 5,6 V 2,5 Ohm
SMBG4731CE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG4731CE3/TR13 -
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ECAD 6380 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI SMBG4731 2 W SMBG (DO-215AA) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 10 µA a 1 V 4,3 V 9 Ohm
MSFC160-12 Microsemi Corporation MSFC160-12 -
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ECAD 3299 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto -40°C ~ 125°C (TJ) Montaggio su telaio Modulo Collegamento in serie: SCR/diodo - 1 (illimitato) OBSOLETO 0000.00.0000 1 400 mA 1,2 kV 3 V 5400A a 50Hz 150 mA 160A 1 SCR, 1 diodo
MSKD60-12 Microsemi Corporation MSKD60-12 -
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ECAD 9994 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto Montaggio su telaio D1 Standard D1 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 1 paio di catodo comune 1200 V 60A 1,3 V a 200 A 5 mA a 1200 V
APTML10UM09R004T1AG Microsemi Corporation APTML10UM09R004T1AG -
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ECAD 3433 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Montaggio su telaio SP1 MOSFET (ossido di metallo) SP1 - 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 100 V 154A(Tc) 10 V 10 mOhm a 69,5 A, 10 V 4 V a 2,5 mA ±30 V 9875 pF a 25 V - 480 W(Tc)
2N5015 Microsemi Corporation 2N5015 -
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ECAD 4602 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto -65°C ~ 200°C (TJ) Foro passante TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo 1 W TO-5 - Non applicabile EAR99 8541.29.0095 1 1000 V 200 mA 10nA (ICBO) NPN 30 a 20 mA, 10 V -
MSKD120-16 Microsemi Corporation MSKD120-16 -
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ECAD 3007 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto Montaggio su telaio D1 Standard D1 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 1 paio di catodo comune 1600 V 120A 1,43 V a 300 A 6 mA a 1600 V
MRF5812GR2 Microsemi Corporation MRF5812GR2 -
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ECAD 2812 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MRF5812 1,25 W 8-SO scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 2.500 13dB~15,5dB 15 V 200mA NPN 50 a 50 mA, 5 V 5GHz 2 dB ~ 3 dB a 500 MHz
SZL1.8A Microsemi Corporation SZL1.8A -
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ECAD 3271 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto ±10% -55°C ~ 150°C Montaggio superficiale 3-SMD, senza piombo 500 mW UB scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0050 1 1 V a 100 mA 50 nA a 800 mV 1,8 V 325 Ohm
JANTXV2N2328AU4 Microsemi Corporation JANTXV2N2328AU4 -
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ECAD 1753 0.00000000 Microsemi Corporation Militare, MIL-PRF-19500/276 Massa Obsoleto -65°C ~ 125°C Montaggio superficiale 3-SMD, senza piombo U4 - RoHS non conforme 1 (illimitato) EAR99 8541.30.0080 1 2 mA 300 V 600 mV 15 A a 60 Hz 20 µA 10 µA Norma di recupero
SMBG4762E3/TR13 Microsemi Corporation SMBG4762E3/TR13 -
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ECAD 7140 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±10% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI SMBG4762 2 W SMBG (DO-215AA) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 5 µA a 62,2 V 82 V 200 ohm
SMBJ4738CE3/TR13 Microsemi Corporation SMBJ4738CE3/TR13 -
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ECAD 5295 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-214AA, PMI SMBJ4738 2 W SMBJ (DO-214AA) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 10 µA a 6 V 8,2 V 4,5 Ohm
66099 Microsemi Corporation 66099 -
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ECAD 7190 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto - Non applicabile OBSOLETO 0000.00.0000 1
3EZ200D2E3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ200D2E3/TR12 -
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ECAD 2139 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 3EZ200 3 W DO-204AL (DO-41) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 500 nA a 152 V 200 V 875 Ohm
SMBG4755A/TR13 Microsemi Corporation SMBG4755A/TR13 -
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ECAD 1953 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI SMBG4755 2 W SMBG (DO-215AA) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 5 µA a 32,7 V 43 V 70 Ohm
SMBJ5916CE3/TR13 Microsemi Corporation SMBJ5916CE3/TR13 -
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ECAD 2286 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-214AA, PMI SMBJ5916 2 W SMBJ (DO-214AA) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 10 µA a 1 V 4,3 V 6 Ohm
APT60D30BG Microsemi Corporation APT60D30BG -
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ECAD 7218 0.00000000 Microsemi Corporation - Tubo Obsoleto Foro passante TO-247-2 Standard TO-247 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 30 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 300 V 1,4 V a 60 A 38 nn 250 µA a 300 V -55°C ~ 175°C 60A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock