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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Ingresso Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Guadagno Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Corrente - Interruzione collettore (max) Termistore NTC Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt) Capacità di ingresso (Cies) @ Vce Tipo di transistor Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Figura di rumore (dB tipo @ f)
JAN2N5015S Microsemi Corporation JAN2N5015S -
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ECAD 1100 0.00000000 Microsemi Corporation Militare, MIL-PRF-19500/727 Massa Obsoleto -65°C ~ 200°C (TJ) Foro passante TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo 1 W TO-39 (TO-205AD) - RoHS non conforme Non applicabile EAR99 8541.29.0095 1 1000 V 200 mA 10nA (ICBO) NPN 30 a 20 mA, 10 V -
1EZ190D10/TR12 Microsemi Corporation 1EZ190D10/TR12 -
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ECAD 8316 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±10% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1EZ190 1 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 500 nA a 144,8 V 190 V 1700 Ohm
1N6660R Microsemi Corporation 1N6660R 183.2850
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ECAD 6918 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Attivo Foro passante TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti) 1N6660 Schottky TO-254AA scaricamento RoHS non conforme REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 45 V 750 mV a 15 A 1 mA a 45 V -65°C ~ 150°C 15A 2000 pF a 5 V, 1 MHz
1N5379BE3/TR12 Microsemi Corporation 1N5379BE3/TR12 -
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ECAD 3082 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante T-18, assiale 1N5379 5 W T-18 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 1 A 500 nA a 79,2 V 110 V 125 Ohm
3EZ82D10/TR8 Microsemi Corporation 3EZ82D10/TR8 -
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ECAD 4474 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±10% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 3EZ82 3 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 500 nA a 62,2 V 82 V 95 Ohm
2EZ27D2E3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ27D2E3/TR8 -
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ECAD 9086 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ27 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 500 nA a 20,6 V 27 V 18 Ohm
2EZ68D2/TR12 Microsemi Corporation 2EZ68D2/TR12 -
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ECAD 1619 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ68 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 500 nA a 51,7 V 68 V 75 Ohm
SMBG5936A/TR13 Microsemi Corporation SMBG5936A/TR13 -
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ECAD 6790 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±10% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI SMBG5936 2 W SMBG (DO-215AA) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 1 µA a 22,8 V 30 V 28 Ohm
2EZ9.1D10/TR12 Microsemi Corporation 2EZ9.1D10/TR12 -
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ECAD 3716 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±10% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ9.1 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 3 µA a 7 V 9,1 V 2,5 Ohm
3EZ150D5/TR8 Microsemi Corporation 3EZ150D5/TR8 -
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ECAD 9446 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 3EZ150 3 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 500 nA a 114 V 150 V 550 Ohm
JANTX2N6756 Microsemi Corporation JANTX2N6756 -
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ECAD 9351 0.00000000 Microsemi Corporation Militare, MIL-PRF-19500/542 Massa Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-204AA, TO-3 MOSFET (ossido di metallo) TO-204AA scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 100 V 14A (Tc) 10 V 210 mOhm a 14 A, 10 V 4 V a 250 µA 35 nC a 10 V ±20 V - 4 W (Ta), 75 W (Tc)
3EZ16D5/TR8 Microsemi Corporation 3EZ16D5/TR8 -
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ECAD 3237 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 3EZ16 3 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 500 nA a 12,2 V 16 V 5,5 Ohm
1N4758 G Microsemi Corporation 1N4758 G -
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ECAD 9842 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Attivo ±10% -65°C ~ 175°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N4758 1 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1 1,2 V a 200 mA 5 µA a 42,6 V 56 V 110 Ohm
1N5339AE3/TR12 Microsemi Corporation 1N5339AE3/TR12 -
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ECAD 9920 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±10% -65°C ~ 150°C Foro passante T-18, assiale 1N5339 5 W T-18 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 1 A 1 µA a 2 V 5,6 V 1 Ohm
5818SMGE3/TR13 Microsemi Corporation 5818SMGE3/TR13 -
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ECAD 2043 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI 5818SM Schottky DO-215AA scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 30 V 550 mV a 1 A 1 mA a 30 V -55°C ~ 150°C 1A -
