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Prodotti a semiconduttore discreti(6716)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Struttura | Ingresso | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Corrente - Mantenimento (Ih) (Max) | Guadagno | Tensione - Stato spento | Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max) | Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm) | Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max) | Corrente - Stato attivo (It (AV)) (Max) | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (Max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Numero di SCR, diodi | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Corrente - Interruzione collettore (max) | Termistore NTC | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | Tipo di transistor | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Figura di rumore (dB tipo @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N5382A/TR8 | - |  | 6244 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5382 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 101 V | 140 V | 230 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | MSCD120-12 | - | | 1036 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | D1 | Standard | D1 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | Connessione in serie da 1 paio | 1200 V | 120A | 1,43 V a 300 A | 6 mA a 1200 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5955AP/TR12 | - | | 5749 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5955 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 136,8 V | 180 V | 900 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5916CE3/TR13 | - | | 10000 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5916 | 1,5 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 1 V | 4,3 V | 6 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ3.6D5/TR12 | - | | 2049 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ3.6 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 80 µA a 1 V | 3,6 V | 5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5374AE3/TR12 | - | | 7817 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5374 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 54 V | 75 V | 45 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ9.1DE3/TR8 | - | | 3410 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ9.1 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 3 µA a 7 V | 9,1 V | 2,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | SMBG5943C/TR13 | - | | 5501 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG5943 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 42,6 V | 56 V | 86 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ12D5E3/TR12 | - | | 9397 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ12 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 9,1 V | 12 V | 4,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5388B/TR8 | - | | 2977 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5388 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 144 V | 200 V | 480 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | HS243100R | - | | 5723 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | MEZZA PAK | Schottky, Polarità inversa | MEZZA PAK | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 860 mV a 240 A | 8 mA a 100 V | 240A | 6400pF a 5 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ16D2/TR8 | - | | 1207 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ16 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 12,2 V | 16 V | 8 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N5270BDO35 | - | | 6626 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Borsa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N5270 | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V a 200 mA | 100 nA a 69 V | 91 V | 400 ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4751G | - | | 8229 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±10% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4751 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 22,8 V | 30 V | 40 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5382AE3/TR12 | - | | 4157 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5382 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 101 V | 140 V | 230 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGT50DSK60T3G | - | | 3355 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP3 | 176 W | Standard | SP3 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Doppio elicottero Buck | Sosta sul campo di trincea | 600 V | 80A | 1,9 V a 15 V, 50 A | 250 µA | SÌ | 3,15 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N3866A | - | | 8199 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo | 1 W | TO-39 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | - | 30 V | 400mA | NPN | 25 a 50 mA, 5 V | 400 MHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ17D2E3/TR8 | - | | 1357 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ17 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 13 V | 17 V | 6 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ11D5/TR12 | - | | 8759 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ11 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 8,4 V | 11 V | 4 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5934BG | 3.0300 | | 8878 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5934 | 1,25 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 18,2 V | 24 V | 19 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 1EZ130D10E3/TR8 | - | | 2238 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1EZ130 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 98,8 V | 130 V | 910 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ6.2D10/TR8 | - | | 6692 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ6.2 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 3 V | 6,2 V | 1,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MS104/TR12 | - | | 2741 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | MS104 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 40 V | 690 mV a 1 A | 100 µA a 40 V | -55°C ~ 175°C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ62D/TR8 | - | | 9916 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ62 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 47,1 V | 62 V | 55 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N4983C | 18.2550 | | 9129 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/435 | Massa | Attivo | ±2% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | E, assiale | 1N4983 | 5 W | E, assiale | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 1 A | 2 µA a 83,6 V | 110 V | 125 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5518B (DO35) | - | | 7361 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N5518 | 500 mW | DO-35 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V a 200 mA | 5 µA a 1 V | 3,3 V | 26 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5385CE3/TR8 | - | | 7833 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5385 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 122 V | 170 V | 380 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MSFC110-16 | - | | 6566 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TJ) | Montaggio a vite | Modulo | Collegamento in serie: SCR/diodo | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 250 mA | 1,6kV | 3 V | 2250A a 50Hz | 150 mA | 110A | 1 SCR, 1 diodo | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5337/TR8 | - | | 4476 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5337 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V a 1 A | 5 µA a 1 V | 4,7 V | 2 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N4985C | 18.2550 | | 7895 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/435 | Massa | Attivo | ±2% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | E, assiale | 1N4985 | 5 W | E, assiale | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 1 A | 2 µA a 98,8 V | 130 V | 190 ohm |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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