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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Ingresso | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Tipo FET | Guadagno | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Corrente - Interruzione collettore (max) | Termistore NTC | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | Tipo di transistor | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Figura di rumore (dB tipo @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JAN2N5015S | - | ![]() | 1100 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/727 | Massa | Obsoleto | -65°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo | 1 W | TO-39 (TO-205AD) | - | RoHS non conforme | Non applicabile | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 1000 V | 200 mA | 10nA (ICBO) | NPN | 30 a 20 mA, 10 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1EZ190D10/TR12 | - | ![]() | 8316 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1EZ190 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 144,8 V | 190 V | 1700 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6660R | 183.2850 | ![]() | 6918 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | Foro passante | TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti) | 1N6660 | Schottky | TO-254AA | scaricamento | RoHS non conforme | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 45 V | 750 mV a 15 A | 1 mA a 45 V | -65°C ~ 150°C | 15A | 2000 pF a 5 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5379BE3/TR12 | - | ![]() | 3082 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5379 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 79,2 V | 110 V | 125 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ82D10/TR8 | - | ![]() | 4474 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ82 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 62,2 V | 82 V | 95 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ27D2E3/TR8 | - | ![]() | 9086 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ27 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 20,6 V | 27 V | 18 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ68D2/TR12 | - | ![]() | 1619 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ68 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 51,7 V | 68 V | 75 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5936A/TR13 | - | ![]() | 6790 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG5936 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 22,8 V | 30 V | 28 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ9.1D10/TR12 | - | ![]() | 3716 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ9.1 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 3 µA a 7 V | 9,1 V | 2,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ150D5/TR8 | - | ![]() | 9446 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ150 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 114 V | 150 V | 550 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N6756 | - | ![]() | 9351 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/542 | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-204AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 100 V | 14A (Tc) | 10 V | 210 mOhm a 14 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 35 nC a 10 V | ±20 V | - | 4 W (Ta), 75 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ16D5/TR8 | - | ![]() | 3237 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ16 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 12,2 V | 16 V | 5,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4758 G | - | ![]() | 9842 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±10% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4758 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 42,6 V | 56 V | 110 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5339AE3/TR12 | - | ![]() | 9920 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5339 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 1 µA a 2 V | 5,6 V | 1 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 5818SMGE3/TR13 | - | ![]() | 2043 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | 5818SM | Schottky | DO-215AA | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 30 V | 550 mV a 1 A | 1 mA a 30 V | -55°C ~ 150°C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N6796 | - | ![]() | 4329 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/557 | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-205AF Lattina di metallo | MOSFET (ossido di metallo) | TO-205AF (TO-39) | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 100 V | 8A (Tc) | 10 V | 195 mOhm a 8 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 28,51 nC a 10 V | ±20 V | - | 800 mW (Ta), 25 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UFT20140D | - | ![]() | 3898 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio a vite | Modulo | Standard | Modulo | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | Connessione in serie da 1 paio | 400 V | 100A | 1,25 V a 100 A | 70 ns | 50 µA a 400 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JAN1N6627U | 14.1900 | ![]() | 7306 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/590 | Massa | Attivo | Montaggio superficiale | SQ-MELF, E | 1N6627 | Standard | D-5B | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 400 V | 1,35 V a 2 A | 30 ns | 2 µA a 400 V | -65°C ~ 150°C | 1,75 A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4760 G | - | ![]() | 5796 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±10% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4760 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 51,7 V | 68 V | 150 ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGF15X120T3G | - | ![]() | 6100 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Montaggio su telaio | SP3 | 140 W | Standard | SP3 | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Invertitore trifase | TNP | 1200 V | 25A | 3,7 V a 15 V, 15 A | 250 µA | SÌ | 1 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ27D10/TR12 | - | ![]() | 7023 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ27 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 20,6 V | 27 V | 18 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N4496DUS | 49.5750 | ![]() | 2979 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/406 | Massa | Attivo | ±1% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | SQ-MELF, A | 1N4496 | 1,5 W | D-5A | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V a 200 mA | 250 nA a 160 V | 200 V | 1500 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5334AE3/TR13 | - | ![]() | 1454 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG5334 | 5 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 150 µA a 1 V | 3,6 V | 2,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF545 | - | ![]() | 1076 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Foro passante | TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo | 3,5 W | TO-39 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | 14dB | 70 V | 400mA | PNP | 15 a 50 mA, 6 V | 1GHz~1,4GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGF200A120D3G | - | ![]() | 7636 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Montaggio su telaio | Modulo D-3 | 1400 W | Standard | D3 | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Mezzo ponte | TNP | 1200 V | 300 A | 3,7 V a 15 V, 200 A | 5 mA | NO | 13 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3EZ14D/TR8 | - | ![]() | 8815 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ14 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 10,6 V | 14 V | 5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5947B/TR13 | - | ![]() | 1878 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG5947 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 62,2 V | 82 V | 160 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ18D2E3/TR12 | - | ![]() | 2974 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ18 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 13,7 V | 18 V | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 42106HS | - | ![]() | 6735 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | Non applicabile | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGV50H60BT3G | - | ![]() | 8191 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | - | Montaggio su telaio | SP3 | APTGV50 | 250 W | Standard | SP3 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Boost Chopper, ponte intero | TNP, Fermata ai campi di trincea | 600 V | 65A | 2,45 V a 15 V, 50 A | 250 µA | SÌ | 2,2 nF a 25 V |

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