JANTXV2N6796 Microsemi Corporation JANTXV2N6796 -
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ECAD 4329 0.00000000 Microsemi Corporation Militare, MIL-PRF-19500/557 Massa Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-205AF Lattina di metallo MOSFET (ossido di metallo) TO-205AF (TO-39) - RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 100 V 8A (Tc) 10 V 195 mOhm a 8 A, 10 V 4 V a 250 µA 28,51 nC a 10 V ±20 V - 800 mW (Ta), 25 W (Tc)
UFT20140D Microsemi Corporation UFT20140D -
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ECAD 3898 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto Montaggio a vite Modulo Standard Modulo scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) Connessione in serie da 1 paio 400 V 100A 1,25 V a 100 A 70 ns 50 µA a 400 V
JAN1N6627U Microsemi Corporation JAN1N6627U 14.1900
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ECAD 7306 0.00000000 Microsemi Corporation Militare, MIL-PRF-19500/590 Massa Attivo Montaggio superficiale SQ-MELF, E 1N6627 Standard D-5B - RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 400 V 1,35 V a 2 A 30 ns 2 µA a 400 V -65°C ~ 150°C 1,75 A -
1N4760 G Microsemi Corporation 1N4760 G -
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ECAD 5796 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Attivo ±10% -65°C ~ 175°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N4760 1 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1 1,2 V a 200 mA 5 µA a 51,7 V 68 V 150 ohm
APTGF15X120T3G Microsemi Corporation APTGF15X120T3G -
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ECAD 6100 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto - Montaggio su telaio SP3 140 W Standard SP3 scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.29.0095 1 Invertitore trifase TNP 1200 V 25A 3,7 V a 15 V, 15 A 250 µA 1 nF a 25 V
2EZ27D10/TR12 Microsemi Corporation 2EZ27D10/TR12 -
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ECAD 7023 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±10% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ27 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 500 nA a 20,6 V 27 V 18 Ohm
JANTX1N4496DUS Microsemi Corporation JANTX1N4496DUS 49.5750
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ECAD 2979 0.00000000 Microsemi Corporation Militare, MIL-PRF-19500/406 Massa Attivo ±1% -65°C ~ 175°C Montaggio superficiale SQ-MELF, A 1N4496 1,5 W D-5A scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1 1 V a 200 mA 250 nA a 160 V 200 V 1500 Ohm
SMBG5334AE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG5334AE3/TR13 -
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ECAD 1454 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±10% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI SMBG5334 5 W SMBG (DO-215AA) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 1 A 150 µA a 1 V 3,6 V 2,5 Ohm
MRF545 Microsemi Corporation MRF545 -
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ECAD 1076 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto - Foro passante TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo 3,5 W TO-39 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato OBSOLETO 0000.00.0000 1 14dB 70 V 400mA PNP 15 a 50 mA, 6 V 1GHz~1,4GHz -
APTGF200A120D3G Microsemi Corporation APTGF200A120D3G -
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ECAD 7636 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto - Montaggio su telaio Modulo D-3 1400 W Standard D3 - 1 (illimitato) EAR99 8541.29.0095 1 Mezzo ponte TNP 1200 V 300 A 3,7 V a 15 V, 200 A 5 mA NO 13 nF a 25 V
3EZ14D/TR8 Microsemi Corporation 3EZ14D/TR8 -
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ECAD 8815 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±20% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 3EZ14 3 W DO-204AL (DO-41) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.500 1,2 V a 200 mA 500 nA a 10,6 V 14 V 5 Ohm
SMBG5947B/TR13 Microsemi Corporation SMBG5947B/TR13 -
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ECAD 1878 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI SMBG5947 2 W SMBG (DO-215AA) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 1 µA a 62,2 V 82 V 160 Ohm
2EZ18D2E3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ18D2E3/TR12 -
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ECAD 2974 0.00000000 Microsemi Corporation - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -65°C ~ 150°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 2EZ18 2 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 4.000 1,2 V a 200 mA 500 nA a 13,7 V 18 V 10 Ohm
42106HS Microsemi Corporation 42106HS -
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ECAD 6735 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Obsoleto - Non applicabile OBSOLETO 0000.00.0000 1
APTGV50H60BT3G Microsemi Corporation APTGV50H60BT3G -
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ECAD 8191 0.00000000 Microsemi Corporation - Massa Attivo - Montaggio su telaio SP3 APTGV50 250 W Standard SP3 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 Boost Chopper, ponte intero TNP, Fermata ai campi di trincea 600 V 65A 2,45 V a 15 V, 50 A 250 µA 2,2 nF a 25 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock