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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Tipo FET | Corrente - Mantenimento (Ih) (Max) | Guadagno | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tensione - Stato spento | Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max) | Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm) | Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max) | Corrente - Stato spento (max) | TipoSCR | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Corrente - Interruzione collettore (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Figura di rumore (dB tipo @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2EZ14D/TR12 | - | ![]() | 3282 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ14 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 10,6 V | 14 V | 5,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ82D10E3/TR12 | - | ![]() | 5472 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ82 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 62,2 V | 82 V | 100 ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5948CPE3/TR12 | - | ![]() | 5126 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5948 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 69,2 V | 91 V | 200 ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTM20SKM10TG | - | ![]() | 8888 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP4 | MOSFET (ossido di metallo) | SP4 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 200 V | 175A(Tc) | 10 V | 12 mOhm a 87,5 A, 10 V | 5 V a 5 mA | 224 nC a 10 V | ±30 V | 13700 pF a 25 V | - | 694 W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5916PE3/TR8 | - | ![]() | 2715 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5916 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 1 V | 4,3 V | 6 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5335/TR12 | - | ![]() | 1241 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5335 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 50 µA a 1 V | 3,9 V | 2 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5913PE3/TR12 | - | ![]() | 8217 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5913 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 100 µA a 1 V | 3,3 V | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1EZ130D10E3/TR12 | - | ![]() | 7010 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1EZ130 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 98,8 V | 130 V | 910 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5265BDO35E3 | - | ![]() | 5730 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N5265 | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V a 200 mA | 100 nA a 47 V | 62 V | 185 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5955A/TR13 | - | ![]() | 2397 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG5955 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 136,8 V | 180 V | 900 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5095 | - | ![]() | 5689 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Foro passante | TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo | 4 W | TO-5 | - | RoHS non conforme | Non applicabile | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 500 V | 1A | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JAN2N2857 | - | ![]() | 9922 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/343 | Massa | Obsoleto | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-72-3 Barattolo di metallo | 200 mW | TO-72 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 12,5 dB ~ 21 dB a 450 MHz | 15 V | 40mA | NPN | 30 a 3 mA, 1 V | 500 MHz | 4,5 dB a 450 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG4745A/TR13 | - | ![]() | 2677 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG4745 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 12,2 V | 16 V | 16 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N2323AU4 | - | ![]() | 6523 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/276 | Massa | Obsoleto | -65°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 3-SMD, senza piombo | U4 | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 2 mA | 50 V | 600 mV | 15 A a 60 Hz | 20 µA | 10 µA | Norma di recupero | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG4745AE3/TR13 | - | ![]() | 6413 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG4745 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 12,2 V | 16 V | 16 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS2584 | - | ![]() | 1375 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | Massa | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4706 (DO35) | - | ![]() | 4705 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N4706 | 500 mW | DO-35 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 50 nA a 14,4 V | 19 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6804 | - | ![]() | 2635 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-204AA (TO-3) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canale P | 100 V | 11A(Tc) | 10 V | 360 mOhm a 11 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 29 nC a 10 V | ±20 V | - | 4 W (Ta), 75 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5956A/TR13 | - | ![]() | 6969 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG5956 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 152 V | 200 V | 1200 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N4496DUS | 49.5750 | ![]() | 2979 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/406 | Massa | Attivo | ±1% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | SQ-MELF, A | 1N4496 | 1,5 W | D-5A | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V a 200 mA | 250 nA a 160 V | 200 V | 1500 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF545 | - | ![]() | 1076 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Foro passante | TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo | 3,5 W | TO-39 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | 14dB | 70 V | 400mA | PNP | 15 a 50 mA, 6 V | 1GHz~1,4GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1EZ150D10/TR8 | - | ![]() | 2710 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1EZ150 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 114 V | 150 V | 1300 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5937CE3/TR13 | - | ![]() | 3184 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG5937 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 25,1 V | 33 V | 33 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ22D2/TR8 | - | ![]() | 7571 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ22 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 16,7 V | 22 V | 8 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N6624U | 14.6700 | ![]() | 1714 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/585 | Massa | Attivo | Montaggio superficiale | SQ-MELF, A | 1N6624 | Standard | D-5A | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 900 V | 1,55 V a 1 A | 50 n | 500 nA a 900 V | -65°C ~ 150°C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PMT5918C/TR13 | - | ![]() | 2730 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1PMT5918 | 3 W | DO-216AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 2 V | 5,1 V | 4 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ3.6D5/TR8 | - | ![]() | 2820 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ3.6 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 80 µA a 1 V | 3,6 V | 5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ12D2/TR8 | - | ![]() | 4992 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ12 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 9,1 V | 12 V | 4,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JAN2N3960 | - | ![]() | 2969 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/399 | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo | 2N3960 | 400 mW | TO-18 (TO-206AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 100 | 12 V | 10μA (ICBO) | NPN | 300 mV a 3 mA, 30 mA | 60 a 10 mA, 1 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX1N4955D | 29.4600 | ![]() | 8622 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/435 | Massa | Attivo | ±1% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | E, assiale | 1N4955 | 5 W | E, assiale | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 1 A | 100 µA a 5,7 V | 7,5 V | 1,5 Ohm |

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