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Prodotti a semiconduttore discreti(6716)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Ingresso | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Corrente - Interruzione collettore (max) | Termistore NTC | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Capacità di ingresso (Cies) @ Vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | APTM50SKM38TG | - |  | 9619 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | SP4 | MOSFET (ossido di metallo) | SP4 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 500 V | 90A (Tc) | 10 V | 45 mOhm a 45 A, 10 V | 5 V a 5 mA | 246 nC a 10 V | ±30 V | 11.200 pF a 25 V | - | 694 W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
 | 3EZ180D10E3/TR12 | - | | 2692 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ180 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 136,8 V | 180 V | 700 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N6764 | - | | 4330 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/543 | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-204AE | MOSFET (ossido di metallo) | TO-3 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 100 V | 38A(Tc) | 10 V | 65 mOhm a 38 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 125 nC a 10 V | ±20 V | - | 4 W (Ta), 150 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ19D10/TR8 | - | | 9643 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ19 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 14,4 V | 19 V | 11 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2206A | - | | 1225 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SD8253-02H | - | | 6107 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4764CPE3/TR8 | - | | 9466 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4764 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 76 V | 100 V | 350 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ3.6D5/TR8 | - | | 6627 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ3.6 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 3,6 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5387E3/TR8 | - | | 4675 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5387 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 137 V | 190 V | 450 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGT50SK120D1G | - | | 4134 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Interrotto alla SIC | - | Montaggio su telaio | D1 | 270 W | Standard | D1 | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Separare | Sosta sul campo di trincea | 1200 V | 75A | 2,1 V a 15 V, 50 A | 5 mA | NO | 3,6 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
| SMBG5924C/TR13 | - | | 2400 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG5924 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 7 V | 9,1 V | 4 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 3EZ4.7D2/TR8 | - | | 5423 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±2% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 3EZ4.7 | 3 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 20 µA a 1 V | 4,7 V | 4 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 1EZ100DE3/TR12 | - | | 2258 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1EZ100 | 1 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 100 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ75D/TR8 | - | | 4818 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ75 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 56 V | 75 V | 90 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ33DE3/TR12 | - | | 8271 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ33 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 25,1 V | 33 V | 23 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| APTDC902U601G | - | | 6926 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | SP1 | APTDC902 | SiC (carburo di silicio) Schottky | SP1 | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 2 Indipendente | 600 V | 90A | 1,8 V a 90 A | 0 ns | 1,8 mA a 600 V | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MS109/TR12 | - | | 1789 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | MS109 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 90 V | 810 mV a 1 A | 100 µA a 90 V | -55°C ~ 175°C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ140D5/TR8 | - | | 3609 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ140 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 106,4 V | 140 V | 500 ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1PMT5923A/TR13 | - | | 4535 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-216AA | 1PMT5923 | 3 W | DO-216AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 6,5 V | 8,2 V | 3,5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5938AG | 3.4050 | | 2638 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Massa | Attivo | ±10% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N5938 | 1,25 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 27,4 V | 36 V | 38 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ22DE3/TR12 | - | | 1015 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ22 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 16,7 V | 22 V | 12 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N5243A (DO-35) | - | | 3863 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±10% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N5243 | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V a 200 mA | 500 nA a 9,9 V | 13 V | 13 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SMBG4740E3/TR13 | - | | 1906 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG4740 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 10 µA a 7,6 V | 10 V | 7 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | JANTX1N4964CUS | 20.4300 | | 7036 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/435 | Massa | Attivo | ±2% | -65°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | SQ-MELF, E | 1N4964 | 5 W | D-5B | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V a 1 A | 5 µA a 13,7 V | 18 V | 4 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| JAN2N7228 | - | | 8518 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militare, MIL-PRF-19500/592 | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-254-3, TO-254AA (cavi diritti) | MOSFET (ossido di metallo) | TO-254AA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 500 V | 12A (Tc) | 10 V | 515 mOhm a 12 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 120 nC a 10 V | ±20 V | - | 4 W (Ta), 150 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ22DE3/TR8 | - | | 3367 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ22 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 16,7 V | 22 V | 12 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5378BE3/TR12 | - | | 5304 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5378 | 5 W | T-18 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 72 V | 100 V | 90 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2EZ39D/TR12 | - | | 7361 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 2EZ39 | 2 W | DO-204AL (DO-41) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V a 200 mA | 500 nA a 29,7 V | 39 V | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5384/TR12 | - | | 2557 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±20% | -65°C ~ 150°C | Foro passante | T-18, assiale | 1N5384 | 5 W | T-18 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 1 A | 500 nA a 115 V | 160 V | 350 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SMBG5924A/TR13 | - | | 9474 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±10% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI | SMBG5924 | 2 W | SMBG (DO-215AA) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 7 V | 9,1 V | 4 Ohm |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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