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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Corrente - Mantenimento (Ih) (Max) | Guadagno | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Tensione - Stato spento | Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max) | Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm) | Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max) | Corrente - Stato acceso (It (AV)) (Max) | TipoSCR | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Corrente - Interruzione collettore (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Figura di rumore (dB tipo @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2EZ27D2/TR12 | - | ![]() | 5598 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ27 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 20,6 V | 27 V | 18 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5384AE3/TR13 | - | ![]() | 5547 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | SMBJ5384 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 115 V | 160 V | 350 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG4753AE3/TR13 | - | ![]() | 1853 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG4753 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 27,4 V | 36 V | 50 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTC80H29T1G | - | ![]() | 1913 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP1 | APTC80 | MOSFET (ossido di metallo) | 156 W | SP1 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 canali N (mezzo ponte) | 800 V | 15A | 290 mOhm a 7,5 A, 10 V | 3,9 V a 1 mA | 90nC a 10V | 2254 pF a 25 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N2326AS | - | ![]() | 6510 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/276 | Massa | Obsoleto | -65°C ~ 125°C | Foro passante | TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo | TO-39 (TO-205AD) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.30.0080 | 100 | 2 mA | 200 V | 600 mV | - | 20 µA | 220 mA | Cancello sensibile | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTC60DSKM45T1G | - | ![]() | 4431 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | CoolMOS™ | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP1 | APTC60 | MOSFET (ossido di metallo) | 250 W | SP1 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canale 2 N (doppio tritatutto) | 600 V | 49A | 45 mOhm a 24,5 A, 10 V | 3,9 V a 3 mA | 150 nC a 10 V | 7200 pF a 25 V | Super giunzione | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ3.9D5E3/TR12 | - | ![]() | 7127 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ3.9 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 30 µA a 1 V | 3,9 V | 5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ39D2E3/TR8 | - | ![]() | 5277 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ39 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 29,7 V | 39 V | 28 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMAJ4474E3/TR13 | - | ![]() | 9622 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | 1,5 W | DO-214AC (SMAJ) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V a 200 mA | 50 nA a 19,2 V | 24 V | 16 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS1227 | - | ![]() | 6046 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | 200°C (TJ) | Montaggio su telaio | M113 | 80W | M113 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 15dB | 18 V | 4,5 A | NPN | 200 a 1 A, 5 V | 30 MHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMAJ5947BE3/TR13 | - | ![]() | 3070 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | SMAJ5947 | 3 W | DO-214AC (SMAJ) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 62,2 V | 82 V | 160 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ43D2E3/TR12 | - | ![]() | 3354 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ43 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 32,7 V | 43 V | 35 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5913CPE3/TR12 | - | ![]() | 5132 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5913 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 100 µA a 1 V | 3,3 V | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ62D10/TR8 | - | ![]() | 1812 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ62 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 47,1 V | 62 V | 60 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4730CP/TR12 | - | ![]() | 4230 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4730 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 50 µA a 1 V | 3,9 V | 9 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG4747CE3/TR13 | - | ![]() | 8958 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG4747 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 15,2 V | 20 V | 22 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5951AE3/TR13 | - | ![]() | 1455 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5951 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 91,2 V | 120 V | 380 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5338AE3/TR13 | - | ![]() | 6073 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | SMBJ5338 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 1 µA a 1 V | 5,1 V | 1,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS109E3/TR8 | - | ![]() | 8592 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | MS109 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 90 V | 810 mV a 1 A | 100 µA a 90 V | -55°C ~ 175°C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PMT5916A/TR13 | - | ![]() | 1395 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1PMT5916 | 3 W | DO-216AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 1 V | 4,3 V | 6 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5382A/TR13 | - | ![]() | 4965 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | SMBJ5382 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 101 V | 140 V | 230 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ68D10/TR8 | - | ![]() | 1191 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ68 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 51,7 V | 68 V | 75 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMAJ4476E3/TR13 | - | ![]() | 4775 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | 1,5 W | DO-214AC (SMAJ) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V a 200 mA | 50 nA a 24 V | 30 V | 20 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1EZ110D5E3/TR12 | - | ![]() | 8859 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1EZ110 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 83,6 V | 110 V | 570 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS2901 | - | ![]() | 4194 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | Massa | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPT30040D | - | ![]() | 5045 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | Connessione in serie da 1 paio | 40 V | 150A | 760 mV a 200 A | 4 mA a 40 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ18DE3/TR12 | - | ![]() | 5420 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ18 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 13,7 V | 18 V | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N6250 | - | ![]() | 6376 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/510 | Massa | Attivo | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-3 | 2N6250 | 6 W | TO-3 (TO-204AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 275 V | 10A | 1mA | NPN | 1,5 V a 1,25 A, 10 A | 8 a 10 A, 3 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5384A/TR8 | - | ![]() | 5065 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5384 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 115 V | 160 V | 350 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 75109A | - | ![]() | 8396 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 |

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