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Prodotti a semiconduttore discreti(6716)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
SMBJ5955B	-	Richiesta di offerta	7832	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-214AA, PMI	SMBJ5955		2 W		SMBJ (DO-214AA)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	300																	1,2 V a 200 mA		1 µA a 136,8 V										180 V	900 Ohm
SMBG4745E3/TR13	-	Richiesta di offerta	7019	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±10%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI	SMBG4745		2 W		SMBG (DO-215AA)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																	1,2 V a 200 mA		5 µA a 12,2 V										16 V	16 Ohm
1N5956CPE3/TR8	-	Richiesta di offerta	6179	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N5956		1,5 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																	1,2 V a 200 mA		1 µA a 152 V										200 V	1200 Ohm
1PMT4621/TR13	-	Richiesta di offerta	9795	Microsemi Corporation	POWERMITE®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±5%	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-216AA			1 W		DO-216	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	12.000																	1,1 V a 200 mA		7,5 µA a 2 V										3,6 V	1700 Ohm
CDLL3049A-1	-	Richiesta di offerta	4309	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo					CDLL3049					-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1
APTGF50A120T1G	-	Richiesta di offerta	5269	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-	Montaggio su telaio	SP1			312 W	Standard	SP1	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte																						TNP	1200 V	75A	3,7 V a 15 V, 50 A	250 µA	SÌ			3,45 nF a 25 V
2EZ190D5E3/TR8	-	Richiesta di offerta	4673	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±5%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	2EZ190		2 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																	1,2 V a 200 mA		500 nA a 144,8 V										190 V	825 Ohm
1N5387BE3/TR12	-	Richiesta di offerta	2636	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±5%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	T-18, assiale	1N5387		5 W		T-18	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																	1,2 V a 1 A		500 nA a 137 V										190 V	450 Ohm
APT10M11B2VFRG	-	Richiesta di offerta	1216	Microsemi Corporation	POWER MOS V®	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	Variante TO-247-3		MOSFET (ossido di metallo)			T-MAX™	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	30			CanaleN	100 V	100A (Tc)	10 V	11 mOhm a 500 mA, 10 V	4 V a 2,5 mA	450 nC a 10 V	±30 V	10.300 pF a 25 V	-	520 W(Tc)
JAN2N5015S	-	Richiesta di offerta	1100	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/727	Massa	Obsoleto		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo			1 W		TO-39 (TO-205AD)	-	RoHS non conforme	Non applicabile		EAR99	8541.29.0095	1																								1000 V	200mA		10nA (ICBO)					NPN	30 a 20 mA, 10 V	-
1EZ190D10/TR12	-	Richiesta di offerta	8316	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±10%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1EZ190		1 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																	1,2 V a 200 mA		500 nA a 144,8 V										190 V	1700 Ohm
1N6660R	183.2850	Richiesta di offerta	6918	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo			Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti)	1N6660	Schottky			TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0080	1		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													45 V		750 mV a 15 A		1 mA a 45 V	-65°C ~ 150°C	15A	2000 pF a 5 V, 1 MHz
1N5379BE3/TR12	-	Richiesta di offerta	3082	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±5%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	T-18, assiale	1N5379		5 W		T-18	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																	1,2 V a 1 A		500 nA a 79,2 V										110 V	125 Ohm
3EZ82D10/TR8	-	Richiesta di offerta	4474	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±10%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	3EZ82		3 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																	1,2 V a 200 mA		500 nA a 62,2 V										82 V	95 Ohm
2EZ27D2E3/TR8	-	Richiesta di offerta	9086	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	2EZ27		2 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																	1,2 V a 200 mA		500 nA a 20,6 V										27 V	18 Ohm
2EZ68D2/TR12	-	Richiesta di offerta	1619	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	2EZ68		2 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																	1,2 V a 200 mA		500 nA a 51,7 V										68 V	75 Ohm
SMBG5936A/TR13	-	Richiesta di offerta	6790	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±10%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI	SMBG5936		2 W		SMBG (DO-215AA)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																	1,2 V a 200 mA		1 µA a 22,8 V										30 V	28 Ohm
2EZ9.1D10/TR12	-	Richiesta di offerta	3716	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±10%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	2EZ9.1		2 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																	1,2 V a 200 mA		3 µA a 7 V										9,1 V	2,5 Ohm
3EZ150D5/TR8	-	Richiesta di offerta	9446	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±5%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	3EZ150		3 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																	1,2 V a 200 mA		500 nA a 114 V										150 V	550 Ohm
JANTX2N6756	-	Richiesta di offerta	9351	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/542	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3		MOSFET (ossido di metallo)			TO-204AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1			CanaleN	100 V	14A (Tc)	10 V	210 mOhm a 14 A, 10 V	4 V a 250 µA	35 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 75 W (Tc)
3EZ16D5/TR8	-	Richiesta di offerta	3237	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	3EZ16		3 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1.500																	1,2 V a 200 mA		500 nA a 12,2 V										16 V	5,5 Ohm
1N4758 G	-	Richiesta di offerta	9842	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	±10%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N4758		1 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1																	1,2 V a 200 mA		5 µA a 42,6 V										56 V	110 Ohm
1N5339AE3/TR12	-	Richiesta di offerta	9920	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±10%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	T-18, assiale	1N5339		5 W		T-18	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	3.000																	1,2 V a 1 A		1 µA a 2 V										5,6 V	1 Ohm
5818SMGE3/TR13	-	Richiesta di offerta	2043	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Montaggio superficiale	DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI	5818SM	Schottky			DO-215AA	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0080	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													30 V		550 mV a 1 A		1 mA a 30 V	-55°C ~ 150°C	1A	-
JANTXV2N6796	-	Richiesta di offerta	4329	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/557	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-205AF Lattina di metallo		MOSFET (ossido di metallo)			TO-205AF (TO-39)	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1			CanaleN	100 V	8A (Tc)	10 V	195 mOhm a 8 A, 10 V	4 V a 250 µA	28,51 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW (Ta), 25 W (Tc)
UFT20140D	-	Richiesta di offerta	3898	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto			Montaggio a vite	Modulo		Standard			Modulo	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0080	1		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												Connessione in serie da 1 paio	400 V	100A	1,25 V a 100 A	70 ns	50 µA a 400 V
JAN1N6627U	14.1900	Richiesta di offerta	7306	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/590	Massa	Attivo			Montaggio superficiale	SQ-MELF, E	1N6627	Standard			D-5B	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0080	1		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													400 V		1,35 V a 2 A	30 ns	2 µA a 400 V	-65°C ~ 150°C	1,75 A	-
1N4760 G	-	Richiesta di offerta	5796	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	±10%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N4760		1 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1																	1,2 V a 200 mA		5 µA a 51,7 V										68 V	150 ohm
APTGF15X120T3G	-	Richiesta di offerta	6100	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto		-	Montaggio su telaio	SP3			140 W	Standard	SP3	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Invertitore trifase																						TNP	1200 V	25A	3,7 V a 15 V, 15 A	250 µA	SÌ			1 nF a 25 V
2EZ27D10/TR12	-	Richiesta di offerta	7023	Microsemi Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±10%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	2EZ27		2 W		DO-204AL (DO-41)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	4.000																	1,2 V a 200 mA		500 nA a 20,6 V										27 V	18 Ohm